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JANTX2N7225

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 150W 20V 4V 115nC(Max) @ 10V 1个N沟道 200V 105mΩ@ 10V 通孔安装
供应商型号: 20A-JANTX2N7225
供应商: 国内现货
标准整包数: 1
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) JANTX2N7225

JANTX2N7225概述

    2N7224-JANTX MOSFET 产品技术手册



    产品简介



    2N7224-JANTX是一款由美国分销商提供的MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)产品,主要应用于需要高可靠性的小型化场合。它具有优良的耐热性、重复性雪崩能力和易于并联的特点。该产品通过MIL-PRF-19500认证,适用于军事、航空航天及高性能电子产品中的多种应用,如开关电源、电机控制、逆变器、斩波器、音频放大器以及高能量脉冲电路等。


    技术参数



    2N7224-JANTX的主要技术参数如下:

    | 参数 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 | 测试条件 |
    | :--- | :---: | :---: | :---: | :--: | :---- |
    | BVDSS(击穿电压) | 100 | --- | 200 | V | VGS=0V, ID=1.0mA |
    | RDS(on)(导通电阻) | --- | 0.07 | 0.081 | Ω | VGS=10V, ID=21A, 34A |
    | VGS(th)(门限电压) | 2.0 | --- | 4.0 | V | VDS=VG S, ID=250µA |
    | IDSS(零门电压漏极电流) | --- | --- | 25 | µA | VDS=80V, VGS=0V |
    | QG(on)(导通门电荷) | --- | --- | 125 | nC | VGS=10V, ID=34A |
    | tD(on)(导通延时时间) | --- | --- | 35 | ns | VDD=50V, ID=21A, RG=2.35 |


    产品特点和优势



    1. 重复雪崩能力:具备重复雪崩电压,能在高能量脉冲环境中稳定工作。
    2. 隔离与密封设计:采用隔离和密封技术,提高耐环境能力,适合严苛的应用环境。
    3. 低导通电阻:具有非常低的RDS(on),减少功率损耗,提高能效。
    4. 易于并联:便于多片并联使用,增加输出电流。
    5. 陶瓷贯通孔:通过陶瓷贯通孔技术,提高散热性能。
    6. 军用认证:符合MIL-PRF-19500标准,确保在极端环境下的可靠运行。


    应用案例和使用建议



    该产品广泛应用于军事、航空航天等领域,具体实例包括高可靠性要求的开关电源和逆变器系统。例如,在一款先进的航空电子设备中,2N7224-JANTX用于控制电源供应,保证系统稳定性。

    使用建议:
    - 在选择并联数量时,需考虑整体热管理。
    - 为确保最佳性能,建议遵循制造商提供的详细测试条件进行操作。
    - 鉴于该产品用于高功率场合,需注意散热问题,建议使用铜散热器以改善散热效果。


    兼容性和支持



    2N7224-JANTX设计兼容其他MIL-PRF-19500认证的组件,可以方便地集成到现有的电子系统中。制造商提供详尽的技术支持文档,并有专业的技术支持团队随时准备解答客户疑问。


    常见问题与解决方案



    1. 过热问题:
    - 解决方案:确保良好的散热措施,如使用散热片或风扇,必要时可增加外部散热装置。
    2. 性能不稳定:
    - 解决方案:检查电路连接是否正确,确认所有相关参数都在规定范围内,重新校准电路。
    3. 噪音干扰:
    - 解决方案:尽量远离可能产生电磁干扰的源,适当屏蔽或隔离信号线。


    总结和推荐



    2N7224-JANTX MOSFET凭借其卓越的重复雪崩能力和可靠的军用标准认证,成为高可靠性应用场景的理想选择。其低导通电阻、易于并联等特点使其在开关电源、电机控制等高性能应用中表现出色。尽管价格较高,但其带来的长期可靠性和性能提升是值得投资的。

    综上所述,对于需要高可靠性、高效率且适用于极端环境的应用场合,2N7224-JANTX MOSFET是一个值得推荐的选择。

JANTX2N7225参数

参数
FET类型 1个N沟道
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4V
最大功率耗散 150W
配置 独立式
Vds-漏源极击穿电压 200V
通道数量 1
栅极电荷 115nC(Max) @ 10V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Id-连续漏极电流 -
Vgs-栅源极电压 20V
Rds(On)-漏源导通电阻 105mΩ@ 10V
13.84mm(Max)
6.6mm(Max)
13.84mm(Max)
安装方式 通孔安装
应用等级 军用级

JANTX2N7225厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

JANTX2N7225数据手册

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INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) INFINEON TECHNOLOGIES JANTX2N7225 JANTX2N7225数据手册

JANTX2N7225封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 620.37
500+ ¥ 610.2
1000+ ¥ 594.945
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