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IPB45N06S4L08ATMA3

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: Infineon N沟道增强型MOS管 OptiMOS-T2系列, Vds=60 V, 45 A, D2PAK (TO-263)封装, 表面贴装, 3引脚
供应商型号: IPB45N06S4L08ATMA3
供应商: 国内现货
标准整包数: 1
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) IPB45N06S4L08ATMA3

IPB45N06S4L08ATMA3概述

    IPB45N06S4L-08 N-Channel MOSFET 技术手册

    产品简介


    IPB45N06S4L-08 是一款由 Infineon Technologies 生产的增强型 N-通道功率 MOSFET,采用 OptiMOS®-T2 技术。这类 MOSFET 以其卓越的开关性能、高可靠性及广泛的适用性而著称。主要功能是用于电源转换、马达控制和负载开关等应用场景。由于其出色的电气特性和工作温度范围,它非常适合工业、汽车以及消费电子领域。

    技术参数


    | 参数名称 | 符号 | 条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    | :: | :: | :: | :: | :: | :: | :: |
    | 连续漏极电流 | ID | TC=25°C, VGS=10V | - | 45 | - | A |
    | 脉冲漏极电流 | ID,pulse | TC=25°C | - | 180 | - | A |
    | 雪崩能量(单脉冲) | EAS | ID=22.5A | - | 97 | - | mJ |
    | 雪崩电流(单脉冲) | IAS | - | - | - | 45 | A |
    | 栅源电压 | VGS | - | - | ±16 | - | V |
    | 功率耗散 | Ptot | TC=25°C | - | 71 | - | W |
    | 工作和存储温度 | Tj, Tstg | - | -55 | - | +175 | °C |

    产品特点和优势


    1. 增强型 N-通道设计:IPB45N06S4L-08 采用增强型 N-通道设计,使其能够提供优异的开关性能。
    2. AEC-Q101 合格:符合汽车电子标准,适用于对可靠性和性能要求较高的应用。
    3. MSL1 标准:最高回流峰值温度可达 260°C,适用于复杂高温焊接工艺。
    4. 绿色产品(RoHS 兼容):符合环保标准,适用于各类安全和环保要求严格的市场。
    5. 100% 雪崩测试:确保在恶劣条件下的长期稳定运行。
    6. 低导通电阻:在 10V 栅源电压下,典型导通电阻为 7.9 mΩ,提供高效能电能转换。

    应用案例和使用建议


    1. 电源转换:在高频逆变器和开关电源中,IPB45N06S4L-08 可以显著提高效率并减少热损耗。
    2. 马达控制:适用于电动汽车、工业机器人等需要高性能电机驱动的应用。
    3. 负载开关:适合工业自动化设备中的负载开关电路,提供快速响应和高可靠性。
    使用建议:
    - 在选择驱动器时,应根据数据手册中的栅极电荷参数合理配置,避免过载。
    - 在高温环境下使用时,建议降低工作电流,以避免热失控风险。

    兼容性和支持


    IPB45N06S4L-08 可与其他各种标准封装的 MOSFET 设备兼容,确保与现有系统无缝集成。Infineon Technologies 提供详尽的技术支持文档和在线咨询服务,帮助客户解决使用过程中遇到的问题。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:安装时出现失效。
    - 解决方案:检查焊接温度是否超过规格限制,确保正确的焊接条件。

    2. 问题:使用过程中发热严重。
    - 解决方案:检查散热片是否正确安装,保证良好的热管理。

    3. 问题:电路无法正常工作。
    - 解决方案:验证电路连接是否正确,检查是否存在外部干扰或故障。

    总结和推荐


    IPB45N06S4L-08 是一款高性能、高可靠性的 N-通道 MOSFET,特别适用于高要求的应用场景,如工业控制、汽车电子和消费电子产品。其优良的电气特性和广泛的工作温度范围使其成为市场上同类产品中的佼佼者。我们强烈推荐此产品,特别是对高性能和高可靠性有严格要求的项目。
    更多详细信息和技术支持,请访问 Infineon Technologies 官网。

IPB45N06S4L08ATMA3参数

参数
Id-连续漏极电流 45A
FET类型 1个N沟道
通道数量 -
Rds(On)-漏源导通电阻 7.9mΩ@ 45A,10V
Vgs-栅源极电压 16V
Vds-漏源极击穿电压 60V
最大功率耗散 71W(Tc)
栅极电荷 64nC@ 10 V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 4.78nF@25V
配置 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.2V@ 35µA
通用封装 TO-263
安装方式 贴片安装
应用等级 汽车级
包装方式 卷带包装

IPB45N06S4L08ATMA3厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

IPB45N06S4L08ATMA3数据手册

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IPB45N06S4L08ATMA3封装设计

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