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AUIRF1405

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 330W(Tc) 20V 4V@ 250µA 260nC@ 10 V 1个N沟道 55V 5.3mΩ@ 101A,10V 75A 5.48nF@25V TO-220AB 通孔安装 10mm*4.4mm*15.65mm
供应商型号: CY-AUIRF1405
供应商: Avnet
标准整包数: 1
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) AUIRF1405

AUIRF1405概述

    HEXFET® Power MOSFET — AUIRF1405 技术手册

    1. 产品简介


    HEXFET® Power MOSFET(场效应晶体管)是国际整流器公司(International Rectifier)的一种高端产品。AUIRF1405 是一种特定设计用于汽车应用的N沟道HEXFET®功率MOSFET。它采用了条形平面设计技术,结合了低导通电阻和快速开关速度的优势,使得这款MOSFET成为汽车及其它多种应用中的理想选择。AUIRF1405 的主要特点包括低漏极-源极击穿电压、高耐压能力以及优异的热稳定性。

    2. 技术参数


    - 电气特性:
    - 最大漏极-源极击穿电压 (V(BR)DSS):55V
    - 静态漏极-源极导通电阻 (RDS(on)):典型值 4.6mΩ,最大值 5.3mΩ
    - 持续漏极电流 (ID @ TC = 25°C):169A(硅片限制)
    - 脉冲漏极电流 (IDM):75A
    - 最大功耗 (PD @ TC = 25°C):5.0W
    - 门极-源极电压 (VGS):±20V
    - 单脉冲雪崩能量 (EAS):1500mJ
    - 复发雪崩能量 (EAR):380nJ
    - 环境参数:
    - 操作结温和存储温度范围 (TJ, TSTG):-55°C 到 +175°C
    - 最大焊接温度:300°C(距离外壳1.6mm)
    - 安装扭矩:10 lbf·in (1.1N·m)
    - 热阻:RθJC = 0.45°C/W;RθCS = 0.50°C/W;RθJA = 62°C/W

    3. 产品特点和优势


    - 高效能:AUIRF1405 具备低漏极-源极导通电阻,这不仅降低了导通损耗,还提高了系统的整体效率。
    - 高速开关:出色的开关性能使其适用于需要快速响应的应用场合。
    - 高可靠性:设计坚固可靠,可在恶劣环境下长期稳定运行。
    - 适用广泛:适用于各种类型的电路,特别是在汽车、工业控制和电源转换系统中表现尤为出色。

    4. 应用案例和使用建议


    AUIRF1405 主要应用于汽车系统,例如电动车辆的电机驱动、逆变器和电源管理模块。此外,也适合于需要高效率和低损耗的工业自动化控制系统。对于使用该器件的设计,应注意以下几点:
    - 散热设计:由于器件具有较高的功耗,需要确保良好的散热措施以维持长期稳定的工作。
    - 电路布局:合理的电路布局有助于减少寄生电感和杂散电容,提高整体性能。
    - 负载匹配:确保输出负载与器件特性相匹配,避免过载情况发生。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:AUIRF1405 与多种标准驱动器兼容,便于集成到现有系统中。
    - 支持服务:国际整流器公司提供详尽的技术文档、应用程序指南以及专业的技术支持服务,以帮助客户解决问题和优化设计。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题1:器件过热导致失效
    - 解决方案:增加散热片或使用更好的散热方法,如水冷或强制风冷。
    - 问题2:门极电压波动导致误触发
    - 解决方案:增加门极电阻,减小门极电容,以降低干扰。
    - 问题3:开关时间不稳定
    - 解决方案:检查电源稳定性,确保输入电压在规定范围内。

    7. 总结和推荐


    AUIRF1405 是一款高性能的N沟道HEXFET®功率MOSFET,适用于各种严苛环境下的应用需求。它以其高效的性能、卓越的可靠性和广泛的适用性,在市场上具有较强的竞争力。无论是汽车行业还是工业控制系统,AUIRF1405 都是值得信赖的选择。强烈推荐给寻求高性能、高可靠性的电子元器件应用开发者和设计师。

AUIRF1405参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 5.48nF@25V
栅极电荷 260nC@ 10 V
Id-连续漏极电流 75A
最大功率耗散 330W(Tc)
通道数量 1
配置 独立式
Vgs-栅源极电压 20V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4V@ 250µA
FET类型 1个N沟道
Vds-漏源极击穿电压 55V
Rds(On)-漏源导通电阻 5.3mΩ@ 101A,10V
长*宽*高 10mm*4.4mm*15.65mm
通用封装 TO-220AB
安装方式 通孔安装
应用等级 汽车级
零件状态 停产
包装方式 管装

AUIRF1405厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

AUIRF1405数据手册

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INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) INFINEON TECHNOLOGIES AUIRF1405 AUIRF1405数据手册

AUIRF1405封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
50+ $ 1.5233 ¥ 12.9878
100+ $ 1.4958 ¥ 12.8719
300+ $ 1.4821 ¥ 12.7559
500+ $ 1.4684 ¥ 12.6399
1000+ $ 1.4272 ¥ 12.0601
5000+ $ 1.4272 ¥ 12.0601
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