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BCR 119 E6433

产品分类: 三极管(BJT)
产品描述: NPN - Pre-Biased 100nA 50V 100mA 贴片安装
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标准整包数: 0
INFINEON TECHNOLOGIES 三极管(BJT) BCR 119 E6433

BCR 119 E6433概述

    电子元器件技术手册:BCR119 系列 NPN 硅数字晶体管

    产品简介


    BCR119 是一款 NPN 硅数字晶体管,适用于多种电路设计,如开关电路、反相器、接口电路和驱动电路。它的内部集成了一个电阻(R1=4.7 kΩ),使得装配更为简单。特别的是,BCR119S 版本将两个内部隔离的晶体管封装在一个多芯片封装内,确保良好的匹配度。此外,该产品符合无铅标准(RoHS 合规)并已通过 AEC Q101 认证。

    技术参数


    - 最大额定值
    - 集电极-发射极电压 \( V{CEO} \): 50 V
    - 集电极-基极电压 \( V{CBO} \): 50 V
    - 输入正向电压 \( V{i(fwd)} \): 30 V
    - 输入反向电压 \( V{i(rev)} \): 5 V
    - 直流集电极电流 \( IE \): 100 mA
    - 功率耗散 (BCR119, TS ≤ 102°C): 200 mW
    - 功率耗散 (BCR119F, TS ≤ 128°C): 250 mW
    - 功率耗散 (BCR119S, TS ≤ 115°C): 250 mW
    - 功率耗散 (BCR119W, TS ≤ 124°C): 250 mW
    - 结温 \( Tj \): 150 °C
    - 存储温度 \( T{stg} \): -65 ... 150 °C
    - 结到焊接点的热阻 (BCR119): ≤ 240 K/W
    - 结到焊接点的热阻 (BCR119F): ≤ 90 K/W
    - 结到焊接点的热阻 (BCR119S): ≤ 140 K/W
    - 结到焊接点的热阻 (BCR119W): ≤ 105 K/W
    - 电气特性
    - 集电极-发射极击穿电压 \( V(BR)CEO \): 50 V
    - 集电极-基极击穿电压 \( V(BR)CBO \): 50 V
    - 集电极-基极截止电流 \( I{CBO} \): - - 100 nA
    - 发射极-基极截止电流 \( I{EBO} \): - - 100 nA
    - 直流电流增益 \( h{FE} \): 120 - 630
    - 集电极-发射极饱和电压 \( V{CEsat} \): - - 0.3 V
    - 输入关断电压 \( V{i(off)} \): 0.4 - 0.8 V
    - 输入接通电压 \( V{i(on)} \): 0.5 - 1.1 V
    - 输入电阻 \( R1 \): 3.2 - 4.7 - 6.2 kΩ
    - 转换频率 \( fT \): 150 MHz

    产品特点和优势


    BCR119 系列的主要特点包括:
    - 内置电阻简化装配。
    - BCR119S 版本提供双晶体管且匹配良好,适用于需要隔离的应用。
    - 符合 RoHS 标准和 AEC Q101 认证,确保环保和可靠性。
    - 广泛的工作温度范围,确保在恶劣环境下仍能稳定工作。
    这些特点使 BCR119 在多个领域表现出色,如汽车电子、工业控制和消费电子。

    应用案例和使用建议


    - 开关电路:BCR119 系列非常适合用于电源管理系统的开关电路,能够高效地切换高电流负载。
    - 接口电路:在微处理器和传感器之间的接口电路中,BCR119 可以作为逻辑电平转换器使用。
    - 驱动电路:在电机驱动和其他功率驱动电路中,BCR119 的高电流能力可以确保可靠的操作。
    使用建议:
    - 散热管理:由于 BCR119 在高电流条件下工作时会产生大量热量,建议使用散热片或散热器以保持安全工作温度。
    - 信号完整性:在高频应用中,考虑使用适当的布局和技术来减少寄生效应,从而提高信号传输质量。

    兼容性和支持


    BCR119 系列可与多种电子设备兼容,并且由 Infineon Technologies AG 提供全面的技术支持和售后服务。用户可以通过 Infineon 的官方网站获得详细的技术文档和支持服务。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:在高温环境下工作时,晶体管的性能如何?
    - 解决方案:查阅热阻参数,确保工作环境不会超过推荐的最大温度。在必要时使用散热器或散热片。
    2. 问题:输入电压范围过窄,影响正常操作怎么办?
    - 解决方案:检查电源电压是否稳定,并根据电气特性表调整输入电压,确保在其工作范围内。
    3. 问题:长时间使用后出现性能下降怎么办?
    - 解决方案:定期进行性能测试,一旦发现异常及时更换晶体管。保持良好的维护习惯,确保长期稳定运行。

    总结和推荐


    BCR119 系列是一款高性能的 NPN 硅数字晶体管,具备广泛的电气特性和可靠的性能。它在多种应用场合中表现优异,尤其是对于需要集成化和高可靠性的电子系统。尽管其价格可能略高于其他同类产品,但其卓越的性能和广泛的应用范围使其成为设计师的理想选择。
    推荐使用:如果您正在寻找一款具有高度集成性、良好匹配性和广泛温度适应性的晶体管,BCR119 系列是一个值得推荐的选择。

BCR 119 E6433参数

参数
晶体管类型 NPN - Pre-Biased
配置 -
最大功率耗散 -
VEBO-最大发射极基极电压 -
最大集电极发射极饱和电压 0.3@ 500µA,10mA
集电极电流 100mA
VCBO-最大集电极基极电压 -
不同 Ib,Ic 时的 Vce 最大饱和值 -
集电极截止电流 100nA
VCEO-集电极-发射极最大电压 50V
安装方式 贴片安装
零件状态 停产
包装方式 卷带包装

BCR 119 E6433厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

BCR 119 E6433数据手册

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INFINEON TECHNOLOGIES 三极管(BJT) INFINEON TECHNOLOGIES BCR 119 E6433 BCR 119 E6433数据手册

BCR 119 E6433封装设计

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