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IRLHS6376TRPBF

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: Infineon N沟道MOS管, Vds=30 V, 3.6 A, DFN2020封装, 通孔安装
供应商型号: REB-TMOSS6784
供应商: 海外现货
标准整包数: 4000
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) IRLHS6376TRPBF

IRLHS6376TRPBF概述

    HEXFET Power MOSFET 技术手册

    产品简介


    HEXFET Power MOSFET 是一种高性能的场效应晶体管(FET),具有低导通电阻和高电流承载能力。这种类型的 MOSFET 主要用于电源转换、电机控制、逆变器和其他高功率密度应用。它的主要功能是作为开关器件,在电路中实现高效的电能转换。

    技术参数


    - 电压规格:VDS(漏极到源极电压)为30V,VGS(栅极到源极电压)为±12V。
    - 电流规格:在25°C时,连续漏极电流ID为3.4A。
    - 最大导通电阻RDS(on):在VGS = 4.5V时,最大为63mΩ;在VGS = 2.5V时,最大为82mΩ。
    - 绝对最大额定值:包括VDS、VGS、ID、IDM、PD等,详细数值见下表。
    - 热阻抗:RθJC (Bottom) 为19°C/W,RθJA (Ambient) 为86°C/W。
    - 静态参数:包括BVDSS(击穿电压)、RDS(on)、VGS(th)(阈值电压)、IDSS(漏源泄漏电流)、IGSS(栅源正向泄漏电流)、Ciss(输入电容)、Coss(输出电容)等。
    | 参数 | 单位 | 最大值 |
    |
    | VDS | 漏极到源极电压 | 30V |
    | VGS | 栅极到源极电压 | ±12V |
    | ID (@Tc=25°C) | 连续漏极电流 | 3.4A |

    产品特点和优势


    1. 低RDS(on):≤ 63mΩ,显著降低导通损耗。
    2. 低热阻:≤ 19°C/W,提高散热效率。
    3. 低轮廓设计:≤ 1.0mm,增加功率密度。
    4. 行业标准引脚布局:确保多供应商兼容性。
    5. 环保材料:符合RoHS标准,无铅、无溴化物和无卤素。

    应用案例和使用建议


    HEXFET Power MOSFET 适用于多种高功率密度的应用场景,例如电源转换器、电机驱动、汽车电子等。建议在使用过程中确保散热条件良好,避免过热损坏。通过合理布局电路和增加散热片可以有效提升产品的可靠性和使用寿命。

    兼容性和支持


    该产品采用PQFN Dual 2mm x 2mm封装,适用于现有的表面贴装技术。制造商提供相应的技术支持和服务,用户可以通过访问制造商网站获取更多信息。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:设备过热
    - 解决方案:检查散热设计是否合理,必要时增加散热片或改进电路布局。
    2. 问题:电压异常
    - 解决方案:检查连接是否正确,确保供电电压符合规格要求。

    总结和推荐


    HEXFET Power MOSFET 凭借其低导通电阻、高可靠性以及环保特性,成为市场上非常受欢迎的产品。适用于各种高功率密度应用场合。如果你正在寻找一个高性能、高效且易于集成的MOSFET,这款产品将是理想的选择。
    推荐使用:强烈推荐使用这款产品,尤其是对于需要高效率和高功率密度的应用场景。

IRLHS6376TRPBF参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 30V
通道数量 2
Rds(On)-漏源导通电阻 63mΩ@ 3.4A,4.5V
最大功率耗散 1.5W
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 270pF@25V
Vgs-栅源极电压 12V
Id-连续漏极电流 3.6A
FET类型 2个N沟道
栅极电荷 2.8nC@ 4.5V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.1V@ 10µA
配置
长*宽*高 2mm*2mm*900μm
通用封装 PQFN-6
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

IRLHS6376TRPBF厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

IRLHS6376TRPBF数据手册

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INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) INFINEON TECHNOLOGIES IRLHS6376TRPBF IRLHS6376TRPBF数据手册

IRLHS6376TRPBF封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
4000+ $ 0.1626 ¥ 1.4261
8000+ $ 0.1584 ¥ 1.3889
12000+ $ 0.1555 ¥ 1.3641
20000+ $ 0.1405 ¥ 1.2319
28000+ $ 0.1331 ¥ 1.1669
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起订量: 4000 增量: 4000
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