处理中...

首页  >  产品百科  >  IRF2804STRL7PP

IRF2804STRL7PP

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: Infineon N沟道增强型MOS管, Vds=40 V, 160 A, D2PAK封装, 表面贴装, 7引脚
供应商型号: SCE-IRF2804S-7PBF-GURT
供应商: 海外现货
标准整包数: 10
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) IRF2804STRL7PP

IRF2804STRL7PP概述

    IRF2804S-7P HEXFET® Power MOSFET 技术手册

    产品简介


    IRF2804S-7P 是一款由 International Rectifier 生产的HEXFET® 功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),特别设计用于汽车应用。这种器件采用了先进的制造工艺,使其能够在极低的单位硅面积上实现极低的导通电阻。除了其出色的导通电阻性能外,这款器件还具有高达175°C的结温耐受能力,快速开关速度以及重复雪崩耐受能力,使其成为一种高效可靠的功率管理解决方案。

    技术参数


    - 基本电气特性:
    - 最高电压 (VDSS): 40V
    - 导通电阻 (RDS(on)): 1.6mΩ
    - 持续漏极电流 (ID): 160A
    - 单脉冲雪崩能量 (EAS): 1050mJ
    - 最大耗散功率 (PD): 96.8W
    - 温度特性:
    - 工作结温 (TJ): -55°C 至 +175°C
    - 储存温度范围 (TSTG): -55°C 至 +175°C
    - 热阻抗:
    - 结至外壳热阻 (RθJC): 0.50°C/W
    - 外壳至散热器热阻 (RθCS): 0.50°C/W
    - 结至环境热阻 (RθJA): 62°C/W
    - 结至环境热阻(PCB安装): 40°C/W

    产品特点和优势


    IRF2804S-7P的主要特点是其采用的先进制造技术,确保了极低的导通电阻(1.6mΩ)。此外,它的高温操作能力(175°C)和快速开关速度使得它非常适用于需要高效率和可靠性的场合。重复雪崩耐受能力进一步提升了其在恶劣条件下的表现。这些特性使该器件非常适合于汽车应用以及其他多种工业应用。

    应用案例和使用建议


    根据手册中的描述,IRF2804S-7P 可以广泛应用于汽车电源管理系统、电动汽车(EV)逆变器以及电机驱动等领域。例如,在汽车应用中,它可以作为直流到直流转换器或电池管理系统中的关键部件,以确保系统的高效运行和稳定性能。
    对于使用建议,我们推荐用户在选择IRF2804S-7P时,务必考虑其工作环境的温度限制和散热要求。正确的电路布局和散热设计能够最大化其性能并延长使用寿命。

    兼容性和支持


    IRF2804S-7P 提供了广泛的兼容性,可与其他标准电子元件和设备无缝集成。此外,International Rectifier提供了详细的应用指南和设计支持文档,帮助工程师更好地理解和使用该器件。

    常见问题与解决方案


    - 问题: 在高脉冲电流下器件是否会过热?
    - 解答: IRF2804S-7P 设计了良好的热保护机制,可以通过正确的散热设计避免过热风险。请参考手册中的热阻抗数据和相关测试图来合理规划散热方案。

    - 问题: 如何优化开关时间?
    - 解答: 通过优化驱动信号和栅极电荷分布可以有效改善开关时间。确保正确的驱动电压和栅极电荷量是关键。

    总结和推荐


    IRF2804S-7P是一款高性能的功率MOSFET,具有优异的电气特性和可靠性,尤其适合于汽车和其他高可靠性需求的场合。其极低的导通电阻、宽广的工作温度范围以及重复雪崩耐受能力使其在市场上具备强大的竞争力。综合以上因素,我们强烈推荐IRF2804S-7P用于需要高效率和可靠性的电力系统应用。

IRF2804STRL7PP参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4V@ 250µA
FET类型 1个N沟道
Id-连续漏极电流 160A
Vgs-栅源极电压 20V
最大功率耗散 330W(Tc)
Rds(On)-漏源导通电阻 1.6mΩ@ 160A,10V
Vds-漏源极击穿电压 40V
配置 独立式
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 6.93nF@25V
栅极电荷 260nC@ 10 V
通道数量 1
长*宽*高 6.5mm*6.22mm*2.3mm
通用封装 TO-263
安装方式 贴片安装
应用等级 工业级
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

IRF2804STRL7PP厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

IRF2804STRL7PP数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) INFINEON TECHNOLOGIES IRF2804STRL7PP IRF2804STRL7PP数据手册

IRF2804STRL7PP封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 21.0599
50+ ¥ 14.9167
200+ ¥ 12.4288
500+ ¥ 11.9659
库存: 470
起订量: 20 增量: 10
交货地:
最小起订量为:10
合计: ¥ 210.59
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
04N80C3-VB TO220F ¥ 10.7639
05N03LB-VB TO220 ¥ 2.3325
06N06L ¥ 0.253
09N50I-VB ¥ 4.2759
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.3633
15N10 ¥ 0.396
15N10 ¥ 0.336