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IPB032N10N5ATMA1

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N沟道MOS管, Vds=100 V, 166 A, PG-TO263-7封装, 表面贴装
供应商型号: 11M-D-IPB032N10N5ATMA1
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) IPB032N10N5ATMA1

IPB032N10N5ATMA1概述

    IPB032N10N5 MOSFET 技术手册

    产品简介


    IPB032N10N5 是一款来自 Infineon Technologies 的 OptiMOS™ 5 功率晶体管,具有 100V 的耐压能力。这是一款 N 沟道功率 MOSFET,特别适用于高频开关和同步整流应用。产品特点包括极低的导通电阻、出色的栅极电荷和 RDS(on) 乘积,使其成为高效能电路设计的理想选择。

    技术参数


    - 主要规格:
    - 耐压电压(VDS):100V
    - 最大导通电阻(RDS(on)):3.2mΩ
    - 连续漏极电流(ID):166A
    - 输出电容(Coss):98nC
    - 栅极电荷(Qg(0V..10V)):76nC
    - 工作条件:
    - 最大漏极脉冲电流(ID,pulse):664A(TC=25°C)
    - 最大功耗(Ptot):187W(TC=25°C)
    - 热特性:
    - 结温至外壳的热阻(RthJC):0.5 - 0.8K/W
    - 结温至环境的最小封装热阻(RthJA):62K/W
    - 结温至环境的最大封装热阻(RthJA, 6cm² 冷却面积):40K/W

    产品特点和优势


    - 高效率:非常低的导通电阻和优化的栅极电荷使 IPB032N10N5 在高频开关应用中表现出色。
    - 优异的温度稳定性:良好的热性能确保了宽温度范围内的稳定工作。
    - 环保材料:无铅电镀,符合 RoHS 和 Halogen-Free 标准,满足现代电子产品的环保要求。
    - 高可靠性:经过 100% 的雪崩测试,确保长期稳定可靠的工作。

    应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 同步整流:IPB032N10N5 在同步整流应用中表现出色,尤其是在高频开关电源中,能够显著提高效率。
    - 高频率开关:由于其低栅极电荷和低导通电阻,非常适合用于需要高开关频率的应用,如电机驱动和变频器。
    使用建议:
    - 散热管理:考虑到其高功率密度,建议使用良好的散热措施,例如加装散热片或使用风扇进行主动冷却。
    - 驱动电路设计:使用合适的驱动电路可以进一步降低损耗,建议采用专门的驱动芯片来优化性能。

    兼容性和支持


    - 兼容性:IPB032N10N5 可以与其他标准 D²-PAK 封装的 MOSFET 兼容,便于替换现有设计。
    - 技术支持:Infineon Technologies 提供详尽的技术文档和支持服务,包括在线应用指南和技术咨询。

    常见问题与解决方案


    - 问题 1:温度过高的解决方案:增加散热片或者采用外部冷却装置以提高热管理效果。
    - 问题 2:开关损耗大的解决方案:优化驱动电路,减少开关损耗,使用更低栅极电荷的产品。
    - 问题 3:漏电流问题:确保电路正确接地,避免静电放电损坏产品。

    总结和推荐


    总体而言,IPB032N10N5 MOSFET 是一款高性能、高可靠性的功率晶体管,特别适合于高频开关和同步整流应用。其极低的导通电阻和优秀的热性能使其在市场上具有很强的竞争优势。因此,我们强烈推荐此产品给寻求高性能、高效率解决方案的设计工程师们。

    通过上述分析,可以看出 IPB032N10N5 MOSFET 在多种应用中都有卓越的表现。希望本文所提供的详细信息能够帮助您更好地理解和应用这一优质的产品。

IPB032N10N5ATMA1参数

参数
通道数量 1
Vds-漏源极击穿电压 100V
最大功率耗散 187W(Tc)
栅极电荷 95nC@ 10 V
FET类型 1个N沟道
配置 独立式
Vgs-栅源极电压 20V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.8V@ 125µA
Id-连续漏极电流 166A
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 6.97nF@50V
Rds(On)-漏源导通电阻 3.2mΩ@ 83A,10V
通用封装 TO-263
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

IPB032N10N5ATMA1厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

IPB032N10N5ATMA1数据手册

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INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) INFINEON TECHNOLOGIES IPB032N10N5ATMA1 IPB032N10N5ATMA1数据手册

IPB032N10N5ATMA1封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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10+ ¥ 32.0842
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500+ ¥ 22.459
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