处理中...

首页  >  产品百科  >  IPB120N08S4-04

IPB120N08S4-04

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 179W 20V 4V 70nC@ 10V 80V 4.1mΩ@ 10V 4.85nF@ 25V TO-263
供应商型号: Q-IPB120N08S4-04
供应商: 期货订购
标准整包数: 1000
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) IPB120N08S4-04

IPB120N08S4-04概述


    产品简介


    IPB120N08S4-04 是一款由Infineon Technologies生产的N沟道增强型功率场效应晶体管(Power MOSFET)。该产品采用了OptiMOS®-T2技术,具备高可靠性、低导通电阻和出色的热性能等特点。IPB120N08S4-04适用于多种电力电子应用,如电机控制、直流-直流转换器、电源管理和电动汽车等。

    技术参数


    - 主要参数:
    - 漏源电压(V DS):80V
    - 连续漏极电流(I D):120A(@ T C=25°C, V GS=10V)
    - 脉冲漏极电流(I D,pulse):480A(@ T C=25°C)
    - 击穿电压(V(BR)DSS):80V(@ V GS=0V, I D=1mA)
    - 零栅压漏极电流(I DSS):0.03至1μA(@ V DS=80V, V GS=0V)
    - 静态特性:
    - 导通电阻(R DS(on)):3.5至4.4mΩ(@ V GS=10V, I D=100A)

    - 动态特性:
    - 输入电容(C iss):4850至6450pF
    - 输出电容(C oss):1870至2490pF
    - 反向转移电容(Crss):100至200pF

    - 其他参数:
    - 工作温度范围:-55°C至+175°C
    - 峰值焊锡温度:260°C

    产品特点和优势


    IPB120N08S4-04 的显著特点是其超低的导通电阻和高电流处理能力,这使其成为高性能电力电子系统中的理想选择。其增强的OptiMOS®-T2技术不仅提供了卓越的热稳定性,还保证了产品的长期可靠性。此外,该产品符合AEC Q101标准并具有无卤素材料特性,适用于汽车和工业领域。

    应用案例和使用建议


    - 应用案例:
    IPB120N08S4-04广泛应用于电机控制和直流-直流转换器中。在电机控制系统中,它可以实现高效稳定的电流控制;而在直流-直流转换器中,它的高效率和大电流处理能力使得系统更加稳定可靠。
    - 使用建议:
    在设计电路时,需要考虑散热问题。建议在高功率应用中采用散热片或散热风扇以提高冷却效果。此外,为确保最佳性能,建议将器件放置在较大面积的PCB铜箔上,并通过增大散热面积来改善热管理。

    兼容性和支持


    IPB120N08S4-04 支持多种封装形式(PG-TO263-3-2、PG-TO262-3-1、PG-TO220-3-1),以满足不同应用场景的需求。Infineon Technologies提供详尽的技术文档和支持,包括安装指南和常见问题解答,确保用户能够正确使用和维护产品。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:导通电阻过高
    - 解决方案: 确认工作电压和电流是否超过规定范围。检查焊接质量,必要时重新焊接。
    2. 问题:发热异常
    - 解决方案: 检查散热措施是否到位,增加散热片或改进散热路径。确保PCB布局合理,避免过热。
    3. 问题:击穿电压不足
    - 解决方案: 检查是否有反向偏置过电压情况发生。确认连接线是否正确,确保正确连接。

    总结和推荐


    总体而言,IPB120N08S4-04 是一款极具竞争力的高性能功率场效应晶体管。它在高电流处理能力和热稳定性方面表现出色,适合于多种高要求的应用场合。对于寻求高性能、可靠性和高能效的工程师来说,这款产品是不可或缺的选择。因此,强烈推荐在相关项目中使用该产品。

IPB120N08S4-04参数

参数
最大功率耗散 179W
Vds-漏源极击穿电压 80V
Rds(On)-漏源导通电阻 4.1mΩ@ 10V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4V
Id-连续漏极电流 -
配置 -
FET类型 -
栅极电荷 70nC@ 10V
Vgs-栅源极电压 20V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 4.85nF@ 25V
通道数量 -
通用封装 TO-263
包装方式 卷带包装

IPB120N08S4-04厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

IPB120N08S4-04数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) INFINEON TECHNOLOGIES IPB120N08S4-04 IPB120N08S4-04数据手册

IPB120N08S4-04封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10000+ $ 3.1 ¥ 25.823
30000+ $ 2.79 ¥ 23.2407
50000+ $ 2.48 ¥ 20.6584
100000+ $ 2.325 ¥ 19.3672
库存: 10000
起订量: 10000 增量: 1000
交货地:
最小起订量为:10000
合计: ¥ 258230
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
05N03LB-VB TO263 ¥ 2.9159
07N60-VB ¥ 3.1091
07N60S5-VB TO252 ¥ 3.887
07N70CF-VB ¥ 3.498
093N06N-VB TO220 ¥ 2.9159
100N08N-VB TO262 ¥ 4.8594
10N60KL-TF1-T-VB ¥ 4.2759
10N60L-TF1-T-VB ¥ 4.2759
10N65L-TF3-T-VB ¥ 4.2759
12N65L-ML TO220F1 ¥ 0