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JANTX2N6770

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 150KW 20V 4V 120nC(Max) @ 10V 1个N沟道 500V 500mΩ@ 10V 7.75A TO-204AE 导线安装,通孔安装
供应商型号:
供应商:
标准整包数: 0
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) JANTX2N6770

JANTX2N6770概述


    产品简介


    产品名称:JANTX、JANTXV 2N6764, 2N6766, 2N6768, 2N6770系列MOSFET功率晶体管
    产品类型:这些是N沟道增强型MOSFET功率晶体管,采用TO-204封装。
    主要功能:
    - 低导通电阻(RDS(on))
    - 易于并联
    - 符合MIL-PRF-19500/543标准
    应用领域:
    - 军事应用,如小型化、高性能、高可靠性要求的场合
    - 开关电源、电机控制、逆变器、斩波器、音频放大器及高能量脉冲电路

    技术参数


    | 参数 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 | 测试条件 |
    |
    | BVDSS (击穿电压) | 100 | 200 | 500 | V | VG S = 0V, ID = 1.0 mA |
    | RDS(on) (导通电阻) 0.055 Ω | VG S = 10 V, ID = 24 A |
    | ID (连续漏极电流) 38 A | VGS = 10V, TC = 25°C |
    | PD (最大耗散功率) 150 W | TC = 25°C |
    | VGS(th) (栅极阈值电压) | 2.0 4.0 | V | VDS = VG S, ID = 250 µA |
    | tD(on) (开通延迟时间) 35 | ns | VDD = 50 V, ID = 38A, RG = 2.35 |

    产品特点和优势


    特点:
    - 低导通电阻:确保低功耗和高效能。
    - 易于并联:便于实现大功率输出。
    - 军事级别认证:符合MIL-PRF-19500/543标准,适合严苛环境下的应用。
    优势:
    - 小型化设计:适用于空间受限的应用场合。
    - 高可靠性和高性能:确保长期稳定运行。
    - 广泛的应用范围:适应多种电子设备和系统。

    应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 开关电源:利用其高效率和快速开关特性来实现高效的电源转换。
    - 电机控制:具备低导通电阻,适用于需要高精度控制的应用。
    - 逆变器:快速的开关速度和低损耗使其成为理想的逆变器组件。
    使用建议:
    - 在高温环境中使用时,注意散热设计以防止过热。
    - 并联使用时,确保所有MOSFET的工作条件一致,以避免不平衡。

    兼容性和支持


    兼容性:
    - 与现有的电路设计兼容,可直接替换旧型号的MOSFET。
    - 可与各种标准电路板兼容。
    支持和服务:
    - 厂商提供全面的技术支持和售后服务。
    - 用户手册和应用指南齐全,便于用户参考。

    常见问题与解决方案


    常见问题:
    1. 如何选择合适的MOSFET?
    - 确认所需的电压等级和电流能力,参考产品的电气特性表进行选择。

    2. 如何进行散热设计?
    - 选用合适的散热器,并保证良好的接触面。可以考虑添加散热膏以提高热传导效率。
    解决方案:
    1. 正确选择MOSFET:
    - 查看产品手册,对比所需的电压和电流需求。

    2. 有效散热设计:
    - 选用合适尺寸的散热器,并使用散热膏以提高热传递效果。

    总结和推荐


    总结:
    - JANTX、JANTXV 2N6764, 2N6766, 2N6768, 2N6770系列MOSFET功率晶体管具备优异的性能和高可靠性,特别适合在高要求的应用中使用。
    - 具备低导通电阻和易于并联的特点,能够在各种环境下稳定工作。
    推荐:
    - 强烈推荐用于对性能和可靠性有严格要求的应用,特别是军事领域和高性能工业设备。

JANTX2N6770参数

参数
通道数量 1
Vds-漏源极击穿电压 500V
Id-连续漏极电流 7.75A
FET类型 1个N沟道
Vgs-栅源极电压 20V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
最大功率耗散 150KW
栅极电荷 120nC(Max) @ 10V
配置 独立式
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4V
Rds(On)-漏源导通电阻 500mΩ@ 10V
39.37mm(Max)
25.53mm(Max)
7.74mm(Max)
通用封装 TO-204AE
安装方式 导线安装,通孔安装
零件状态 在售

JANTX2N6770厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

JANTX2N6770数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) INFINEON TECHNOLOGIES JANTX2N6770 JANTX2N6770数据手册

JANTX2N6770封装设计

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