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IRFHM8363TRPBF

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 2.7W 20V 2.35V@ 25µA 15nC@ 10V 2个N沟道 30V 14.9mΩ@ 10A,10V 11A 1.165nF@10V QFN 贴片安装 3.3mm*3.3mm*1mm
供应商型号: UNP-IRFHM8363TRPBF
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) IRFHM8363TRPBF

IRFHM8363TRPBF概述

    HEXFET Power MOSFET 技术手册

    产品简介


    HEXFET Power MOSFET 是一种高性能的电源开关器件,广泛应用于高频率降压转换器的功率级和电池保护电路中的充电和放电开关。该器件具备低导通电阻和高可靠性等特点,适用于多种工业应用场合。

    技术参数


    HEXFET Power MOSFET 的主要技术规格如下:
    - 漏源电压(VDS): 30V
    - 栅源电压(VGS max): ±20V
    - 最大连续漏极电流(ID):
    - @TA = 25°C:10A
    - @TA = 70°C:8.6A
    - 静态导通电阻(RDS(on) max):
    - @VGS = 10V: 14.9mΩ
    - @VGS = 4.5V: 20.4mΩ
    - 总栅极电荷(Qg typ): 6.7nC
    - 封装类型: PQFN Dual 3.3x3.3 mm
    - 绝对最大额定值:
    - 漏源电压(VDS): 30V
    - 栅源电压(VGS): ±20V
    - 连续漏极电流(ID):
    - @TA = 25°C: 10A
    - @TA = 70°C: 8.6A
    - @TC(Bottom) = 25°C: 10A
    - @TC(Bottom) = 100°C: 29.1A
    - 脉冲漏极电流(IDM): 116A
    - 功率耗散(PD):
    - @TA = 25°C: 11W
    - @TC(Bottom) = 25°C: 11W
    - 温度系数(Linear Derating Factor): 0.02W/°C
    - 操作温度范围(TJ): -55°C 至 +150°C

    产品特点和优势


    1. 低热阻至PCB: 热阻低于6.7°C/W,有助于更好地散热。
    2. 低轮廓: 尺寸小于1.0mm,提高功率密度。
    3. 行业标准引脚布局: 多供应商兼容,易于制造。
    4. 无铅环保: 符合RoHS标准,不含有铅、溴化物和卤素,更加环保。
    5. 工业级认证: 提高了可靠性和耐用性。

    应用案例和使用建议


    HEXFET Power MOSFET 在高频率降压转换器的功率级中表现出色,特别是在电池保护应用中,如充电和放电开关。使用时需要注意以下几点:
    - 在高温环境下使用时,应注意最大连续漏极电流会有所降低。
    - 设计电路时要考虑到散热问题,确保良好的热管理。

    兼容性和支持


    HEXFET Power MOSFET 与现有的表面贴装工艺兼容,便于集成到现有系统中。制造商提供了详尽的技术支持文档和售后服务,包括在线资料库和专业的技术支持团队。

    常见问题与解决方案


    1. Q: 如何确定器件的最大工作温度?
    - A: 参考数据表中的绝对最大额定值部分,具体温度由环境条件决定。

    2. Q: 如何测量器件的栅极电荷?
    - A: 可通过Gate Charge Test Circuit 来测量,详见手册中的测试电路图。

    3. Q: 如何处理过高的漏极电流?
    - A: 适当增加栅极电阻,减小电流上升速度,避免器件损坏。

    总结和推荐


    总体来看,HEXFET Power MOSFET 是一款性能优异、可靠性高的电源开关器件,特别适合于高频电源管理和电池保护应用。由于其出色的应用表现和广泛的兼容性,我们强烈推荐将其用于需要高效率和可靠性的场合。

IRFHM8363TRPBF参数

参数
通道数量 2
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.35V@ 25µA
栅极电荷 15nC@ 10V
Id-连续漏极电流 11A
Vds-漏源极击穿电压 30V
FET类型 2个N沟道
配置
最大功率耗散 2.7W
Rds(On)-漏源导通电阻 14.9mΩ@ 10A,10V
Vgs-栅源极电压 20V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 1.165nF@10V
长*宽*高 3.3mm*3.3mm*1mm
通用封装 QFN
安装方式 贴片安装
零件状态 新设计不推荐
包装方式 卷带包装

IRFHM8363TRPBF厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

IRFHM8363TRPBF数据手册

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IRFHM8363TRPBF封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ $ 0.3257 ¥ 2.7518
1930+ $ 0.3 ¥ 2.535
库存: 1930
起订量: 37 增量: 1
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最小起订量为:1
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