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IRFS4410ZPBF

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 230W(Tc) 20V 4V@ 150µA 120nC@ 10 V 1个N沟道 100V 9mΩ@ 58A,10V 97A 4.82nF@50V D2PAK 贴片安装
供应商型号: CY-IRFS4410ZPBF
供应商: Avnet
标准整包数: 1
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) IRFS4410ZPBF

IRFS4410ZPBF概述

    HEXFET Power MOSFET 技术手册解析

    产品简介


    HEXFET Power MOSFET 是一种先进的功率半导体器件,广泛应用于各种电力电子系统中。它采用了领先的沟道技术,确保高效率、低损耗和出色的耐用性。产品分为多种封装形式(如TO-220AB、D2Pak和TO-262),适用于不同的电路设计需求。其主要功能是用作开关元件,尤其在需要高电流承载能力的场景下表现优异。
    主要应用领域包括:
    - 开关模式电源(SMPS)中的同步整流
    - 不间断电源(UPS)设计
    - 高速功率开关场合
    - 硬开关和高频电路

    技术参数


    以下是关键的技术规格和性能参数:
    | 参数 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |

    | 漏源电压(VDSS) | - | 100 | - | V |
    | 栅极开启电压(VGS(th)) | 2.0 | 4.0 | - | V |
    | 漏极导通电阻(RDS(on)) | - | 7.2 | 9.0 | mΩ |
    | 漏极连续电流(ID) | - | 97 | - | A |
    | 脉冲漏极电流(IDM) | - | 390 | - | A |
    | 栅极-源极电容(Ciss) | - | 4820 | - | pF |
    | 有效输出电容(Coss eff.) | 420 | - | 690 | pF |
    | 反向恢复时间(trr) | - | 38-57 | - | ns |
    其他关键指标还包括动态开关特性和可靠性测试结果,例如允许的峰值dV/dt、dI/dt能力以及单脉冲雪崩能量。

    产品特点和优势


    1. 卓越的坚固性:改进的栅极、雪崩和动态dV/dt鲁棒性,使其适用于恶劣的工作条件。
    2. 全面表征的电容与雪崩安全区(SOA):产品特性经过严格的测试,确保长期稳定运行。
    3. 增强的反向恢复特性:显著提高了反向恢复速度和降低能耗。
    4. 环保特性:无铅设计,符合RoHS标准且不含卤素,满足绿色制造要求。
    这些特点使其在高效能转换、低功耗应用中脱颖而出,具有强大的市场竞争力。
    应用案例与使用建议
    1. 高效率同步整流:HEXFET MOSFET 可以显著提升SMPS的效率,在高频同步整流设计中表现出色。
    2. 不间断电源(UPS):适合用于储能系统的高压快速切换场景,确保长时间供电稳定性。
    3. 硬开关电路优化:通过精确的驱动设计可减少开关损耗并延长使用寿命。
    使用建议:
    - 确保驱动电压(VGS)适配到推荐范围,避免过高的栅极电压导致击穿。
    - 针对高频应用,优先考虑使用引脚间距更大的D2Pak封装以提高散热效率。

    兼容性和支持


    HEXFET Power MOSFET 完全兼容主流PCB布局工具和焊接工艺,提供D2Pak、TO-220AB和TO-262等多种封装选择。厂商提供详尽的应用指南和技术支持文档(如AN-994),帮助用户优化电路设计并加速产品上市进程。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 启动时出现过热现象 | 检查散热片设计是否合理,增加热管理措施。 |
    | 雪崩电流超过额定值 | 减少负载电流或改进保护电路逻辑。 |
    | 栅极电荷过高 | 调整驱动电阻阻值以改善响应速度。 |
    总结与推荐
    综上所述,HEXFET Power MOSFET 是一款高性能、高可靠性的电子元器件,特别适用于需要高效能转换的电力电子系统。凭借其优良的耐用性、低损耗特性和环保属性,该产品在工业级和消费级应用中均具有广泛潜力。对于需要高性能MOSFET的项目,强烈推荐选择HEXFET系列。
    建议根据具体应用场景选择合适的封装形式和型号,并结合应用指南进行优化设计。未来版本有望进一步扩展其适用范围及功能集成度,助力更多前沿电力电子解决方案的实现。

IRFS4410ZPBF参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 100V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 4.82nF@50V
Vgs-栅源极电压 20V
Rds(On)-漏源导通电阻 9mΩ@ 58A,10V
栅极电荷 120nC@ 10 V
最大功率耗散 230W(Tc)
FET类型 1个N沟道
配置 独立式
Id-连续漏极电流 97A
通道数量 1
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4V@ 150µA
10.67mm(Max)
9.65mm(Max)
5.08mm(Max)
通用封装 D2PAK
安装方式 贴片安装
零件状态 停产
包装方式 管装

IRFS4410ZPBF厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

IRFS4410ZPBF数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) INFINEON TECHNOLOGIES IRFS4410ZPBF IRFS4410ZPBF数据手册

IRFS4410ZPBF封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
100+ $ 0.9972 ¥ 8.5812
300+ $ 0.9881 ¥ 8.5039
500+ $ 0.9789 ¥ 8.4266
1000+ $ 0.9515 ¥ 8.0401
5000+ $ 0.9515 ¥ 8.0401
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