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IRFB3306GPBF

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: Infineon N沟道增强型MOS管 HEXFET系列, Vds=60 V, 160 A, TO-220AB封装, 通孔安装, 3引脚
供应商型号: IRFB3306GPBF
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1000
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) IRFB3306GPBF

IRFB3306GPBF概述

    HEXFET Power MOSFET 技术手册

    产品简介


    HEXFET 功率 MOSFET 是一种高效的电子元器件,广泛应用于高效率同步整流系统、不间断电源系统、高速功率开关电路以及硬开关和高频电路。HEXFET 功率 MOSFET 采用 TO-220AB 封装形式,具有出色的抗压能力和高电流处理能力,特别适用于需要高性能和可靠性的应用场合。

    技术参数


    - 主要技术规格
    - 最大耐压:60V (VDSS)
    - 静态漏源导通电阻:3.3mΩ(典型值),4.2mΩ(最大值)(RDS(on))
    - 连续漏极电流:
    - TC = 25°C:160A(硅限)
    - TC = 100°C:184A(硅限)
    - TC = 25°C:110A(引线限)
    - 脉冲漏极电流:620A(ISM)
    - 最大耗散功率:962W(PD)
    - 工作温度范围
    - 连续工作温度:-55°C 至 +175°C
    - 储存温度范围:-55°C 至 +175°C
    - 电气特性
    - 瞬态热阻抗:RθJC = 0.65°C/W,RθCS = 0.50°C/W(TO-220 平滑接触面)
    - 电容特性:
    - 输入电容 (Ciss):4520pF
    - 输出电容 (Coss):500pF
    - 反向转移电容 (Crss):250pF
    - 击穿电压特性
    - 击穿电压 (V(BR)DSS):60V
    - 击穿电压温度系数 (∆V(BR)DSS/∆TJ):0.07V/°C
    - 驱动特性
    - 门极电阻 (RG):0.7Ω
    - 前向跨导 (gfs):230S
    - 门极总电荷 (Qg):85nC(典型值)

    产品特点和优势


    - 改进的栅极、雪崩和动态 dv/dt 耐久性:HEXFET 功率 MOSFET 设计提高了整体耐用性和可靠性。
    - 全面的电容和雪崩 SOA 特性:确保在各种极端条件下稳定工作。
    - 增强的体二极管 dv/dt 和 di/dt 能力:提供更高的转换速率能力。
    - 无铅无卤素材料:符合环保要求。

    应用案例和使用建议


    - 高效率同步整流系统:在 SMPS(开关模式电源)中,HEXFET 功率 MOSFET 可实现高效的能量转换,特别是在高压和高频应用中。
    - 不间断电源系统:提供稳定可靠的电力供应,在突发情况下快速切换电源,确保设备的正常运行。
    - 高速功率开关电路:适用于需要快速响应和高效能的应用场合,如电机控制和电池充电器。
    使用建议:
    - 在进行高电流操作时,注意散热管理以避免过热现象。
    - 高速开关操作时,使用合适的门极驱动电路以减少电磁干扰。

    兼容性和支持


    HEXFET 功率 MOSFET 适用于大多数标准工业电路设计。制造商提供全面的技术支持和维护服务,包括在线资源和技术文档,以帮助客户更好地理解和使用该产品。

    常见问题与解决方案


    - 问题:HEXFET 功率 MOSFET 的最高耐压是多少?
    - 解答:HEXFET 功率 MOSFET 的最大耐压为 60V (VDSS)。
    - 问题:如何避免由于加热引起的电流限制?
    - 解答:确保适当的散热设计,并使用符合规范的安装方法,例如平滑接触面安装,以降低热阻。

    总结和推荐


    HEXFET 功率 MOSFET 是一款高性能、高可靠性的电子元器件,适用于各种高电流、高频和高速应用场合。其卓越的耐用性和多功能性使其成为市场上的首选产品之一。强烈推荐用于需要高效能和稳定性的应用项目。

IRFB3306GPBF参数

参数
FET类型 1个N沟道
Vgs-栅源极电压 20V
Vds-漏源极击穿电压 60V
Rds(On)-漏源导通电阻 4.2mΩ@ 75A,10V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 4.52nF@50V
最大功率耗散 230W(Tc)
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4V@ 150µA
Id-连续漏极电流 120A
通道数量 1
配置 独立式
栅极电荷 120nC@ 10 V
长*宽*高 10mm*4.4mm*15.65mm
通用封装 TO-220AB
安装方式 通孔安装
零件状态 新设计不推荐
包装方式 管装

IRFB3306GPBF厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

IRFB3306GPBF数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) INFINEON TECHNOLOGIES IRFB3306GPBF IRFB3306GPBF数据手册

IRFB3306GPBF封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1000+ ¥ 2.8963
2000+ ¥ 2.7341
4000+ ¥ 2.6877
8000+ ¥ 2.6414
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