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IPP50R190CE

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 152W(Tc) 20V 3.5V@ 510µA 47.2nC@ 10 V 1个N沟道 500V 190mΩ@ 6.2A,13V 24.8A 1.137nF@100V TO-220 通孔安装 10mm*4.4mm*15.65mm
供应商型号: 726-IPP50R190CE
供应商: Mouser
标准整包数: 1
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) IPP50R190CE

IPP50R190CE概述


    产品简介


    基本介绍
    IPW50R190CE 和 IPP50R190CE 是由 Infineon Technologies 生产的CoolMOS CE系列功率晶体管,属于MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)类别。CoolMOS CE 系列采用超级结(Super Junction, SJ)原理,结合了高效能和成本效益的优势,使其在目标应用中成为标准 MOSFET 的优秀替代品。这些产品主要用于电源设计中的高电压开关应用,如功率因数校正(PFC)阶段、硬开关脉宽调制(PWM)阶段及谐振开关 PWM 阶段,广泛应用于 PC Silverbox、LCD 和 PDP TV 以及照明系统中。

    技术参数


    以下是 IPW50R190CE 和 IPP50R190CE 的关键技术规格:
    - 额定电压 (VDS):550V
    - 最大连续漏极电流 (ID):24.8A
    - 最大脉冲漏极电流 (ID,pulse):63A
    - 反向恢复时间 (trr):280ns
    - 输出电容 (Coss):68pF
    - 栅源电荷 (Qg):47.2nC
    - 反向恢复电荷 (Qrr):3.2μC
    - 导通电阻 (RDS(on)):0.19Ω (典型值)
    - 热阻 (RthJC):0.82°C/W (典型值)

    产品特点和优势


    - 低损耗:极低的 FOM (RdsonQg) 和 Eoss 使得在高频开关应用中效率更高。
    - 高耐压能力:能够承受高达 550V 的电压,适合在高电压环境下工作。
    - 易于驱动:简化了电路设计,降低了驱动复杂度。
    - 环保材料:无铅镀层和无卤素模具化合物,符合工业级标准(J-STD20 和 JESD22)。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - PFC 阶段:用于提高电源转换效率,减少能源浪费。
    - 硬开关 PWM 阶段:适用于需要快速响应的功率控制电路。
    - 谐振开关 PWM 阶段:用于需要较高稳定性的场合,如显示器电源。
    使用建议
    - 热管理:由于热阻较低,建议合理安排散热片以确保器件正常工作。
    - 驱动电路设计:根据产品特性选择合适的驱动电路,以优化整体系统的性能。

    兼容性和支持


    - 封装类型:PG-TO 247 和 PG-TO 220
    - 兼容性:可与其他采用相同封装的标准 MOSFET 互换使用。
    - 技术支持:提供详尽的技术文档和支持,包括测试电路和应用指南。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 散热不良导致过热 | 使用适当的散热措施,例如增加散热片面积或改善气流。 |
    | 导通电阻过高 | 检查驱动信号是否正确,确保 VGS 足够大。 |
    | 反向恢复时间长 | 尽量降低开关频率,以减轻对反向恢复时间的要求。 |

    总结和推荐


    综合评估
    IPW50R190CE 和 IPP50R190CE 具有优异的电气特性和良好的热管理性能,适合用于多种高电压开关应用中。其低损耗、高可靠性以及易用性使其在同类产品中具有明显优势。通过合理的使用和维护,这些器件可以显著提升系统的整体性能。
    推荐结论
    强烈推荐使用 IPW50R190CE 和 IPP50R190CE 在需要高性能和高可靠性的高电压开关应用中。无论是设计新系统还是升级现有系统,这些器件都能提供出色的解决方案。

IPP50R190CE参数

参数
栅极电荷 47.2nC@ 10 V
Id-连续漏极电流 24.8A
FET类型 1个N沟道
配置 独立式
Vds-漏源极击穿电压 500V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 1.137nF@100V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V@ 510µA
最大功率耗散 152W(Tc)
Rds(On)-漏源导通电阻 190mΩ@ 6.2A,13V
通道数量 1
Vgs-栅源极电压 20V
长*宽*高 10mm*4.4mm*15.65mm
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售
包装方式 散装,管装

IPP50R190CE厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

IPP50R190CE数据手册

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INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) INFINEON TECHNOLOGIES IPP50R190CE IPP50R190CE数据手册

IPP50R190CE封装设计

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3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ $ 2.576 ¥ 21.7672
10+ $ 1.863 ¥ 15.7424
100+ $ 1.3932 ¥ 11.7725
500+ $ 1.1556 ¥ 9.7648
1000+ $ 0.9968 ¥ 8.4233
2500+ $ 0.9209 ¥ 7.7812
5000+ $ 0.9135 ¥ 7.7191
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