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IRF200S234

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 417W(Tc) 20V 5V@ 250µA 162nC@ 10 V 1个N沟道 200V 16.9mΩ@ 51A,10V 6.484nF@50V D2PAK 贴片安装
供应商型号: 14M-IRF200S234
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) IRF200S234

IRF200S234概述


    产品简介


    IRF200S234 是一款由Infineon Technologies公司生产的功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),属于StrongIRFET™系列。这类MOSFET广泛应用于各种电路设计中,尤其是在电动机驱动和电池供电系统中表现出色。其主要功能和应用领域如下:
    - 电动刷电机驱动应用
    - 无刷直流(BLDC)电机驱动应用
    - 电池供电电路
    - 半桥和全桥拓扑结构
    - 同步整流应用
    - 谐振模式电源供应
    - 冗余电源开关
    - 直流到直流(DC/DC)和交流到直流(AC/DC)转换器
    - 直流到交流(DC/AC)逆变器
    这些特性使得IRF200S234在多种复杂电路中成为理想的选择。

    技术参数


    基本参数
    - VDS:200V,即最大漏源电压。
    - RDS(on):典型值为14mΩ,最大值为16.9mΩ,代表漏源导通电阻。
    - ID:90A,最大持续漏极电流。
    最大额定值(在TJ=25°C下)
    - 连续漏极电流ID:在TC=25°C时为90A,在TC=100°C时为61A。
    - 脉冲漏极电流IDM:在TC=25°C时为312A。
    - 最大功耗PD:在TC=25°C时为417W。
    - 线性降额因子:在TC=25°C时为2.8W/°C。
    - 栅极到源极电压VGS:±20V。
    - 工作结点和存储温度范围TJ/TSTG:-55至+175°C。
    - 焊接温度:对于1.6mm厚的基板,不超过300°C。
    热特性
    - 结壳热阻RθJC:约0.36°C/W。
    - 壳体到散热器的热阻RθCS:0.50°C/W。
    - 结到环境热阻RθJA:约40°C/W(PCB安装,D2-Pak封装)。
    动态特性
    - 正向跨导gfs:在VDS=50V,ID=51A时为96S。
    - 总栅极电荷Qg:108-162nC。
    - 栅极到源极电荷Qgs:26nC。
    - 栅极到漏极电荷Qgd:37nC。
    - 同步总栅极电荷Qsync:71nC。
    静态特性
    - 漏源击穿电压V(BR)DSS:在VGS=0V,ID=250µA时为200V。
    - 漏源静态导通电阻RDS(on):在VGS=10V,ID=51A时为14-16.9mΩ。
    - 栅极阈值电压VGS(th):在VDS=VGS,ID=250µA时为3.0-5.0V。
    - 漏源泄漏电流IDSS:在VDS=200V,VGS=0V时小于等于20µA。
    - 栅极到源极前向漏电流IGSS:在VGS=20V时小于等于100nA。
    - 栅极电阻RG:2.4Ω。
    - 栅极到源极反向漏电流IGSS:在VGS=-20V时小于等于-100nA。

    产品特点和优势


    IRF200S234 具有以下显著优势:
    - 增强的栅极、雪崩和动态dv/dt鲁棒性:这一特性提高了MOSFET的耐久性,使得它在极端条件下也能稳定运行。
    - 完全表征的电容和雪崩SOA:确保了精确的电气特性和安全性。
    - 增强的体二极管dv/dt和di/dt能力:提升了性能,特别是在高频应用中。
    - 无铅;符合RoHS标准;无卤素:符合环保要求,适用于对环境友好的产品设计。

    应用案例和使用建议


    根据手册提供的应用场景,以下是几个常见的使用案例和使用建议:
    - 电动刷电机驱动:可以应用于需要高精度和快速响应的电机控制系统中。
    - 无刷直流(BLDC)电机驱动:适合于电动工具、电动汽车等需要高效、高性能电机的应用场景。
    - 电池供电电路:适用于便携式设备和低功耗应用,如笔记本电脑、智能手机等。
    使用建议:
    - 在设计过程中应充分考虑IRF200S234的电气特性和热特性,以避免过热损坏。
    - 确保良好的散热设计,以维持其正常工作温度范围。
    - 使用合适的驱动电路来降低栅极噪声并确保快速开关时间。

    兼容性和支持


    IRF200S234与其他许多标准电子元件和设备兼容,且厂商提供详细的文档和支持,例如:
    - 封装类型:D2-Pak,符合工业标准。
    - 包装形式:带状包装(Tape and Reel),每卷800个。
    - 制造商支持:Infineon提供了详尽的使用说明和技术支持文档,包括设计指南、应用笔记等,帮助用户更好地理解和应用该产品。

    常见问题与解决方案


    常见问题及解决方案:
    - 问题:栅极阈值电压不稳定。
    - 解决方案:检查驱动电路的设计,确保正确的驱动电压范围。

    - 问题:散热不足导致过热。
    - 解决方案:优化散热设计,增加散热片或者改进散热路径。
    - 问题:MOSFET关断后仍有电流。
    - 解决方案:检查是否存在反向恢复电流,确保适当的栅极电阻和驱动信号。

    总结和推荐


    综上所述,IRF200S234是一款功能强大、可靠性高的MOSFET,特别适用于电动机驱动和电池供电系统。其独特的特性使其在多种应用中展现出色的性能,如增强的鲁棒性和优秀的热特性。总体来说,IRF200S234是市场上极具竞争力的产品之一,值得在设计复杂的电力电子系统时考虑使用。
    如果你正在寻找一个具有高性能、可靠性的MOSFET,IRF200S234无疑是最佳选择之一。其广泛的适用范围和优良的技术参数使其在多个关键领域表现卓越,尤其适合那些对环境友好和高效率有严格要求的应用。

IRF200S234参数

参数
通道数量 1
FET类型 1个N沟道
Vds-漏源极击穿电压 200V
配置 独立式
Id-连续漏极电流 -
栅极电荷 162nC@ 10 V
Rds(On)-漏源导通电阻 16.9mΩ@ 51A,10V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 5V@ 250µA
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 6.484nF@50V
Vgs-栅源极电压 20V
最大功率耗散 417W(Tc)
通用封装 D2PAK
安装方式 贴片安装
应用等级 工业级
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

IRF200S234厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

IRF200S234数据手册

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INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) INFINEON TECHNOLOGIES IRF200S234 IRF200S234数据手册

IRF200S234封装设计

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1+ ¥ 7.3684
10+ ¥ 6.6031
30+ ¥ 5.7979
100+ ¥ 5.6369
300+ ¥ 5.421
1000+ ¥ 5.2631
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