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IRFB3607PBF

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: Infineon N沟道增强型MOS管 HEXFET系列, Vds=75 V, 80 A, TO-220AB封装, 通孔安装, 3引脚
供应商型号: 26M-IRFB3607PBF
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) IRFB3607PBF

IRFB3607PBF概述


    产品简介


    IRFB3607PbF 是一款由Infineon Technologies(原IRF)设计的高效能HEXFET功率MOSFET,适用于多种电源管理应用。这种器件具有高效率同步整流功能,适用于开关模式电源系统(SMPS)、不间断电源(UPS)、高速功率切换及硬开关和高频电路。其主要功能包括卓越的栅极、雪崩和动态 dv/dt 抗震能力,同时拥有完全表征的电容和雪崩安全操作区域。

    技术参数


    - 额定电压:VDSS = 75V
    - 连续漏电流:ID @ TC = 25°C = 80A, ID @ TC = 100°C = 56A
    - 脉冲漏电流:IDM = 310A
    - 最大功耗:PD @ TC = 25°C = 80W
    - 雪崩能量:EAS (单脉冲雪崩能量) = 300mJ
    - 结至外壳热阻:RθJC = 1.045°C/W
    - 壳至散热器热阻:RθCS = 0.50°C/W (TO-220)
    - 结至环境热阻:RθJA = 62°C/W (TO-220)
    - 转换时间:td(on) = 16ns, tr = 110ns, td(off) = 43ns, tf = 96ns
    - 输入电容:Ciss = 3070pF
    - 输出电容:Coss = 280pF
    - 反向传输电容:Crss = 130pF
    - 有效输出电容(时间相关):Coss eff. (TR) = 610pF
    - 有效输出电容(能量相关):Coss eff. (ER) = 380pF
    - 源极-漏极二极管正向电压:VSD = 1.3V
    - 二极管恢复时间:trr = 33ns (TJ = 25°C), 50ns (TJ = 125°C)
    - 二极管恢复电荷:Qrr = 32nC (TJ = 25°C), 48nC (TJ = 125°C)

    产品特点和优势


    IRFB3607PbF 的主要优势包括:
    - 增强的栅极、雪崩和动态 dv/dt 耐震性,使其适用于各种恶劣的工作环境。
    - 全面表征的电容和雪崩安全操作区域,确保其在极限条件下的稳定运行。
    - 优化的体二极管 dV/dt 和 dI/dt 能力,进一步提高系统的可靠性。
    - 高效率同步整流功能,特别适合于 SMPS 和 UPS 系统。

    应用案例和使用建议


    应用场景
    IRFB3607PbF 适用于以下应用:
    - 高效率同步整流:SMPS 中的高效同步整流能够显著降低能耗,提升整体系统效率。
    - 不间断电源:具备高可靠性的不间断电源系统是其另一大应用场景。
    - 硬开关和高频电路:适用于需要快速开关和高频率响应的应用场景。
    使用建议
    - 在设计时需注意 温度 和 电流限制,特别是考虑到热管理和电流限制。
    - 根据手册提供的测试电路和波形图(如图 22a 和 22b),合理选择驱动电路,以优化开关时间和减少损耗。

    兼容性和支持


    IRFB3607PbF 支持 TO-220AB 和 D2Pak 封装,易于集成到现有的系统中。厂商提供详细的技术支持和文档,例如应用笔记(如 AN-994),以帮助用户更好地理解和使用这款器件。此外,技术支持还包括故障排除指南和常见问题解答。

    常见问题与解决方案


    问题一:如何避免在大电流脉冲时器件过热?
    解决办法:根据手册提供的热阻参数,通过外部散热片和散热器来改善散热效果。确保工作温度不超过额定值,并合理设计驱动电路,以控制电流脉冲的宽度和占空比。
    问题二:如何优化二极管的反向恢复特性?
    解决办法:选择合适的驱动电路和外部电路布局,以减少寄生电感和电容的影响。使用示波器监控二极管的反向恢复过程,以确保符合设计要求。

    总结和推荐


    总体而言,IRFB3607PbF 是一款高性能的功率 MOSFET,具有出色的抗震能力和高效同步整流功能。其广泛应用和强大的技术指标使其成为电源管理和高频应用的理想选择。强烈推荐用于高可靠性要求的应用场合,特别是在需要低损耗和高效率的环境中。对于需要精确控制和优化的高级系统设计,Infineon 提供的详细文档和技术支持将为用户提供极大帮助。

IRFB3607PBF参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 75V
FET类型 1个N沟道
Rds(On)-漏源导通电阻 9mΩ@ 46A,10V
Vgs-栅源极电压 20V
通道数量 1
最大功率耗散 140W(Tc)
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 3.07nF@50V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4V@ 100µA
栅极电荷 84nC@ 10 V
配置 独立式双drain
Id-连续漏极电流 80A
10.66mm(Max)
4.82mm(Max)
9.02mm(Max)
通用封装 TO-220AB
安装方式 通孔安装
零件状态 新设计不推荐
包装方式 散装,管装

IRFB3607PBF厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

IRFB3607PBF数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) INFINEON TECHNOLOGIES IRFB3607PBF IRFB3607PBF数据手册

IRFB3607PBF封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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50+ ¥ 1.4655
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