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IPB80N04S2-H4

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 300W(Tc) 20V 4V@ 250µA 148nC@ 10 V 1个N沟道 40V 3.7mΩ@ 80A,10V 80A 4.4nF@25V TO-263 贴片安装 10mm*9.25mm*4.4mm
供应商型号: IPB80N04S2-H4
供应商: 国内现货
标准整包数: 10
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) IPB80N04S2-H4

IPB80N04S2-H4概述

    IPB80N04S2-H4, IPP80N04S2-H4, IPI80N04S2-H4 OptiMOS® Power Transistor 技术手册

    产品简介


    IPB80N04S2-H4、IPP80N04S2-H4 和 IPI80N04S2-H4 是来自 Infineon Technologies 的三款 OptiMOS® 功率晶体管。这些器件是增强型N沟道场效应晶体管(FET),专为汽车应用和其他高可靠性要求的应用设计。这些晶体管具有低导通电阻(RDS(on))的特点,能够实现高效能量转换和低功耗运行。主要应用于电动车辆、工业自动化系统、电机驱动、电源管理等领域。

    技术参数


    以下是关键的技术参数列表:
    | 参数名称 | 符号 | 条件 | 单位 | 最小值 | 典型值 | 最大值 |
    ||
    | 连续漏极电流 | ID | TC=25°C, VGS=10V | A | 80 | 80 | - |
    | 脉冲漏极电流 | ID,pulse | TC=25°C | A | - | 320 | - |
    | 击穿电压 | V(BR)DSS | VGS=0V, ID=1mA | V | - | 40 | - |
    | 门限电压 | VGS(th) | VDS=VGS, ID=250μA | V | 2.1 | 3.0 | 4.0 |
    | 导通电阻 | RDS(on) | VGS=10V, ID=80A | mΩ | - | 3.2 | 3.7 |
    | 热阻(结到壳) | RthJC | - | K/W | - | - | 0.5 |
    | 热阻(结到环境) | RthJA | - | K/W | - | - | 62 |

    产品特点和优势


    1. 汽车级认证:符合AEC Q101标准,适用于严苛的汽车环境。
    2. 高温稳定性:可在高达175°C的环境中正常工作。
    3. 超低导通电阻:RDS(on) 低至3.2mΩ,实现高效能电力转换。
    4. 100%雪崩测试通过:具备高度可靠性和耐用性。
    5. 环保材料:符合RoHS标准,绿色产品。

    应用案例和使用建议


    - 电动汽车逆变器:由于其出色的热稳定性和高电流承载能力,适合用于电动汽车中的功率逆变器模块。
    - 工业自动化:在工业环境中使用时,应注意保持良好的散热条件以延长使用寿命。
    - 电源管理:在开关电源中作为主控开关管使用,以提高效率并减少功耗。
    建议在使用过程中注意保持良好的散热条件,避免长时间高电流负载下的过热情况发生。对于复杂应用,建议参考Infineon的官方文档进行更详细的设计。

    兼容性和支持


    - 封装类型:支持PG-TO263-3-2、PG-TO220-3-1、PG-TO262-3-1三种封装类型。
    - 厂商支持:Infineon提供全面的技术支持和售后服务,具体联系方式请访问其官方网站。

    常见问题与解决方案


    - 问题:安装后晶体管无法正常工作。
    - 解决方案:检查是否正确连接电路,确保门极无短路。
    - 问题:器件发热严重。
    - 解决方案:优化散热设计,增加散热片或强制冷却。

    总结和推荐


    总体来说,IPB80N04S2-H4、IPP80N04S2-H4 和 IPI80N04S2-H4 是高性能、高可靠性的功率晶体管,特别适合需要高效能和高可靠性的应用场合。推荐在需要低功耗、高效率的电子设计中优先选用。
    该产品的独特优势在于其卓越的高温性能和汽车级的品质保证。如果您的应用需要应对恶劣的工作环境,或者需要在高电流条件下稳定工作,那么这将是您的不二选择。

IPB80N04S2-H4参数

参数
Vgs-栅源极电压 20V
Id-连续漏极电流 80A
Rds(On)-漏源导通电阻 3.7mΩ@ 80A,10V
最大功率耗散 300W(Tc)
FET类型 1个N沟道
Vds-漏源极击穿电压 40V
通道数量 1
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4V@ 250µA
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 4.4nF@25V
配置 独立式
栅极电荷 148nC@ 10 V
长*宽*高 10mm*9.25mm*4.4mm
通用封装 TO-263
安装方式 贴片安装
应用等级 工业级
零件状态 在售
包装方式 散装,卷带包装

IPB80N04S2-H4厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

IPB80N04S2-H4数据手册

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IPB80N04S2-H4封装设计

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