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IRL6372PBF

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 2W 12V 1.1V@ 10µA 11nC@ 4.5V 2个N沟道 30V 17.9mΩ@ 8.1A,4.5V 8.1A 1.02nF@25V SOIC-8 贴片安装
供应商型号: IRL6372PBF-ND
供应商:
标准整包数: 1
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) IRL6372PBF

IRL6372PBF概述


    产品简介


    产品名称:IRL6372PbF HEXFET Power MOSFET
    IRL6372PbF 是一款高集成度的功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),具有多用途的特性。它主要用于电源转换、电机驱动和其他需要高效电能转换的应用领域。IRL6372PbF 具有行业标准的SO-8封装,尺寸小巧,便于安装和使用。主要应用于工业控制、汽车电子和消费电子产品等领域。

    技术参数


    以下是 IRL6372PbF 的技术参数和性能指标:
    - 工作电压:VDS = 30 V
    - 栅源电压:VGS = ±12 V
    - 连续漏极电流:ID @ TA = 25°C = 8.1 A
    - 最大漏极电流:ID @ TA = 70°C = 6.5 A
    - 栅极电阻:RG = 2.2 Ω
    - 栅极电荷:Qg (典型值) = 11 nC
    - 导通电阻:RDS(on) max (@ VGS = 4.5V) = 17.9 mΩ
    - 功率耗散:PD @ TA = 25°C = 65 W
    - 工作温度范围:-55°C 到 +150°C

    产品特点和优势


    1. 标准化封装:采用行业标准的SO-8封装,可与其他同类产品实现互换。
    2. 环保材料:符合RoHS标准,不含铅、溴和卤素,更加环保。
    3. 增强可靠性:达到MSL1级消费者资格认证,可靠性更高。
    4. 低导通电阻:导通电阻RDS(on) 仅为17.9 mΩ(@ VGS = 4.5V),适合于高频开关应用。
    5. 良好的热特性:最高功率耗散能力为65W,适用于高功率应用场合。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    IRL6372PbF 广泛应用于各种电力转换和驱动电路中。例如,在一个典型的电机驱动系统中,IRL6372PbF 可以作为主控开关器件,负责将电池的直流电转换为所需的电机驱动电流。
    使用建议
    - 散热管理:由于IRL6372PbF 功率耗散较大,建议使用良好的散热片或冷却系统,以保持器件的工作温度在安全范围内。
    - 外部电路设计:考虑到IRL6372PbF 的栅极电荷较低,选择合适的栅极驱动器可以有效提高系统的整体效率。
    - 保护措施:设计时应加入过压和过流保护电路,以防止器件因过载而损坏。

    兼容性和支持


    IRL6372PbF 与其他基于SO-8封装的电子元器件具有良好的兼容性,便于进行电路设计和布局。此外,制造商提供详细的资料和支持服务,如应用指南、技术文档和客户支持等。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:栅极电压设置不当导致MOSFET无法正常工作。
    - 解决方案:确保栅极电压VGS在规定的±12V范围内,同时检查外部电路的设计是否合理。
    2. 问题:MOSFET发热严重。
    - 解决方案:添加散热片或风扇,优化散热设计,确保MOSFET的外壳温度不超过其额定温度范围。
    3. 问题:电路出现异常波动。
    - 解决方案:检查电路连接是否正确,确认电容和电感等元件的参数选择是否合适,必要时可以增加滤波电路来改善稳定性。

    总结和推荐


    总结:IRL6372PbF 是一款具有高性能、高可靠性的MOSFET,特别适用于高频开关和大功率转换场合。它的标准化封装、环保材料和优良的热特性使其成为市场上的热门选择。
    推荐:基于其卓越的性能和广泛的适用性,我们强烈推荐IRL6372PbF 用于需要高效、稳定功率转换的各类应用场合。无论是工业控制还是消费电子产品,这款MOSFET都能满足您的需求。

IRL6372PBF参数

参数
通道数量 -
Vds-漏源极击穿电压 30V
Rds(On)-漏源导通电阻 17.9mΩ@ 8.1A,4.5V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.1V@ 10µA
Vgs-栅源极电压 12V
最大功率耗散 2W
FET类型 2个N沟道
配置 -
Id-连续漏极电流 8.1A
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 1.02nF@25V
栅极电荷 11nC@ 4.5V
通用封装 SOIC-8
安装方式 贴片安装
零件状态 停产
包装方式 管装

IRL6372PBF厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

IRL6372PBF数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) INFINEON TECHNOLOGIES IRL6372PBF IRL6372PBF数据手册

IRL6372PBF封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ $ 0.989 ¥ 8.3571
10+ $ 0.8165 ¥ 6.8993
100+ $ 0.6026 ¥ 4.9938
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1000+ $ 0.3811 ¥ 3.158
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