处理中...

首页  >  产品百科  >  IRF1010EZPBF

IRF1010EZPBF

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: Infineon N沟道增强型MOS管 HEXFET系列, Vds=60 V, 84 A, TO-220AB封装, 通孔安装, 3引脚
供应商型号: UA-IRF1010EZPBF
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) IRF1010EZPBF

IRF1010EZPBF概述

    IRF1010EZ Power MOSFET 技术手册

    产品简介


    IRF1010EZ 是由国际整流器公司(International Rectifier)设计和制造的一种高性能 HEXFET® 功率 MOSFET。它采用先进的工艺技术,旨在提供极低的导通电阻,适用于广泛的工业应用。此产品系列包括 IRF1010EZPbF、IRF1010EZSPbF 和 IRF1010EZLPbF 等型号,这些型号的主要功能和应用领域涵盖了从电源管理到电机控制的多种用途。

    技术参数


    - 电气参数:
    - 漏源电压 \(V{DSS}\): 60V
    - 静态漏源导通电阻 \(R{DS(on)}\): 8.5mΩ
    - 连续漏电流 \(ID\): 75A
    - 绝对最大额定值:
    - 最大连续漏电流 \(I{D}\): 75A (V{GS} @ 10V)
    - 脉冲漏电流 \(I{DM}\): 340A
    - 最大耗散功率 \(PD\): 140W
    - 结温范围 \(TJ\): -55°C 至 +175°C
    - 存储温度范围 \(T{STG}\): -55°C 至 +175°C
    - 热阻抗:
    - 结至外壳 \(R{\theta JC}\): 1.11°C/W
    - 外壳至散热器 \(R{\theta CS}\): 0.50°C/W
    - 结至环境 \(R{\theta JA}\): 40°C/W (PCB安装情况下)

    产品特点和优势


    IRF1010EZ 的主要特点包括:
    - 先进工艺技术:采用最新工艺技术,实现极低的导通电阻。
    - 超低导通电阻:静态导通电阻仅为 8.5mΩ。
    - 高速开关能力:具有快速开关速度,适合高频应用。
    - 耐高温度:能够在高达 175°C 的环境中稳定工作。
    - 重复雪崩允许:允许多次雪崩事件,提升可靠性。

    应用案例和使用建议


    IRF1010EZ 在多个应用领域都有出色表现,如:
    - 电源转换:在直流到直流转换器中作为开关元件,实现高效能转换。
    - 电机驱动:用于电动机驱动电路中,以提供更高的控制精度和效率。
    - 电池充电器:适用于需要快速充电的应用场合。
    使用建议:
    - 确保充分的散热措施,特别是在高电流条件下。
    - 适当调整栅极电阻,以确保开关速度和功耗的平衡。

    兼容性和支持


    - 兼容性:与其他标准的 PCB 封装兼容,便于集成。
    - 支持:提供详细的应用笔记和故障排除指南,帮助用户更好地理解和使用产品。

    常见问题与解决方案


    - 问题1:过高的功耗导致器件发热严重。
    - 解决方案:确保良好的散热措施,使用适当的散热片。
    - 问题2:器件在开关时出现不稳定现象。
    - 解决方案:检查栅极电阻值,并适当调整。

    总结和推荐


    总体来看,IRF1010EZ 是一款高性能的功率 MOSFET,特别适合于需要低导通电阻、高速开关和高温环境下的应用。通过上述技术参数和特点可以看出,该产品在工业应用中表现出色。因此,我们强烈推荐将 IRF1010EZ 用于要求严格的应用场合,如电源管理和电机驱动等领域。

IRF1010EZPBF参数

参数
最大功率耗散 140W(Tc)
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4V@ 100µA
配置 独立式
Id-连续漏极电流 75A
栅极电荷 86nC@ 10 V
Vgs-栅源极电压 20V
Rds(On)-漏源导通电阻 8.5mΩ@ 51A,10V
通道数量 1
Vds-漏源极击穿电压 60V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 2.81nF@25V
FET类型 1个N沟道
长*宽*高 10mm*4.4mm*15.65mm
通用封装 TO-220AB
安装方式 通孔安装
应用等级 工业级
零件状态 在售
包装方式 散装,管装

IRF1010EZPBF厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

IRF1010EZPBF数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) INFINEON TECHNOLOGIES IRF1010EZPBF IRF1010EZPBF数据手册

IRF1010EZPBF封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ $ 0.44 ¥ 3.6872
403+ $ 0.435 ¥ 3.6453
1226+ $ 0.4225 ¥ 3.5406
3194+ $ 0.4025 ¥ 3.373
库存: 10130
起订量: 285 增量: 100
交货地:
最小起订量为:1
合计: ¥ 3.68
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
04N80C3-VB TO220F ¥ 10.7639
05N03LB-VB TO220 ¥ 2.3325
06N06L ¥ 0.253
09N50I-VB ¥ 4.2759
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.3633
15N10 ¥ 0.396
15N10 ¥ 0.336