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IRLR2703TRPBF

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: Infineon N沟道MOS管 HEXFET系列, Vds=30 V, 23 A, DPAK (TO-252)封装, 表面贴装, 3引脚
供应商型号: Q-IRLR2703TRPBF
供应商: 国内现货
标准整包数: 3000
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) IRLR2703TRPBF

IRLR2703TRPBF概述

    高质量文章:HEXFET第五代MOSFET电子元器件技术手册解析

    1. 产品简介


    HEXFET第五代MOSFET是由International Rectifier(国际整流器公司)开发的第五代高压功率金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。它适用于多种表面安装和直插式安装的应用,如电源管理、电机控制、汽车电子系统等领域。这款MOSFET具有逻辑级门驱动、超低导通电阻、高速开关、完全雪崩击穿等特点。

    2. 技术参数


    以下是HEXFET第五代MOSFET的关键技术规格和性能参数:
    - 漏源极连续电流(ID@TC=25°C):23A(VGS@10V)
    - 漏源极连续电流(ID@TC=100°C):16A(VGS@10V)
    - 脉冲漏极电流(IDM):96A
    - 最大功率耗散(PD@TC=25°C):45W
    - 结至环境热阻(RθJA):110°C/W
    - 栅源电压(VGS):±16V
    - 单脉冲雪崩能量(EAS):77mJ
    - 雪崩电流(IAR):14A
    - 重复雪崩能量(EAR):4.5mJ
    - 峰值二极管恢复电压变化率(dv/dt):5.0V/ns
    - 工作温度范围(TJ):-55°C 至 +175°C
    - 存储温度范围(TSTG):-65°C 至 +150°C
    - 焊接温度:300°C(1.6mm从外壳)
    - 静态漏源导通电阻(RDS(on)@VGS=10V, ID=14A):0.045Ω
    - 输入电容(Ciss@VGS=0V):450pF
    - 输出电容(Coss@VDS=25V):210pF
    - 反向传输电容(Crss@f=1.0MHz):110pF

    3. 产品特点和优势


    HEXFET第五代MOSFET的主要特点和优势如下:
    - 逻辑级门驱动:简化电路设计,提高系统的可靠性和稳定性。
    - 超低导通电阻:降低功耗,提高能效。
    - 快速开关:减少开关损耗,提高效率。
    - 先进工艺技术:确保产品具有卓越的性能和高可靠性。
    - 全面雪崩击穿测试:保证在极端条件下仍能正常工作。
    - 高温度适应性:在宽泛的工作温度范围内保持稳定的性能。

    4. 应用案例和使用建议


    HEXFET第五代MOSFET在各种电力转换和电机控制应用中表现出色,特别是在高频应用中表现尤为突出。具体应用实例包括:
    - 电源管理系统:用于DC-DC转换器和线性稳压器,以提供高效和可靠的电源供应。
    - 电机控制系统:通过高效的电流控制实现精确的速度和扭矩控制。
    - 汽车电子系统:适用于各种汽车电子模块,如电池管理系统和牵引逆变器。
    建议用户在选择合适的产品时,需要根据具体应用的要求来确定所需的电气特性和性能参数,以确保最佳匹配和性能。

    5. 兼容性和支持


    HEXFET第五代MOSFET具有良好的兼容性,可与其他电子元器件和设备配合使用。此外,International Rectifier公司提供了详尽的技术支持和售后服务,包括产品文档、技术支持热线、在线论坛和客户服务中心,以帮助用户解决使用过程中遇到的问题。

    6. 常见问题与解决方案


    针对HEXFET第五代MOSFET常见的问题及其解决方案如下:
    - 问题:产品过热
    - 解决方案:检查散热设计是否合理,确保良好的热传导和散热途径,必要时添加外部散热器。
    - 问题:开关频率异常
    - 解决方案:重新评估驱动电路,确保正确的驱动信号和门极电阻值。
    - 问题:漏源电压过高
    - 解决方案:检查电路设计,确认所有连接正确无误,并考虑增加缓冲电路以保护器件。

    7. 总结和推荐


    总体而言,HEXFET第五代MOSFET是一款性能优越、应用广泛的电子元器件。它具有逻辑级门驱动、超低导通电阻、快速开关等特点,特别适合应用于电源管理和电机控制领域。考虑到其卓越的性能和可靠的支持服务,强烈推荐在相关项目中使用该产品。

IRLR2703TRPBF参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1V@ 250µA
Id-连续漏极电流 23A
FET类型 1个N沟道
通道数量 1
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 450pF@25V
最大功率耗散 45W(Tc)
Rds(On)-漏源导通电阻 45mΩ@ 14A,10V
Vgs-栅源极电压 16V
Vds-漏源极击穿电压 30V
配置 独立式
栅极电荷 15nC@ 4.5 V
长*宽*高 6.5mm*6.22mm*2.3mm
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

IRLR2703TRPBF厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

IRLR2703TRPBF数据手册

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INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) INFINEON TECHNOLOGIES IRLR2703TRPBF IRLR2703TRPBF数据手册

IRLR2703TRPBF封装设计

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6000+ ¥ 2.6312
9000+ ¥ 2.53
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