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IPG20N06S4L26ATMA1

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: Infineon N沟道MOS管, Vds=60 V, 20 A, SuperSO8 5 x 6封装, 表面贴装, 8引脚
供应商型号: IPG20N06S4L26ATMA1
供应商: 国内现货
标准整包数: 5
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) IPG20N06S4L26ATMA1

IPG20N06S4L26ATMA1概述

    # IPG20N06S4L-26 OptiMOS™-T2 Power Transistor 技术手册

    产品简介


    IPG20N06S4L-26 是一款由 Infineon Technologies AG 生产的 OptiMOS™-T2 功率晶体管,专为高效率和高性能的应用而设计。该产品属于双通道 N 沟道逻辑电平增强模式器件,适用于汽车和其他严苛环境下的应用。它的主要功能是作为电源开关或功率转换器中的关键组件。

    技术参数


    | 参数 | 符号 | 条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    ||
    | 持续漏极电流 | ID | TC=25 °C, VGS=10 V 20 A |
    | 脉冲漏极电流 | ID,pulse | - 80 A |
    | 击穿电压 | V(BR)DSS | VGS=0 V, ID=1 mA 60 V |
    | 门限电压 | VGS(th) | VDS=VGS, ID=10μA | 1.2 | 1.7 | 2.2 | V |
    | 零门限电压漏极电流 | IDSS | VDS=60 V, VGS=0 V 0.01 | 1 | μA |
    | 开态电阻 | RDS(on) | VGS=4.5 V, ID=10 A 31 | 46 | mΩ |
    | 热阻 | RthJC | - 4.5 K/W |
    | 反向恢复时间 | trr | VR=30 V, IF=IS 33 ns |

    产品特点和优势


    1. AEC-Q101认证:该产品符合汽车电子协会的标准,适用于汽车电子系统。
    2. 高温耐受性:最高可达175°C的工作温度和MSL1级别的峰值回流温度(260°C),使得它能够在极端环境中稳定运行。
    3. 环保设计:产品为无卤素材料,符合RoHS标准,是一款绿色产品。
    4. 高可靠性:经过100%雪崩测试,保证其高可靠性和稳定性。
    5. 增强的热管理:具备出色的热阻性能,确保在高电流条件下仍能保持低温升。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 汽车电子系统:作为电池管理系统或电机控制中的关键组件。
    - 工业控制系统:用于逆变器或电机驱动装置中。
    - 电源管理:作为开关电源中的核心元件,提高电源转换效率。
    使用建议
    1. 在高温环境下使用时,需注意散热措施,如增加散热片或采用风扇辅助冷却。
    2. 设计电路时应考虑电源的瞬态保护,避免过高电压对器件造成损害。
    3. 为防止寄生效应,PCB布局时应注意合理布局,减少寄生电容的影响。

    兼容性和支持


    - 兼容性:IPG20N06S4L-26 支持多种标准封装和引脚配置,易于与其他电子元件集成。
    - 支持和维护:Infineon Technologies 提供详尽的技术文档和客户支持服务,包括应用指南和技术咨询。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:器件在高温下出现异常现象。
    解决方案:检查散热措施是否到位,确保热阻性能满足要求。
    2. 问题:器件启动时不稳定。
    解决方案:检查电路设计是否正确,确认各连接点接触良好。
    3. 问题:击穿电压不符合预期。
    解决方案:确保器件在规定的工作电压范围内使用,并采取适当的保护措施。

    总结和推荐


    综上所述,IPG20N06S4L-26 OptiMOS™-T2 功率晶体管凭借其高可靠性和优良的热管理能力,在汽车电子、工业控制和电源管理等领域具有广泛的应用前景。其独特的设计和卓越的性能使其成为上述领域内的优选产品。我们强烈推荐此款产品用于需要高可靠性及优异性能的应用场合。

IPG20N06S4L26ATMA1参数

参数
Id-连续漏极电流 20A
通道数量 2
Vds-漏源极击穿电压 60V
Vgs-栅源极电压 16V
最大功率耗散 33W
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.2V@ 10µA
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 1.43nF@25V
栅极电荷 20nC@ 10V
Rds(On)-漏源导通电阻 26mΩ@ 17A,10V
FET类型 2个N沟道
配置
长*宽*高 5.15mm*5.9mm*1mm
安装方式 贴片安装
应用等级 汽车级
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

IPG20N06S4L26ATMA1厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

IPG20N06S4L26ATMA1数据手册

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IPG20N06S4L26ATMA1封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 5.202
100+ ¥ 4.9424
250+ ¥ 4.6963
500+ ¥ 4.4591
5000+ ¥ 3.4176
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