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IRLR8726PBF

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: Infineon N沟道增强型MOS管 HEXFET系列, Vds=30 V, 86 A, DPAK (TO-252)封装, 表面贴装, 3引脚
供应商型号: 6887244
供应商: 海外现货
标准整包数: 10
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) IRLR8726PBF

IRLR8726PBF概述


    产品简介


    IRLR8726PbF 和 IRLU8726PbF 是来自国际整流器公司(International Rectifier)的高频率同步降压转换器和隔离式直流-直流转换器所用的HEXFET® 功率MOSFET。这两种型号的产品分别采用D-Pak 和 I-Pak 封装形式。它们在计算机处理器电源和电信及工业设备中具有广泛应用。

    技术参数


    基本规格
    - VDS (最大值):30V
    - RDS(on) 最大值:5.8mΩ (VGS = 10V)
    - Qg (典型值):15nC
    绝对最大额定值
    - VDS:漏极到源极电压最大值 30V
    - VGS:栅极到源极电压 20V
    - ID:连续漏极电流,VGS=10V 时最大值 86A
    - PD:最大功率耗散 2.5W(Tc=25°C),3.8W(Tc=100°C)
    - 热阻:RθJC 为 2.0°C/W,RθJA 为 50°C/W(PCB安装),110°C/W
    静态特性
    - BVDSS:漏极到源极击穿电压 30V
    - RDS(on):静态漏极到源极导通电阻 最大 5.8mΩ
    - VGS(th):栅极阈值电压 1.35V 到 2.35V
    - IDSS:漏极到源极漏电流 最大 1μA
    - IGSS:栅极到源极正向漏电流 最大 100nA
    - IGSS:栅极到源极反向漏电流 最大 -100nA
    其他参数
    - gfs:前向跨导 73S
    - Qg:总栅极电荷 15nC
    - Qgd:栅极到漏极电荷 5.7nC
    - Ciss:输入电容 2150pF
    - Coss:输出电容 480pF
    - Crss:反向传输电容 205pF

    产品特点和优势


    IRLR8726PbF 和 IRLU8726PbF 的主要优势包括:
    - 非常低的RDS(on):在4.5V VGS 下,其导通电阻显著降低。
    - 超低栅极阻抗:减少了开关损耗。
    - 完全表征的雪崩电压和电流特性:确保了更高的可靠性。
    - 无铅和符合RoHS标准:环保且安全。

    应用案例和使用建议


    这些MOSFET在多种高频电源转换器中得到广泛应用,例如:
    - 高频率同步降压转换器:适用于计算机处理器的电源管理。
    - 高频率隔离式直流-直流转换器:用于电信和工业设备的电源管理。
    建议在设计时考虑到:
    - 散热设计:由于较高的功耗和温度敏感性,需要良好的散热设计以保证性能。
    - 驱动电路:选择合适的栅极电阻(如2.0Ω 至 3.5Ω)以平衡开关速度和功耗。

    兼容性和支持


    这些MOSFET具有良好的通用性和易用性,可以与现有的电源管理和控制电路兼容。厂商提供相关的技术支持和维护服务,可以通过国际整流器公司的网站或销售代表获取相关信息。

    常见问题与解决方案


    - 问题1:MOSFET过热。
    - 解决办法:优化散热设计,增加散热片或改进电路布局以减少热阻。

    - 问题2:开关时间不稳定。
    - 解决办法:检查并调整驱动电路的参数,特别是栅极电阻的选择。

    总结和推荐


    总的来说,IRLR8726PbF 和 IRLU8726PbF 是高性能的功率MOSFET,特别适合于高频率的电力电子应用。其低RDS(on) 和高可靠性的特点使其在计算机和工业领域具有广泛的适用性。强烈推荐这些产品给需要高效能和高可靠性的电源转换设计者。

IRLR8726PBF参数

参数
Id-连续漏极电流 86A
最大功率耗散 75W(Tc)
栅极电荷 23nC@ 4.5 V
Rds(On)-漏源导通电阻 5.8mΩ@ 25A,10V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.35V@ 50µA
FET类型 1个N沟道
Vgs-栅源极电压 20V
配置 独立式
Vds-漏源极击穿电压 30V
通道数量 1
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 2.15nF@15V
6.73mm(Max)
6.22mm(Max)
2.52mm(Max)
通用封装 DPAK
安装方式 贴片安装
零件状态 停产
包装方式 管装

IRLR8726PBF厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

IRLR8726PBF数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) INFINEON TECHNOLOGIES IRLR8726PBF IRLR8726PBF数据手册

IRLR8726PBF封装设计

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