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IPD60R950C6

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 37W(Tc) 20V 3.5V@ 130µA 13nC@ 10 V 1个N沟道 600V 950mΩ@ 1.5A,10V 4.4A 280pF@100V TO-252 贴片安装
供应商型号: C536838
供应商: 国内现货
标准整包数: 1
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) IPD60R950C6

IPD60R950C6概述

    600V CoolMOS™ C6 Power Transistor IPx60R950C6

    1. 产品简介


    CoolMOS™ C6系列是基于超级结(Super Junction, SJ)原理设计的高压功率MOSFET技术,由英飞凌科技开发并革新。CoolMOS™ C6系列结合了领先的SJ MOSFET供应商的经验与高阶级的创新成果。这些器件提供了一个快速切换的SJ MOSFET的所有优势,同时不牺牲易用性。极低的开关和导通损耗使转换应用更高效、更紧凑、更轻量且更低温。
    - 产品类型:CoolMOS™ C6系列600V功率MOSFET
    - 主要功能:极高频率下的开关性能,低导通电阻,低栅极电荷
    - 应用领域:功率因数校正(PFC)级,硬开关PWM级,谐振开关PWM级,如PC银箱,适配器,液晶电视(LCD TV),等离子电视(PDP TV),照明,服务器,电信和不间断电源(UPS)

    2. 技术参数


    表1 关键性能参数
    | 参数 | 数值 | 单位 | 注释 / 测试条件 |

    | VDS @ Tj,max | 650 | V | - |
    | RDS(on),max | 0.95 | Ω | - |
    | Qg,typ | 13 | nC | - |
    | ID,pulse | 12 | A | - |
    | Eoss @ 400V | 1.3 | µJ | - |
    | Body diode di/dt | 500 | A/µs | - |
    表2 最大额定值
    | 参数 | 符号 | 值 | 单位 | 注释 / 测试条件 |

    | 持续漏极电流 | ID- | 4.4 | A | Tc = 25°C |
    | 脉冲漏极电流 | ID,pulse | - | 12 | A | Tc = 25°C |
    | 单脉冲雪崩能量 | EAS | - | 46 | mJ | ID = 0.8 A, VDD = 50 V |

    3. 产品特点和优势


    - 极低损耗:由于非常低的FOM RdsonQg和Eoss
    - 极高的抗浪涌能力
    - 易于使用和驱动
    - 工业级应用认证(根据JEDEC标准)
    - 无铅镀层,无卤素模具化合物

    4. 应用案例和使用建议


    PFC级、硬开关PWM级和谐振开关PWM级:
    - 适配器:利用CoolMOS™ C6系列实现高效、紧凑的适配器设计。
    - LED照明:在高频率开关应用中使用,确保高效且可靠的性能。

    使用建议:
    - 对于MOSFET并联,建议在栅极使用铁氧体磁珠或独立的上拉下拉电路。

    5. 兼容性和支持


    - 封装类型:PG-TO252, PG-TO263, PG-TO220 FullPAK
    - 制造商支持:Infineon提供相关的设计工具和文档,如Product Brief, Portfolio, CoolMOS Webpage和Design Tools。

    6. 常见问题与解决方案


    问题:
    - 散热管理:在高功率运行时,需要良好的热管理策略以防止过热。
    - 并联使用:确保正确的驱动方法以避免电流分布不均。
    解决方案:
    - 使用散热器或风冷系统。
    - 在栅极并联铁氧体磁珠或单独的上拉下拉电路以均匀分配电流。

    7. 总结和推荐


    总结:
    CoolMOS™ C6系列IPx60R950C6提供了卓越的高频开关性能,低导通电阻,和易于使用的特性。它在各种应用场景中表现出色,特别是在需要高效、可靠电力转换的领域。
    推荐:
    强烈推荐用于需要高效率、紧凑设计及强耐久性的应用场合。在正确使用和适当的支持下,该器件可以显著提升产品的性能和可靠性。

IPD60R950C6参数

参数
配置 -
栅极电荷 13nC@ 10 V
FET类型 1个N沟道
通道数量 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V@ 130µA
最大功率耗散 37W(Tc)
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 280pF@100V
Vds-漏源极击穿电压 600V
Id-连续漏极电流 4.4A
Rds(On)-漏源导通电阻 950mΩ@ 1.5A,10V
Vgs-栅源极电压 20V
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 停产
包装方式 卷带包装

IPD60R950C6厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

IPD60R950C6数据手册

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INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) INFINEON TECHNOLOGIES IPD60R950C6 IPD60R950C6数据手册

IPD60R950C6封装设计

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