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IPP26CNE8N G

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 71W(Tc) 4V@ 39µA 31nC@ 10 V 1个N沟道 85V 26mΩ@ 35A,10V 2.07nF@40V 通孔安装
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INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) IPP26CNE8N G

IPP26CNE8N G概述

    # OptiMOS™2 功率晶体管 IPB26CNE8N G 技术手册

    产品简介


    OptiMOS™2 系列是英飞凌科技(Infineon Technologies)推出的高性能 N 沟道增强型功率 MOSFET 系列,其型号如 IPB26CNE8N G。该系列晶体管以卓越的低导通电阻(R DS(on))和高效率闻名,广泛应用于高频开关电路和同步整流领域。产品具有出色的性价比和广泛的工作温度范围(-55°C 至 +175°C),使其成为工业、消费电子和汽车领域的理想选择。
    主要特点
    - N 沟道,正常电平控制
    - 极低的导通电阻 R DS(on):典型值为 19 mΩ
    - 宽泛的工作温度范围:-55°C 至 +175°C
    - 环保材料:铅-free,RoHS 合规,无卤素设计
    - JEDEC 标准认证,适用于目标应用
    - 优异的栅极电荷 × 导通电阻积(FOM)
    应用领域
    OptiMOS™2 功率晶体管可广泛应用于以下领域:
    - 高频开关电源
    - 同步整流器
    - 工业控制设备
    - 汽车电子系统
    - 消费类电子设备

    技术参数


    以下是 IPB26CNE8N G 的关键技术参数:
    | 参数名称 | 符号 | 单位 | 最小值 | 典型值 | 最大值 |
    |
    | 漏极连续电流 | I D | A | 25 | 35 | 140 |
    | 击穿电压 | V (BR)DSS | V 85
    | 导通电阻 | R DS(on) | mΩ 19 | 25 |
    | 最大工作温度 | T j | °C | -55 175 |
    | 栅源电压 | V GS | V | -20 20 |
    静态特性
    - 输入电容:1560 至 2070 pF
    - 输出电容:288 至 383 pF
    - 反向传输电容:23 至 35 pF
    - 跨导:19 至 38 S
    动态特性
    - 开启延迟时间:10 至 16 ns
    - 关断延迟时间:13 至 19 ns
    - 门极电荷:23 至 31 nC

    产品特点和优势


    独特功能
    - 超低导通电阻:使功耗最小化,提高能效。
    - 宽温范围:适应恶劣的工作环境。
    - 高可靠性:符合 JEDEC 标准,确保长期稳定运行。
    - 环保设计:无卤素,RoHS 合规。
    市场竞争力
    OptiMOS™2 系列以其低导通电阻和高效率在市场上极具竞争力。其优异的 FOM 特性使得该产品在高频开关和同步整流应用中表现出色,同时提供了卓越的热性能和可靠性,适合高要求的应用场合。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    1. 高频开关电源:用于服务器电源、通信设备和光伏逆变器。
    2. 同步整流:优化效率,减少热损耗。
    3. 电机驱动:用于工业自动化和家电设备。
    使用建议
    - 散热设计:由于导通电阻低,产生的热量较少,但仍需考虑 PCB 布局以确保良好的散热效果。
    - 驱动电路:采用合适的栅极驱动电路,确保快速开关和低功耗。
    - 负载匹配:根据实际负载调整 V GS 电压以达到最佳性能。

    兼容性和支持


    OptiMOS™2 系列晶体管兼容多种封装形式,包括 PG-TO263-3、PG-TO252-3 和其他标准封装。英飞凌提供详尽的技术支持,包括产品文档、应用指南和在线技术支持。

    常见问题与解决方案


    问题 1:过温保护
    解决办法:检查散热设计,增加外部散热片或优化 PCB 布局。
    问题 2:开关损耗过高
    解决办法:降低 V GS,优化驱动电路。
    问题 3:启动时异常发热
    解决办法:确认负载匹配,避免短路。

    总结和推荐


    OptiMOS™2 系列 IPB26CNE8N G 功率晶体管凭借其低导通电阻、宽温范围和高可靠性,在高频开关和同步整流领域表现卓越。其环保设计和广泛的兼容性使其成为现代电子应用的理想选择。
    推荐结论
    我们强烈推荐 IPB26CNE8N G 功率晶体管用于需要高效能和高可靠性的应用场景。其出色的技术参数和市场竞争力使其成为值得信赖的选择。

    如需更多详细信息,请访问英飞凌官方网站:[www.infineon.com](http://www.infineon.com)。

IPP26CNE8N G参数

参数
最大功率耗散 71W(Tc)
配置 -
Vgs-栅源极电压 -
Rds(On)-漏源导通电阻 26mΩ@ 35A,10V
栅极电荷 31nC@ 10 V
通道数量 -
Id-连续漏极电流 -
FET类型 1个N沟道
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 2.07nF@40V
Vds-漏源极击穿电压 85V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4V@ 39µA
安装方式 通孔安装
零件状态 停产
包装方式 管装

IPP26CNE8N G厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

IPP26CNE8N G数据手册

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INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) INFINEON TECHNOLOGIES IPP26CNE8N G IPP26CNE8N G数据手册

IPP26CNE8N G封装设计

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