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BSO200P03SHXUMA1

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 1.56W(Ta) 25V 1.5V@ 100µA 54nC@ 10 V 1个P沟道 30V 20mΩ@ 9.1A,10V 7.4A 2.33nF@25V SOP 贴片安装
供应商型号: UA-BSO200P03SHXUMA1
供应商: 海外现货
标准整包数: 2500
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) BSO200P03SHXUMA1

BSO200P03SHXUMA1概述

    BSO200P03S H OptiMOS™-P Power Transistor

    1. 产品简介


    产品名称: BSO200P03S H OptiMOS™-P Power Transistor
    产品类型: P-Channel MOSFET
    主要功能: 高效开关,逻辑电平驱动,耐高温,符合RoHS标准
    应用领域: 汽车电子、工业控制、电源管理、通信设备

    2. 技术参数


    - 连续漏极电流: TA=25°C 时为 -9.1A/-7.4A;TA=70°C 时为 -7.3A/-5.9A
    - 脉冲漏极电流: TA=25°C 时
    - 雪崩能量: 单脉冲,ID=-9.1A, RG=25Ω 时为 mJ
    - 最大热阻: 结到焊接点 35K/W
    - 最大结温: 150°C
    - 封装: PG-DSO-8
    - 栅源电压: ±25V
    - 输出电容: 470-625pF
    - 输入电容: 1750-2330pF
    - 反向转移电容: 390-580pF
    - 零门限电压漏极电流: VGS=0V, VDS=-30V, TJ=25°C 时为 -0.1μA 至 -1μA
    - 最大栅极耗散功率: TA=25°C 时为 2.36W
    - 额定工作温度范围: -55°C 至 +150°C
    - 存储温度范围: -60°C 至 +180°C
    - 封装类型: PG-DSO-8

    3. 产品特点和优势


    - 逻辑电平驱动: 无需外部升压电路即可直接由逻辑电平信号控制,简化电路设计。
    - 高温性能: 最高可承受150°C的工作温度,适合恶劣环境下的应用。
    - 增强模式: 开关损耗低,适用于高频应用。
    - 无铅封装: 符合RoHS标准,环保友好。
    - 无卤素: 符合IEC61249-2-21标准,适用于医疗和汽车电子领域。

    4. 应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 在汽车电子中用于电池管理系统(BMS)中,作为开关管使用。
    - 在工业控制系统中用于电源管理模块,实现高效能开关控制。
    使用建议:
    - 建议在低温环境下进行测试以确保产品的可靠性。
    - 注意散热设计,特别是在高电流应用中,以防止过热损坏。
    - 采用适当的PCB设计和散热措施,提高产品的使用寿命。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性: 与其他主流MOSFET产品具有良好的兼容性,便于替换和升级。
    - 支持和服务: Infineon提供全面的技术支持和售后服务,包括设计咨询和技术文档。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题: 产品在高温环境下工作不稳定。
    - 解决办法: 确保良好的散热设计,如增加散热片或优化PCB布局。
    - 问题: 开关过程中出现明显的电磁干扰。
    - 解决办法: 使用屏蔽电缆和合适的接地设计减少干扰。
    - 问题: 产品的漏电流过高。
    - 解决办法: 检查并优化电路设计,确保门极驱动信号稳定。

    7. 总结和推荐


    总结: BSO200P03S H OptiMOS™-P Power Transistor 是一款高性能的P-Channel MOSFET,具有优秀的高温性能和逻辑电平驱动能力。它特别适用于需要高可靠性和高温稳定性的应用场景。
    推荐: 基于其出色的性能和广泛的应用领域,我们强烈推荐这款产品。无论是对于汽车电子、工业控制还是通信设备,BSO200P03S H 都是一款值得信赖的选择。

BSO200P03SHXUMA1参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 2.33nF@25V
Vgs-栅源极电压 25V
栅极电荷 54nC@ 10 V
Rds(On)-漏源导通电阻 20mΩ@ 9.1A,10V
Vds-漏源极击穿电压 30V
Id-连续漏极电流 7.4A
FET类型 1个P沟道
通道数量 -
配置 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.5V@ 100µA
最大功率耗散 1.56W(Ta)
通用封装 SOP
安装方式 贴片安装
零件状态 新设计不推荐
包装方式 卷带包装

BSO200P03SHXUMA1厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

BSO200P03SHXUMA1数据手册

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INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) INFINEON TECHNOLOGIES BSO200P03SHXUMA1 BSO200P03SHXUMA1数据手册

BSO200P03SHXUMA1封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
2500+ $ 0.3925 ¥ 3.2892
5000+ $ 0.3663 ¥ 3.0692
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起订量: 2500 增量: 2500
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