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BSS806NH6327XTSA1

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: Infineon N沟道增强型MOS管 OptiMOS 2系列, Vds=20 V, 2.3 A, SOT-23封装, 表面贴装, 3引脚
供应商型号: 30C-BSS806NH6327XTSA1 SOT-23-3
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) BSS806NH6327XTSA1

BSS806NH6327XTSA1概述

    # BSS806N OptiMOS™2 小信号晶体管技术手册

    1. 产品简介


    产品概述
    BSS806N 是一款由 Infineon Technologies 推出的小信号 N 沟道增强型 MOSFET,属于其先进的 OptiMOS™2 系列。该器件以其出色的逻辑电平能力和坚固耐用的设计著称,广泛应用于电源管理、信号切换和通信设备等领域。
    主要功能
    - 增强模式:支持 1.8V 的逻辑电平驱动,适用于现代低电压电路设计。
    - 高可靠性:具备雪崩耐受能力,符合 AEC-Q101 标准,确保汽车级和工业级应用的稳定性。
    - 环保认证:完全无铅且符合 RoHS 规范,同时符合 Halogen-Free 的 IEC61249-2-21 标准。
    应用领域
    BSS806N 被广泛用于以下领域:
    - 汽车电子(如车身控制模块)
    - 工业自动化
    - 通信设备
    - 消费电子产品

    2. 技术参数


    最大额定值
    | 参数 | 符号 | 条件 | 单位 |
    ||
    | 连续漏极电流 | ID | TA=25°C | 2.3A |
    | 脉冲漏极电流 | ID,pulse | TA=25°C | 9.3A |
    | 雪崩能量 | EAS | ID=2.3A, RGS=25Ω | 10.8mJ |
    | 逆向二极管 dv/dt ID=2.3A, VDS=16V, di/dt=200A/µs | 6kV/µs |
    | 栅源电压 | VGS ±8V |
    其他参数
    - 雪崩耐受:单脉冲雪崩能量可达 10.8mJ。
    - 最大功率耗散:25°C 下为 0.5W。
    - 工作温度范围:-55°C 至 150°C。
    - 静电放电等级:符合 JESD22-A114 HBM 标准,0(<250V)。
    封装信息
    - 封装类型:SOT23
    - 标记:YEs
    - 包装方式:非干燥 3000pcs/reel

    3. 产品特点和优势


    独特功能
    - 逻辑电平兼容性:支持 1.8V 的低电压操作,非常适合现代低压供电系统。
    - 增强的耐用性:通过雪崩耐受测试,确保在极端条件下仍能稳定运行。
    - 绿色环保:符合 RoHS 和 Halogen-Free 标准,满足环保要求。
    市场竞争力
    BSS806N 在低功耗、高效率和小尺寸方面表现优异,是替代传统分立元件的理想选择。其紧凑的 SOT23 封装使其适合高密度电路板设计。

    4. 应用案例和使用建议


    典型应用
    BSS806N 可用于多种场景,例如:
    - 汽车电子:作为继电器驱动器,控制灯光或雨刷等设备。
    - 电源管理:在电源转换器中用作开关管。
    - 通信设备:用于高速信号切换和阻抗匹配。
    使用建议
    - 散热设计:由于功率耗散有限,建议在高温环境下增加散热片以保证长期稳定性。
    - 驱动电路:使用栅极电阻时,推荐值为 6Ω,以优化开关速度和减少功耗。

    5. 兼容性和支持


    兼容性
    BSS806N 与大多数标准 SOT23 封装的元器件兼容,可以轻松替换旧型号器件,无需更改 PCB 设计。
    厂商支持
    Infineon Technologies 提供详尽的技术文档和应用指南,同时支持客户定制化需求。用户可通过 Infineon 官方网站获取最新信息和支持服务。

    6. 常见问题与解决方案


    问题 1:如何正确选择栅极电阻?
    解决办法:根据具体应用场景选择合适的栅极电阻,一般推荐值为 6Ω,以平衡开关速度和功耗。
    问题 2:器件过热怎么办?
    解决办法:增加外部散热装置或优化电路布局,降低热应力。
    问题 3:ESD 保护失效如何处理?
    解决办法:检查 PCB 设计是否符合 ESD 保护要求,并确保接地良好。

    7. 总结和推荐


    综合评估
    BSS806N OptiMOS™2 小信号晶体管是一款高性能、高可靠性的器件,尤其适合需要低电压驱动和紧凑封装的应用场合。其环保特性、易于集成和卓越的电气性能使其在市场上具有很强的竞争优势。
    推荐使用
    强烈推荐 BSS806N 用于需要低功耗、高效率的小型化设计项目。对于追求成本效益和技术先进性的用户来说,这款产品无疑是一个理想的选择。

BSS806NH6327XTSA1参数

参数
FET类型 1个N沟道
Vgs-栅源极电压 8V
栅极电荷 1.7nC@ 2.5 V
最大功率耗散 500mW(Ta)
通道数量 1
Vds-漏源极击穿电压 20V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 750mV@ 11µA
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 529pF@10V
Id-连续漏极电流 2.3A
Rds(On)-漏源导通电阻 57mΩ@ 2.3A,2.5V
配置 独立式
长*宽*高 2.9mm(长度)*1.3mm(宽度)
通用封装 SOT-23
安装方式 贴片安装
应用等级 工业级
零件状态 在售
包装方式 散装,卷带包装

BSS806NH6327XTSA1厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

BSS806NH6327XTSA1数据手册

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INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) INFINEON TECHNOLOGIES BSS806NH6327XTSA1 BSS806NH6327XTSA1数据手册

BSS806NH6327XTSA1封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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200+ ¥ 0.4708
1500+ ¥ 0.4103
3000+ ¥ 0.363
45000+ ¥ 0.3597
60000+ ¥ 0.3553
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