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IRF6714MTRPBF

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 2.8W(Ta),89W(Tc) 20V 2.4V@ 100µA 44nC@ 4.5 V 1个N沟道 25V 2.1mΩ@ 29A,10V 29A,166A 3.89nF@13V WDSON-5 直接安装,贴片安装 6.35mm*5.05mm*700μm
供应商型号: CY-IRF6714MTRPBF
供应商: Avnet
标准整包数: 1
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) IRF6714MTRPBF

IRF6714MTRPBF概述


    产品简介


    基本介绍
    IRF6714MPbF 和 IRF6714MTRPbF 是一种直接FET(DirectFET)封装的功率MOSFET,采用最新的HEXFET®硅技术制造。该产品具有极低的导通电阻,且封装尺寸仅为SO-8,厚度仅0.6毫米,适用于高效率的DC-DC转换器,特别是在CPU核心电源管理方面表现优异。
    主要功能
    - 低导通电阻:在10V下的导通电阻为1.6毫欧,在4.5V下的导通电阻为2.6毫欧。
    - 优化高频开关性能:低电荷和超低封装电感,适用于同步开关应用。
    - 兼容表面贴装技术:符合RoHS标准,无卤素。
    应用领域
    - CPU核心电源管理:适用于最新一代处理器的电源系统。
    - 同步降压转换器:特别优化用于同步FET的插槽。
    - 高效率DC-DC转换器:适合要求高效率的应用场景。

    技术参数


    基本规格
    - 漏源电压(VDS):最大25V
    - 栅源电压(VGS):最大±20V
    - 连续漏电流(ID):最大23A(在TA = 25°C)
    - 脉冲漏电流(IDM):最大234A
    性能参数
    - 导通电阻(RDS(on)):最小1.6毫欧(在VGS = 10V)
    - 总栅极电荷(Qg tot):最大44nC(在VDS = 13V)
    - 反向恢复时间(trr):最大39ns(在IF = 23A)
    工作环境
    - 工作温度范围(TJ):-40°C 至 +150°C
    - 存储温度范围(TSTG):-40°C 至 +150°C
    - 热阻(RθJA):典型值为20°C/W

    产品特点和优势


    - 低导通电阻:极低的导通电阻显著降低了损耗,适合高效率应用。
    - 双面冷却兼容:通过允许双面散热,大大提高了热阻性能,提升了整体可靠性。
    - 优化高频开关:超低封装电感和低栅极电荷,适合高频率开关应用。
    - 高可靠性:通过严格的测试确保每个产品的可靠性,如100%栅极电阻测试。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - CPU核心电源管理:在笔记本电脑或服务器中,使用该MOSFET来降低功耗,提高效率。
    - 同步降压转换器:适用于需要高效同步整流的应用场景,例如工业控制系统或通信设备。
    使用建议
    - 在选择外部驱动器时,考虑合适的栅极电阻以优化开关性能。
    - 为了充分发挥其双面冷却的优势,可以使用大散热片以提高散热效果。
    - 注意电路设计中的布线长度,避免引入不必要的寄生电感。

    兼容性和支持


    - 兼容性:直接FET封装与现有表面贴装技术兼容,如焊接、回流焊等。
    - 支持:制造商提供了详尽的技术文档和应用指南,确保用户在使用过程中能够获得足够的技术支持。

    常见问题与解决方案


    | 问题描述 | 解决方法 |

    | 开关频率过高导致发热 | 调整驱动电路,适当增加栅极电阻以降低开关频率。 |
    | 功率过大导致损坏 | 确保使用适当的散热措施,遵守最大额定值限制。 |
    | 输出电压不稳定 | 检查电路中的电容值和连接,确保良好的滤波效果。 |

    总结和推荐


    综合评估
    IRF6714MPbF/MTRPbF是专为高效率DC-DC转换器设计的高性能MOSFET,具备极低的导通电阻和快速的开关性能。其双面冷却和优化的栅极电荷使其成为CPU核心电源管理和同步降压转换器的理想选择。对于追求高效能、高可靠性的工程师来说,这是一款值得推荐的产品。
    推荐使用
    强烈推荐使用IRF6714MPbF/MTRPbF,特别是在需要高效率和高可靠性的应用场合。无论是工业控制还是消费电子设备,这款MOSFET都能提供卓越的性能。

IRF6714MTRPBF参数

参数
最大功率耗散 2.8W(Ta),89W(Tc)
Vgs-栅源极电压 20V
Rds(On)-漏源导通电阻 2.1mΩ@ 29A,10V
FET类型 1个N沟道
Vds-漏源极击穿电压 25V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 3.89nF@13V
通道数量 1
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.4V@ 100µA
栅极电荷 44nC@ 4.5 V
Id-连续漏极电流 29A,166A
配置 独立式
长*宽*高 6.35mm*5.05mm*700μm
通用封装 WDSON-5
安装方式 直接安装,贴片安装
零件状态 最后售卖
包装方式 卷带包装

IRF6714MTRPBF厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

IRF6714MTRPBF数据手册

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INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) INFINEON TECHNOLOGIES IRF6714MTRPBF IRF6714MTRPBF数据手册

IRF6714MTRPBF封装设计

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3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
100+ $ 0.8068 ¥ 6.9428
300+ $ 0.7994 ¥ 6.8803
500+ $ 0.792 ¥ 6.8177
1000+ $ 0.7698 ¥ 6.505
5000+ $ 0.7698 ¥ 6.505
库存: 5376
起订量: 145 增量: 1
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