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IPD60R2K0PFD7SAUMA1

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: MOS管, Vds=650 V, 4.5 A, PG-TO 252-3封装, 表面贴装
供应商型号: IPD60R2K0PFD7SAUMA1
供应商: 国内现货
标准整包数: 5
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) IPD60R2K0PFD7SAUMA1

IPD60R2K0PFD7SAUMA1概述

    IPD60R2K0PFD7S MOSFET 技术手册概述

    产品简介


    IPD60R2K0PFD7S 是一款由 Infineon Technologies 设计生产的CoolMOS™ PFD7 SJ 功率 MOSFET,工作电压可达600V。此型号的 MOSFET 基于超级结(Super Junction)原理,旨在满足消费市场中的成本敏感型应用需求,如充电器、适配器、电机驱动和照明等。凭借其极低的损耗、快速开关特性、优异的热行为及内部保护二极管,该产品能够显著提升系统的整体性能和可靠性。

    技术参数


    IPD60R2K0PFD7S的主要技术参数如下:
    | 参数 | 标称值 | 单位 |
    |
    | 最高击穿电压 V(BR)DSS | 650 | V |
    | 最大导通电阻 RDS(on) | 2000 | mΩ |
    | 典型栅源电荷 Qg | 3.8 | nC |
    | 脉冲漏极电流 ID,pulse | 4.5 | A |
    | 在400V下输出电荷存储能量 Eoss | 0.4 | µJ |
    | 快速体二极管 dv/dt | 1300 | A/µs |
    | 静态栅源电压 VGS | ±20 | V |

    产品特点和优势


    - 极低的损耗特性,尤其是由于非常低的 FOM(RDS(on)Qg 和 RDS(on)Eoss)。
    - 低开关损耗 Eoss 和卓越的热性能。
    - 内置快速体二极管。
    - 宽泛的 RDS(on)和封装变体选择。
    - 集成的齐纳二极管提高系统稳定性。
    - 可实现高功率密度设计,便于小体积设计。

    应用案例和使用建议


    IPD60R2K0PFD7S 主要应用于 ZVS 拓扑结构,如高密度充电器、适配器、照明和电机驱动装置。为了充分利用其特性,建议在并联使用 MOSFET 时加入铁氧体磁珠或分立的推挽电路以减少瞬态电压干扰。同时,在设计中要注意良好的散热管理,以确保长期稳定运行。

    兼容性和支持


    本产品采用 PG-TO 252-3 封装,适用于标准焊料工艺,焊接温度高达 260°C。Infineon 提供了详细的应用笔记、仿真模型和设计工具,帮助用户更高效地进行开发和测试。

    常见问题与解决方案


    - 问题:如何正确并联多个 MOSFET?
    - 解答: 推荐使用铁氧体磁珠连接到栅极,或者使用独立的推挽电路来减少瞬态电压的影响。

    - 问题:高温环境下如何保持最佳性能?
    - 解答: 选择合适的散热解决方案,如散热片或强制空气冷却,以维持 MOSFET 的正常工作温度。

    总结和推荐


    总体而言,IPD60R2K0PFD7S 是一款具有出色性能和广泛应用潜力的 MOSFET。其低损耗、高效率、良好的热行为和丰富的封装选择使其成为许多消费电子产品设计的理想选择。结合 Infineon 提供的详尽技术支持,该产品非常适合需要高效功率转换和高可靠性应用的工程师们。因此,我强烈推荐使用此产品。

IPD60R2K0PFD7SAUMA1参数

参数
FET类型 1个N沟道
配置 -
Vds-漏源极击穿电压 650V
通道数量 -
Vgs-栅源极电压 20V
Rds(On)-漏源导通电阻 2Ω@ 500mA,10V
Id-连续漏极电流 4.5A
栅极电荷 3.8nC@ 10 V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4.5V@ 30µA
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 134pF@400V
最大功率耗散 20W(Tc)
通用封装 TO-252-3
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

IPD60R2K0PFD7SAUMA1厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

IPD60R2K0PFD7SAUMA1数据手册

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INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) INFINEON TECHNOLOGIES IPD60R2K0PFD7SAUMA1 IPD60R2K0PFD7SAUMA1数据手册

IPD60R2K0PFD7SAUMA1封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 3.2151
100+ ¥ 3.0541
250+ ¥ 2.8415
500+ ¥ 2.5842
2500+ ¥ 1.8369
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