处理中...

首页  >  产品百科  >  IPU60R2K1CEBKMA1

IPU60R2K1CEBKMA1

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 22W(Tc) 20V 3.5V@ 60µA 6.7nC@ 10 V 1个N沟道 600V 2.1Ω@ 760mA,10V 3.7A 140pF@100V TO-251 通孔安装
供应商型号: CY-IPU60R2K1CEBKMA1
供应商: Avnet
标准整包数: 1
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) IPU60R2K1CEBKMA1

IPU60R2K1CEBKMA1概述


    产品简介


    IPD60R2K1CE 和 IPU60R2K1CE 产品
    类型: MOSFET 功率晶体管
    主要功能: 高电压超级结(Superjunction)功率 MOSFET,适用于电源管理和开关应用
    应用领域: PFC 阶段、硬开关 PWM 阶段和谐振开关阶段,例如 PC Silverbox、适配器、LCD 和 PDP 电视以及室内照明。

    技术参数


    关键性能参数:
    - 最大漏源击穿电压 (VDS): 650 V
    - 最大导通电阻 (RDS(on)): 2100 mΩ
    - 连续漏极电流 (ID): 3.7 A
    - 典型栅源电荷 (Qg.typ): 6.7 nC
    - 脉冲漏极电流 (ID,pulse): 6 A
    - 反向输出电荷存储能量 (Eoss@400V): 0.76 µJ
    最大额定值:
    - 连续漏极电流 (ID): 2.4 A @ TC=25°C, 3.7 A @ TC=100°C
    - 脉冲漏极电流 (ID,pulse): 6 A @ TC=25°C
    - 雪崩能量 (EAS): 单脉冲 11 mJ @ ID=0.4A, VDD=50V
    - 热阻 (RthJC): 3.26 °C/W
    - 存储温度 (Tstg): -40°C 到 150°C

    产品特点和优势


    - 低损耗: 极低的 FOM(RdsonQg)和 Eoss 值
    - 高鲁棒性: 能够承受极高的雪崩能量和高dv/dt电压
    - 易于使用/驱动: 具备出色的栅极驱动特性
    - 无铅电镀和无卤素封装: 环保友好
    - 标准化应用认证: 适合标准级应用

    应用案例和使用建议


    应用场景:
    - PFC 阶段: 用于提高电源转换效率。
    - 硬开关 PWM 阶段: 在高频开关电路中实现高效能。
    - 谐振开关阶段: 适用于电源适配器、电视和其他电子设备中的开关电源设计。
    使用建议:
    - 并联 MOSFET: 推荐使用磁珠或分立的推拉结构来减少栅极并联时的影响。
    - 高温应用: 注意由于热阻较高,需要采取有效的散热措施。
    - 开关频率: 需要匹配适合的栅极电阻以控制开关时间和降低损耗。

    兼容性和支持


    - 兼容性: 与标准级应用兼容。
    - 支持: 可访问 Infineon Technologies 的官方网站获取更多信息、应用笔记、仿真模型和设计工具。

    常见问题与解决方案


    问题1: 导通电阻 (RDS(on)) 在高温下的表现如何?
    解决方案: 高温下,RDS(on) 会增加。通过选择合适的散热方案可以有效控制温度。
    问题2: 如何处理并联 MOSFET 时的不平衡问题?
    解决方案: 使用磁珠或者分立的推拉结构来平衡并联的 MOSFET。
    问题3: 如何确保高可靠性?
    解决方案: 注意避免超过额定的雪崩能量和 dv/dt,确保正确的驱动条件和散热措施。

    总结和推荐


    综合评估:
    - 优点:
    - 低损耗和高效率
    - 优异的高温稳定性和鲁棒性
    - 便于使用和驱动
    - 环保的材料和工艺
    推荐使用:
    - 适合广泛的消费电子产品和照明应用。
    - 价格性能比优秀,特别适用于成本敏感的应用场景。
    结论: 这款产品在众多应用场景中表现出色,特别是在电源管理和开关应用中具有明显的优势。对于希望实现高效能和低成本设计的工程师来说,这款 MOSFET 是一个不错的选择。

IPU60R2K1CEBKMA1参数

参数
Vgs-栅源极电压 20V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 140pF@100V
Id-连续漏极电流 3.7A
通道数量 -
栅极电荷 6.7nC@ 10 V
最大功率耗散 22W(Tc)
Vds-漏源极击穿电压 600V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V@ 60µA
Rds(On)-漏源导通电阻 2.1Ω@ 760mA,10V
配置 -
FET类型 1个N沟道
6.73mm(Max)
2.41mm(Max)
6.22mm(Max)
通用封装 TO-251
安装方式 通孔安装
零件状态 停产
包装方式 管装

IPU60R2K1CEBKMA1厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

IPU60R2K1CEBKMA1数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) INFINEON TECHNOLOGIES IPU60R2K1CEBKMA1 IPU60R2K1CEBKMA1数据手册

IPU60R2K1CEBKMA1封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
500+ $ 0.1252 ¥ 1.0778
1000+ $ 0.1217 ¥ 1.0284
5000+ $ 0.1217 ¥ 1.0284
库存: 5353
起订量: 928 增量: 1
交货地:
最小起订量为:500
合计: ¥ 538.9
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
04N80C3-VB TO220F ¥ 10.7639
05N03LB-VB TO220 ¥ 2.3325
06N06L ¥ 0.253
09N50I-VB ¥ 4.2759
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.3633
15N10 ¥ 0.396
15N10 ¥ 0.336