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IRLH5030TR2PBF

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 3.6W 16V 2.5V@ 150µA 94nC@ 10 V 1个N沟道 100V 9mΩ@ 50A,10V 13A 5.185nF@50V QFN 贴片安装 6mm*5mm*830μm
供应商型号: IRLH5030TR2PBFDKR-ND
供应商: Digi-Key
标准整包数: 1
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) IRLH5030TR2PBF

IRLH5030TR2PBF概述

    HEXFET Power MOSFET 技术手册解读

    1. 产品简介


    HEXFET Power MOSFET(功率金属氧化物半导体场效应晶体管)是一款高性能的电源管理器件,广泛应用于多种场合。其主要用途包括同步整流(Secondary Side Synchronous Rectification)、直流电机逆变器(Inverters for DC Motors)、直流-直流转换器砖块(DC-DC Brick Applications)以及升压转换器(Boost Converters)等。

    2. 技术参数


    以下是HEXFET Power MOSFET的主要技术规格和性能参数:
    - 封装:PQFN 5x6 mm
    - 最低导通电阻(RDSon):≤9.0mΩ
    - 热阻到PCB:≤0.8°C/W
    - 门极电荷典型值(Qg):44 nC
    - 标称击穿电压(VDS):100 V
    - 最大连续漏极电流(ID @ Tmb = 25°C):88 A
    - 最大门极电阻(RG):1.2 Ω
    - 极限温度范围:-55°C 至 +150°C
    - 极限门极源电压(VGS):±16 V
    这些参数确保了该器件在高效率、低损耗、良好的热管理等方面表现出色。

    3. 产品特点和优势


    HEXFET Power MOSFET具有以下几个显著的优势:
    - 低导通电阻:低至9.0mΩ的导通电阻降低了电路中的功率损耗,提升了整体能效。
    - 热阻低:良好的热管理特性使得器件在高负载下仍能保持稳定运行。
    - 100% Rg测试:确保所有器件出厂时都经过严格的可靠性测试。
    - 行业标准引脚布局:增强了多供应商兼容性,简化制造流程。
    - 无铅环保材料:符合RoHS标准,对环境友好。
    - 多级工业认证:提供更高可靠性,适应更广泛的应用环境。

    4. 应用案例和使用建议


    根据技术手册中的应用示例,HEXFET Power MOSFET可以在多种电力转换应用中发挥重要作用,如电源适配器、充电器和工业自动化设备等。建议在使用时注意以下几点:
    - 散热设计:由于其较高的功率密度,需要有效的散热措施,如大面积铜箔和散热片。
    - 门极驱动优化:适当调整门极电阻(RG)和门极电荷(Qg),以实现快速开关和低损耗。
    - 安全操作区域(SOA):遵循制造商建议的操作区域,避免长时间过载运行,以免损坏器件。

    5. 兼容性和支持


    该产品采用行业标准的PQFN 5x6 mm封装,兼容多种表面贴装技术(SMT),便于集成到现有电路板中。Infineon Technologies提供了全面的技术支持和客户服务,包括详细的技术文档、培训和支持热线,确保用户能够顺利应用该产品。

    6. 常见问题与解决方案


    以下是一些常见的问题及其解决方法:
    - 问题:过热
    - 解决办法:确保充分的散热设计,使用大面积铜箔和散热片,或者添加散热风扇。
    - 问题:开关损耗大
    - 解决办法:优化门极驱动电路,减少门极电荷(Qg),选择适当的门极电阻(RG)。
    - 问题:可靠性不足
    - 解决办法:严格遵守制造商推荐的操作条件和使用规范,定期进行维护检查。

    7. 总结和推荐


    总体而言,HEXFET Power MOSFET凭借其低损耗、高可靠性、环保材料和优秀的热管理特性,在各种电力转换应用中表现出色。无论是小型便携式设备还是大型工业系统,该器件都能提供卓越的性能。强烈推荐此产品给寻求高效、可靠电源解决方案的设计工程师。
    通过上述分析可以看出,HEXFET Power MOSFET不仅在技术规格上达到了高标准,还具备出色的应用潜力和广泛的适用性。如果您正在寻找一种能够在严苛环境中稳定工作的高效电源管理器件,HEXFET Power MOSFET将是一个值得考虑的选项。

IRLH5030TR2PBF参数

参数
FET类型 1个N沟道
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.5V@ 150µA
Vgs-栅源极电压 16V
Vds-漏源极击穿电压 100V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 5.185nF@50V
栅极电荷 94nC@ 10 V
Rds(On)-漏源导通电阻 9mΩ@ 50A,10V
通道数量 1
配置 独立式
最大功率耗散 3.6W
Id-连续漏极电流 13A
长*宽*高 6mm*5mm*830μm
通用封装 QFN
安装方式 贴片安装
零件状态 停产

IRLH5030TR2PBF厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

IRLH5030TR2PBF数据手册

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INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) INFINEON TECHNOLOGIES IRLH5030TR2PBF IRLH5030TR2PBF数据手册

IRLH5030TR2PBF封装设计

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