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IPP60R199CPXKSA1

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: Infineon N沟道增强型MOS管 CoolMOS CP系列, Vds=650 V, 16 A, TO-220封装, 通孔安装, 3引脚
供应商型号: 1664064
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) IPP60R199CPXKSA1

IPP60R199CPXKSA1概述

    # IPP60R199CP CoolMOS® Power Transistor 技术手册解析

    产品简介


    IPP60R199CP 是一款由 Infineon Technologies 推出的 CoolMOS® 功率晶体管,属于 CoolMOS CP 系列。其主要应用于硬开关拓扑结构,尤其适合服务器和通信领域。这款产品凭借其出色的性能和可靠性,在电源管理和高频开关应用中表现优异。
    产品类型
    - 类型:CoolMOS® 功率晶体管
    - 型号:IPP60R199CP
    主要功能
    - 实现高效能的功率转换,适用于高频率、高效率的开关电源设计。
    - 提供极低的导通电阻(RDS(on))和栅极电荷(QG),确保高效率的开关性能。
    应用领域
    - 高频开关电源(如服务器电源、通信设备电源)。
    - 工业控制和驱动系统。
    - 可再生能源及电动汽车充电桩。

    技术参数


    以下是 IPP60R199CP 的主要技术规格和性能参数:
    | 参数名称 | 符号 | 条件 | 单位 | 最小值 | 典型值 | 最大值 |
    ||
    | 漏源击穿电压 | V(BR)DSS | VGS=0V, ID=250μA | V | 600 650 |
    | 栅源阈值电压 | VGS(th) | VDS=VGS, ID=0.66mA | V | 2.5 | 3.0 | 3.5 |
    | 导通电阻 | RDS(on) | VGS=10V, ID=9.9A, Tj=25°C | Ω 0.199
    | 栅极电荷总和 | QG nC 32 | 43 |
    其他关键指标:
    - 连续漏极电流(TC=25°C):16A
    - 反向恢复时间(trr):340ns
    - 最高工作温度:150°C
    - 封装形式:PG-TO220

    产品特点和优势


    IPP60R199CP 的核心优势在于以下几个方面:
    1. 极低的导通电阻与栅极电荷:其最低的导通电阻乘以栅极电荷(RONxQG)特性,使其成为高效率应用的理想选择。
    2. 超低的开关损耗:得益于极低的栅极电荷和开关速度,大幅降低了开关过程中的能量损失。
    3. 高可靠性:符合 JEDEC 标准,具有极高的耐用性和可靠性。
    4. 宽广的工作温度范围:可承受高达 150°C 的结温,适用于严苛的工业环境。
    这些特点使其在市场上具备强大的竞争力,特别适合需要高性能和高可靠性的开关电源设计。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    IPP60R199CP 广泛应用于高频硬开关拓扑结构中,例如:
    - 服务器电源模块:用于处理高压输入并提供稳定的输出。
    - 通信设备:如基站电源和路由器电源,要求高效率和低功耗。
    使用建议
    1. 散热管理:由于工作温度范围较广,建议在高负载条件下使用适当的散热片或强制风冷措施。
    2. 电路布局优化:为了降低寄生效应,应尽量缩短引线长度,并使用高质量的 PCB 材料。
    3. 测试与验证:在实际部署前,需进行充分的实验验证,确保产品性能满足设计要求。

    兼容性和支持


    IPP60R199CP 具有良好的兼容性,可直接替代市场上其他同规格的 CoolMOS® 功率晶体管。此外,Infineon 提供全面的技术支持和售后服务,包括:
    - 在线技术支持平台。
    - 应用指南和设计工具。
    - 样品供应及批量采购服务。

    常见问题与解决方案


    以下是用户可能遇到的一些问题及其解决方案:
    | 问题 | 解决方案 |

    | 开关过程中效率下降 | 检查 PCB 布局,减少寄生电感 |
    | 温度过高 | 添加散热片或优化冷却系统 |
    | 开关时出现异常噪声 | 检查驱动电路,确保匹配性 |

    总结和推荐


    IPP60R199CP 凭借其卓越的性能、广泛的适用性和高度的可靠性,成为高效率开关电源设计的理想选择。其极低的导通电阻和栅极电荷特性使其在高频和高压应用中表现出色。我们强烈推荐此产品用于服务器、通信设备和其他高效率电力系统中。
    综合评价:
    - 优点:高效的开关性能、宽广的工作温度范围、良好的市场竞争力。
    - 适用性:推荐用于高效率开关电源和高频硬开关拓扑结构。
    总之,IPP60R199CP 是一款值得信赖的高性能功率晶体管,能够为您的项目带来显著的性能提升和成本效益。

IPP60R199CPXKSA1参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 1.52nF@100V
Vgs-栅源极电压 20V
栅极电荷 43nC@ 10 V
FET类型 1个N沟道
Id-连续漏极电流 16A
Vds-漏源极击穿电压 650V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V@ 660µA
通道数量 1
配置 独立式
Rds(On)-漏源导通电阻 199mΩ@ 9.9A,10V
最大功率耗散 139W(Tc)
长*宽*高 10mm*4.4mm*15.65mm
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 新设计不推荐
包装方式 管装

IPP60R199CPXKSA1厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

IPP60R199CPXKSA1数据手册

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INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) INFINEON TECHNOLOGIES IPP60R199CPXKSA1 IPP60R199CPXKSA1数据手册

IPP60R199CPXKSA1封装设计

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1+ ¥ 15.831
10+ ¥ 13.639
100+ ¥ 13.3954
500+ ¥ 13.3954
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