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IRL2203NS

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 3.8W 16V 60nC(Max) @ 4.5V 30V 7mΩ@ 10V 3.29nF@ 25V D2PAK
供应商型号: AMS-IRL2203NS
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) IRL2203NS

IRL2203NS概述

    IRL2203N LPbF & IRL2203N SPbF HEXFET® Power MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    IRL2203N LPbF 和 IRL2203N SPbF 是由国际整流器公司(International Rectifier)生产的先进 HEXFET® 功率 MOSFET,主要适用于需要高电流密度和低电阻的应用场景。这些器件采用了先进的处理技术,能够实现极低的单位硅面积导通电阻,非常适合多种电力转换应用。

    2. 技术参数


    - 主要参数:
    - 漏源电压 \( V{DSS} \): 30V
    - 静态漏源导通电阻 \( R{DS(on)} \): 7.0mΩ
    - 连续漏极电流 \( ID \): 116A(在 \( V{GS} = 10V \))
    - 最大脉冲漏极电流 \( I{DM} \): 400A
    - 最大耗散功率 \( PD \): 2.0W
    - 热阻 \( R{\theta JA} \): 40°C/W
    - 工作温度范围: -55°C 至 +175°C
    - 动态参数:
    - 栅极电荷 \( Qg \): 60nC
    - 栅极-源极电荷 \( Q{gs} \): 14nC
    - 栅极-漏极电荷 \( Q{gd} \): 33nC
    - 上升时间 \( tr \): 160ns
    - 关断延迟时间 \( t{d(off)} \): 23ns
    - 关断时间 \( tf \): 66ns
    - 反向恢复参数:
    - 反向恢复时间 \( t{rr} \): 56ns
    - 反向恢复电荷 \( Q{rr} \): 110nC

    3. 产品特点和优势


    - 超低导通电阻: 静态漏源导通电阻为 7.0mΩ,提供了极高的电流密度和效率。
    - 快速开关速度: 上升时间和关断时间都非常短,适用于高频应用。
    - 坚固耐用的设计: 支持重复雪崩能量高达 1320mJ,完全符合雪崩击穿标准。
    - 高温工作能力: 能够在 -55°C 至 +175°C 的宽温度范围内工作,特别适合恶劣环境下的应用。
    - 无铅封装: 符合环保要求,支持表面贴装和通孔安装。

    4. 应用案例和使用建议


    - 应用案例:
    - 适用于电源转换器、电机驱动器和各种电力电子设备。
    - 在太阳能逆变器、电动汽车充电站等场合表现出色。
    - 使用建议:
    - 确保设计电路时留有足够的散热空间,以避免过热。
    - 使用适当的栅极驱动电阻,以减少开关损耗并提高系统效率。
    - 避免长时间超过最大额定值操作,特别是在高环境温度下使用时。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:
    - 可与大多数常见的电路板制造材料(如 FR-4 或 G-10)兼容。
    - 支持表面贴装和通孔安装,适用于不同类型的电路板设计。
    - 支持和维护:
    - 国际整流器公司提供详尽的技术文档和支持,确保客户能够充分利用这些器件的功能。
    - 客户可以通过公司官网获得最新的数据表和技术指南。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题1:温度过高导致性能下降
    - 解决方案: 加强散热措施,如增加散热片或使用强制风冷。
    - 问题2:电路稳定性差
    - 解决方案: 检查电路设计,确保合适的栅极驱动电阻,并检查电路接地是否良好。
    - 问题3:开关频率不匹配
    - 解决方案: 选择合适的驱动电路和参数,以确保与 MOSFET 的开关速度相匹配。

    7. 总结和推荐


    IRL2203N LPbF 和 IRL2203N SPbF 是高性能的 HEXFET® 功率 MOSFET,具有超低的导通电阻、快速的开关速度和高可靠性。它们在多种电力电子应用中表现出色,尤其适合需要高效、稳定运行的场合。鉴于其广泛的应用前景和出色的性能,强烈推荐在相关的电力电子设计中使用这些器件。

IRL2203NS参数

参数
栅极电荷 60nC(Max) @ 4.5V
通道数量 -
FET类型 -
Vds-漏源极击穿电压 30V
Rds(On)-漏源导通电阻 7mΩ@ 10V
Vgs-栅源极电压 16V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 3.29nF@ 25V
最大功率耗散 3.8W
Id-连续漏极电流 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
配置 -
通用封装 D2PAK
包装方式 卷带包装

IRL2203NS厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

IRL2203NS数据手册

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INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) INFINEON TECHNOLOGIES IRL2203NS IRL2203NS数据手册

IRL2203NS封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
100+ $ 2.292 ¥ 19.2528
500+ $ 2.28 ¥ 19.152
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