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IPB025N08N3GATMA1

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 300W(Tc) 20V 3.5V@ 270µA 206nC@ 10 V 1个N沟道 80V 2.5mΩ@ 100A,10V 120A 14.2nF@40V TO-263 贴片安装 10.31mm*9.45mm*4.57mm
供应商型号: REB-TMOSP9091
供应商: 海外现货
标准整包数: 1000
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) IPB025N08N3GATMA1

IPB025N08N3GATMA1概述


    产品简介


    IPB025N08N3G是一款由Infineon Technologies制造的OptiMOS 3系列N沟道MOSFET功率晶体管,具备高达80V的击穿电压。它特别适用于高频开关和同步整流应用。这款产品采用了无铅镀层,符合RoHS标准,并且不含卤素。IPB025N08N3G能够在-55°C到175°C的温度范围内稳定工作,这使其成为多种恶劣环境下的理想选择。

    技术参数


    | 参数 | 最小值 (Min.) | 典型值 (Typ.) | 最大值 (Max.) | 单位 |

    | 漏源击穿电压 (VDS) | - | - | 80 | V |
    | 栅极阈值电压 (VGS(th)) | 2 | 2.8 | 3.5 | V |
    | 栅极漏电流 (IGSS) | 1 | 100 | - | nA |
    | 开启栅极电荷 (Qg) | 155 | 206 | - | nC |
    | 反向恢复时间 (trr) | - | 113 | - | ns |

    产品特点和优势


    1. 低导通电阻 (RDS(on)): IPB025N08N3G的最大导通电阻仅为2.5mΩ(典型值),这使得其在高电流下依然能保持较低的损耗,提高系统的效率。
    2. 宽温范围: 能够在-55°C至175°C的极端环境中正常工作,适合于工业和汽车应用。
    3. 出色的栅极电荷特性: 其低栅极电荷有助于减少驱动损耗,提高开关速度,降低功耗。
    4. 符合环保标准: 无卤素和RoHS认证,有利于环境保护和回收再利用。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    1. 高频开关电源:在开关电源的设计中,IPB025N08N3G可以显著提高效率并减小体积。
    2. 电动车辆:在电动车辆的电机控制系统中,可以提供高效可靠的电力转换。
    使用建议
    - 在设计时应注意散热问题,尤其是高温环境下工作时需要增加外部散热措施。
    - 针对不同频率的切换应用,合理设置驱动电阻以优化系统性能。

    兼容性和支持


    - IPB025N08N3G与多种PCB布局兼容,易于集成到现有系统中。
    - Infineon提供了详尽的技术文档和支持服务,包括应用指南和问题解答,以帮助用户更好地利用该产品。

    常见问题与解决方案


    1. 问题: 设备在高温环境下工作时过热。
    - 解决方案: 添加散热片或风扇以增强散热效果,确保环境温度控制在正常范围内。
    2. 问题: 开关频率较高时系统不稳定。
    - 解决方案: 调整驱动电阻以优化栅极充电特性,确保信号波形稳定。

    总结和推荐


    IPB025N08N3G凭借其低导通电阻、宽工作温度范围和出色的栅极电荷特性,成为了高频开关和同步整流应用的理想选择。其良好的兼容性和支持使得该产品在工业和汽车应用中表现出色。总体而言,我们强烈推荐这款产品给需要高性能、高可靠性的客户。

IPB025N08N3GATMA1参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 14.2nF@40V
Id-连续漏极电流 120A
FET类型 1个N沟道
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V@ 270µA
栅极电荷 206nC@ 10 V
配置 -
Vgs-栅源极电压 20V
最大功率耗散 300W(Tc)
Vds-漏源极击穿电压 80V
通道数量 -
Rds(On)-漏源导通电阻 2.5mΩ@ 100A,10V
长*宽*高 10.31mm*9.45mm*4.57mm
通用封装 TO-263
安装方式 贴片安装
应用等级 工业级
零件状态 在售
包装方式 散装,卷带包装

IPB025N08N3GATMA1厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

IPB025N08N3GATMA1数据手册

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INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) INFINEON TECHNOLOGIES IPB025N08N3GATMA1 IPB025N08N3GATMA1数据手册

IPB025N08N3GATMA1封装设计

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3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1000+ $ 2.2655 ¥ 19.8684
2000+ $ 2.2064 ¥ 19.3501
3000+ $ 2.167 ¥ 19.0046
4000+ $ 1.947 ¥ 17.0752
6000+ $ 1.8468 ¥ 16.1964
库存: 2000
起订量: 1000 增量: 1000
交货地:
最小起订量为:1000
合计: ¥ 19868.4
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型号 价格(含增值税)
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