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IPP80N04S4-03

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 94W 20V 4V 51nC@ 10V 1个N沟道 40V 3.7mΩ@ 10V 80A 4.05nF@ 25V TO-220 通孔安装 10mm*4.4mm*15.65mm
供应商型号: Q-IPP80N04S4-03
供应商: 期货订购
标准整包数: 500
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) IPP80N04S4-03

IPP80N04S4-03概述

    # OptiMOS®-T2 功率晶体管产品技术手册

    1. 产品简介


    基本介绍
    IPB80N04S4-03、IPI80N04S4-03 和 IPP80N04S4-03 是由 Infineon Technologies 提供的 OptiMOS®-T2 系列功率晶体管。该系列晶体管采用了 N 沟道增强模式设计,特别适用于高电流和高频率的应用场景。它们具备卓越的电气特性和强大的耐用性,适用于多种电力电子应用,如开关电源、电机驱动器和车载电子系统等。
    主要功能
    - 高电流承载能力:连续漏极电流可达 80A(@Tc=25°C)。
    - 支持高温操作:最大工作温度达 175°C。
    - 绿色环保:符合 RoHS 标准,且 100% 通过雪崩测试。
    - AEC-Q101 认证:适用于汽车级应用。
    应用领域
    - 开关电源
    - 电机控制和驱动
    - 汽车电子系统
    - 工业自动化设备

    2. 技术参数


    以下是该系列晶体管的关键技术参数:
    | 参数 | 符号 | 条件 | 单位 | 最小值 | 典型值 | 最大值 |
    ||
    | 漏源击穿电压 | V(BR)DSS | VGS=0V, ID=1mA | V | 40
    | 栅源阈值电压 | VGS(th) | VDS=VGS, ID=53µA | V | 2.0 | 3.0 | 4.0 |
    | 漏源导通电阻 | RDS(on) | VGS=10V, ID=80A | mΩ 3.2 | 3.7 |
    | 栅极充电总量 | Qg nC 51 | 66 |
    | 漏极电流(脉冲) | ID,pulse | TC=25°C | A 320 |
    | 功耗 | Ptot | TC=25°C | W 94

    3. 产品特点和优势


    特点
    - 低导通电阻:RDS(on) 最小值仅为 2.8 mΩ,显著降低了功耗并提高了效率。
    - 高可靠性:100% 雪崩测试保证其在恶劣环境下的稳定性。
    - 宽温范围:可承受高达 175°C 的工作温度,满足严苛环境要求。
    - 绿色环保:无铅封装,符合 RoHS 标准。
    优势
    - 高性能:高电流承载能力和快速开关速度,适合高频应用。
    - 易用性:易于集成到现有电路设计中,减少开发时间和成本。
    - 安全性:提供过压保护和过流保护功能,延长使用寿命。

    4. 应用案例和使用建议


    应用案例
    1. 电动汽车逆变器:利用其高电流和耐高温特性,确保电动汽车动力系统的稳定运行。
    2. 工业电机驱动:结合其高开关频率性能,提高电机的能效和响应速度。
    使用建议
    - 在高功率密度应用中,需注意散热设计,建议使用铜面积较大的 PCB 布局以降低热阻。
    - 在高频应用时,应避免输入和输出电容过大,以减少寄生效应。
    - 结合栅极驱动器使用,确保 VGS 电压始终在 10V 以内,防止器件损坏。

    5. 兼容性和支持


    兼容性
    - 与主流 PCB 尺寸兼容(如 TO-263、TO-262 和 TO-220 封装)。
    - 可与其他品牌的类似型号互换,但需验证其电气特性和封装尺寸。
    厂商支持
    - Infineon 提供详尽的技术文档和支持服务。
    - 提供样品申请和评估板,便于客户进行原型设计。

    6. 常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 开关过程中发热严重 | 改善散热设计,增加 PCB 铜箔面积和空气流通。 |
    | 栅极电压异常导致不正常开关 | 检查驱动电路,确保 VGS 电压在 10V 内。 |
    | 设备无法通过短路测试 | 更换更高额定值的产品或改进电路设计。 |

    7. 总结和推荐


    综合评估
    OptiMOS®-T2 系列功率晶体管凭借其出色的性能参数、可靠性以及广泛的应用范围,在同类产品中表现出色。其低导通电阻、高电流承载能力和绿色设计使其成为高性能电力电子应用的理想选择。
    推荐使用
    强烈推荐此系列晶体管用于需要高效率、高可靠性的电力电子系统。无论是工业还是汽车领域,它都能为客户提供卓越的解决方案。对于需要更高电流或特殊需求的用户,建议进一步咨询 Infineon 技术支持团队。
    最终评分:★★★★★

IPP80N04S4-03参数

参数
FET类型 1个N沟道
栅极电荷 51nC@ 10V
最大功率耗散 94W
Id-连续漏极电流 80A
通道数量 1
Vgs-栅源极电压 20V
Rds(On)-漏源导通电阻 3.7mΩ@ 10V
Vds-漏源极击穿电压 40V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4V
配置 独立式
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 4.05nF@ 25V
长*宽*高 10mm*4.4mm*15.65mm
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
应用等级 汽车级
包装方式 管装

IPP80N04S4-03厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

IPP80N04S4-03数据手册

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INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) INFINEON TECHNOLOGIES IPP80N04S4-03 IPP80N04S4-03数据手册

IPP80N04S4-03封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
5000+ $ 1.82 ¥ 15.1606
15000+ $ 1.638 ¥ 13.6445
25000+ $ 1.456 ¥ 12.1285
50000+ $ 1.365 ¥ 11.3705
库存: 5000
起订量: 5000 增量: 500
交货地:
最小起订量为:5000
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