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IRF9317TRPBF

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: Infineon P沟道增强型MOS管 HEXFET系列, Vds=30 V, 16 A, SOIC封装, 表面贴装, 8引脚
供应商型号: 26M-IRF9317TRPBF
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) IRF9317TRPBF

IRF9317TRPBF概述

    IRF9317PbF HEXFET Power MOSFET 技术手册解析

    1. 产品简介


    产品类型:HEXFET Power MOSFET(超结场效应晶体管)
    主要功能:
    - 提供高效的电源开关功能,适用于各类电力电子应用。
    - 支持高电流和低导通电阻,具有优异的开关性能。
    应用领域:
    - 电池充电器
    - 高频逆变器
    - 电机控制
    - 工业自动化系统

    2. 技术参数


    - 封装类型:SO-8(标准行业封装)
    - 绝对最大额定值:
    - 漏源电压(VDS):-30V
    - 栅源电压(VGS):±20V
    - 持续漏极电流(ID):-16A(TA = 25°C),-13A(TA = 70°C)
    - 脉冲漏极电流(IDM):-130A
    - 功耗(PD):2.5W(TA = 25°C),0.02W/°C 线性降额
    - 工作温度范围(TJ):-55°C 到 +150°C
    - 储存温度范围(TSTG):-55°C 到 +150°C
    - 静态特性:
    - 击穿电压(BVDSS):-30V
    - 导通电阻(RDS(on)):6.6mΩ(@VGS=-10V),10.2mΩ(@VGS=-4.5V)
    - 门限电压(VGS(th)):-2.4V(典型)
    - 门电容(Qg):31nC(典型)
    - 动态特性:
    - 关断延迟时间(td(off)):160ns
    - 开启延迟时间(td(on)):19ns
    - 上升时间(tr):64ns
    - 下降时间(tf):120ns

    3. 产品特点和优势


    - 低导通电阻:RDS(on) 在不同栅源电压下的变化小,使得在不同工作条件下依然保持低损耗。
    - 宽温度范围:可以在极端温度环境下正常工作,保证了可靠性。
    - 低栅电荷:Qg 较低,有利于提高开关速度,减少驱动功率消耗。
    - 高可靠性:符合 RoHS 规范,无铅、无溴化物和无卤素,对环境友好。
    - 多供应商兼容性:适用于多种封装和装配流程,提升了应用的灵活性。

    4. 应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 在高频逆变器中,利用其低导通电阻和快速开关特性,实现高效能的电源转换。
    - 在电池充电器中,通过优化电路设计,达到更高的充电效率和稳定性。
    使用建议:
    - 在选择驱动器时,考虑栅极电荷(Qg)和驱动电阻(RG)的影响,以确保稳定的开关行为。
    - 使用适当的散热设计,特别是当处于高功率运行状态时,避免过热导致的损坏。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:该产品支持标准的 SO-8 封装,兼容于多数 PCB 设计和制造工艺。
    - 支持:制造商提供详细的电气特性和热特性曲线,帮助工程师进行精确设计。另外,还可联系国际整流器销售代表获取更多信息和支持。

    6. 常见问题与解决方案


    | 问题描述 | 解决方案 |

    | 过温保护失效 | 确保正确安装散热片,并监控温度,必要时增加外部冷却措施。 |
    | 开关性能不佳 | 仔细检查电路设计,确保门电阻(RG)和驱动信号的波形符合要求。 |

    7. 总结和推荐


    总结:
    IRF9317PbF 是一款高性能的 HEXFET Power MOSFET,具备优秀的导通电阻和宽泛的工作温度范围,特别适合需要高效率和高可靠性的电力电子应用。
    推荐:
    强烈推荐使用 IRF9317PbF 在各种电力电子系统中,无论是作为直流-交流转换还是电池管理系统的部分,都能表现出色。通过遵循制造商的指导和设计建议,可最大化发挥其性能优势。

IRF9317TRPBF参数

参数
FET类型 1个P沟道
通道数量 -
Id-连续漏极电流 16A
Rds(On)-漏源导通电阻 6.6mΩ@ 16A,10V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.4V@ 50µA
Vds-漏源极击穿电压 30V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 2.82nF@15V
最大功率耗散 2.5W(Ta)
配置 独立式withbuilt-indiode
栅极电荷 92nC@ 10 V
Vgs-栅源极电压 20V
4.98mm(Max)
3.99mm(Max)
1.72mm(Max)
通用封装 SOIC-8
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

IRF9317TRPBF厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

IRF9317TRPBF数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) INFINEON TECHNOLOGIES IRF9317TRPBF IRF9317TRPBF数据手册

IRF9317TRPBF封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ ¥ 4.9362
10+ ¥ 3.9176
50+ ¥ 3.6295
100+ ¥ 3.2908
500+ ¥ 3.1242
1000+ ¥ 2.9382
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