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IPG20N06S2L-65A

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 43W 20V 2V 9.4nC@ 10V 55V 65mΩ@ 10V 315pF@ 25V SON
供应商型号: Q-IPG20N06S2L-65A
供应商: 期货订购
标准整包数: 5000
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) IPG20N06S2L-65A

IPG20N06S2L-65A概述

    # OptiMOS® Power-Transistor IPG20N06S2L-65A

    产品简介


    OptiMOS® IPG20N06S2L-65A 是一款双通道N沟道逻辑电平增强型功率晶体管。它适用于多种应用场合,如汽车电子、工业控制、消费电子产品及电源管理等领域。凭借其高性能和高可靠性,该产品在许多关键领域都有广泛的应用。

    技术参数


    以下是IPG20N06S2L-65A的主要技术参数:
    | 参数 | 符号 | 条件 | 单位 | 最小值 | 典型值 | 最大值 |
    ||
    | 持续漏极电流(单通道) | ID | TC=25°C, VGS=10 V | A | 20 20 |
    | 脉冲漏极电流(单通道) | ID,pulse| - | A | - | - | 80 |
    | 雪崩能量(单脉冲) | EAS| ID=10 A | mJ | - | - | 40 |
    | 雪崩电流(单脉冲) | IAS| - | A | - | - | 15 |
    | 栅源电压 | VGS| - | V | -20 | - | +20 |
    | 功率耗散(单通道) | Ptot| TC=25°C | W | - | - | 43 |
    | 工作温度范围 | Tj, Tstg| - | °C | -55 | - | +175 |
    热特性
    - 结-壳热阻:RthJC ≤ 3.5 K/W
    电气特性
    - 漏源击穿电压:V(BR)DSS ≤ 55 V
    - 门限电压:VGS(th) = 1.2~2.0 V
    - 零栅电压漏极电流:IDSS ≤ 1 μA
    - 门源泄漏电流:IGSS ≤ 100 nA
    - 导通电阻:RDS(on) ≤ 79 mΩ (VGS=4.5 V)
    - 输入电容:Ciss = 315~410 pF
    - 输出电容:Coss = 90~120 pF
    - 反向传输电容:Crss = 35~50 pF

    产品特点和优势


    1. AEC-Q101认证:适合汽车电子领域应用,保证了在极端环境下的可靠性和稳定性。
    2. MSL1级最高峰值回流温度260°C:可以承受较高的焊接温度,简化了组装工艺。
    3. 100%雪崩测试通过:确保了其在极端条件下的鲁棒性。
    4. 绿色环保:符合RoHS标准,无铅设计。
    5. 支持自动光学检测:便于大规模生产中的质量控制。
    6. 宽工作温度范围(-55°C至+175°C):适应多种恶劣环境。
    7. 低导通电阻:RDS(on)最低可达65mΩ,降低功耗并提高效率。
    8. 增强型栅极驱动能力:允许较低的栅极电压操作,方便与数字逻辑电路配合使用。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 汽车电子系统中的电机控制模块
    - 工业自动化领域的伺服驱动器
    - 通信设备中的电源转换器
    使用建议
    1. 散热设计:为了有效散热,需要确保良好的PCB布局和足够的铜箔面积来传导热量。
    2. 信号完整性:在高频应用中,注意匹配输入和输出电容以减少噪声干扰。
    3. 安全区域:选择合适的驱动电阻(如11Ω),避免过高的驱动电压导致栅极击穿。
    4. 应用注意事项:为防止热失控,需注意热设计并提供必要的散热措施。

    兼容性和支持


    - 与多种封装形式兼容,支持自动光学检测(AOI)。
    - 产品文档齐全,涵盖所有必要的安装和调试指南。
    - 厂商提供技术支持,包括详细的电路图设计参考和常见问题解答。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:启动时发热严重
    - 解决方案:检查电源和负载连接是否正确,确认PCB散热设计足够。
    2. 问题:驱动电压不稳
    - 解决方案:调整驱动电阻,选择合适的驱动源以稳定栅极电压。
    3. 问题:工作温度超出预期范围
    - 解决方案:使用导热硅脂或其他散热措施增加散热效果。

    总结和推荐


    总体而言,IPG20N06S2L-65A是一款高性能、高可靠性的N沟道逻辑电平增强型功率晶体管。凭借其卓越的技术参数和广泛应用领域,该产品是众多电力电子应用的理想选择。我们强烈推荐该产品给希望提升系统性能和可靠性的工程师们。

IPG20N06S2L-65A参数

参数
Vgs-栅源极电压 20V
通道数量 -
Rds(On)-漏源导通电阻 65mΩ@ 10V
最大功率耗散 43W
栅极电荷 9.4nC@ 10V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 315pF@ 25V
FET类型 -
配置 -
Id-连续漏极电流 -
Vds-漏源极击穿电压 55V
通用封装 SON
包装方式 卷带包装

IPG20N06S2L-65A厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

IPG20N06S2L-65A数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) INFINEON TECHNOLOGIES IPG20N06S2L-65A IPG20N06S2L-65A数据手册

IPG20N06S2L-65A封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
50000+ $ 0.72 ¥ 5.9976
150000+ $ 0.648 ¥ 5.3978
250000+ $ 0.576 ¥ 4.7981
500000+ $ 0.54 ¥ 4.4982
库存: 50000
起订量: 50000 增量: 5000
交货地:
最小起订量为:50000
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