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IPB073N15N5ATMA1

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: Infineon N沟道MOS管 OptiMOS™ 5系列, Vds=150 V, 114 A, TO 263封装, 表面贴装, 3引脚
供应商型号: REB-TMOS3278
供应商: 海外现货
标准整包数: 1000
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) IPB073N15N5ATMA1

IPB073N15N5ATMA1概述


    产品简介


    IPB073N15N5 D²PAK MOSFET
    IPB073N15N5 是一种采用 D²PAK 封装的 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),具有优异的性能和高可靠性。其主要功能是在高频开关和同步整流应用中作为开关器件。IPB073N15N5 的主要应用领域包括电源管理、电动机控制、通信设备以及任何需要高频率和高效率的应用场景。

    技术参数


    - 最大额定值
    - 漏源击穿电压:150 V
    - 持续漏极电流:114 A (TC=25°C)
    - 脉冲漏极电流:456 A (TC=25°C)
    - 反向恢复电荷:96 nC
    - 栅源电压:±20 V
    - 最大功率耗散:214 W (TC=25°C)
    - 工作温度范围:-55°C 至 175°C
    - 热特性
    - 结至外壳热阻:0.4 至 0.7 K/W
    - 结至环境最小热阻:62 K/W
    - 结至环境带有 6 cm² 散热面积热阻:40 K/W
    - 电气特性
    - 零栅源电压漏极电流:10 μA (VDS=120V, VGS=0V, Tj=25°C)
    - 栅源泄漏电流:1 至 100 nA (VGS=20V, VDS=0V)
    - 漏源导通电阻:5.6 至 7.3 mΩ (VGS=10V, ID=57A)
    - 输入电容:3600 至 4700 pF (VGS=0V, VDS=75V, f=1MHz)

    产品特点和优势


    - 低导通电阻:典型值为 7.3 mΩ,可实现高效低损耗操作。
    - 高击穿电压:高达 150V,适合高压应用。
    - 快速反向恢复:96 nC 的低反向恢复电荷,适用于高频开关。
    - 高工作温度:175°C 的高温运行能力,提高系统可靠性。
    - 无铅无卤素:符合环保要求,适合绿色电子产品。
    - 快速开关特性:低栅极电荷使得器件具有出色的开关速度。

    应用案例和使用建议


    - 高频开关电源:用于 DC-DC 转换器中,减少能量损失并提高效率。
    - 电动机驱动器:可用于工业电动机控制系统中,实现精确控制。
    - 通信设备:应用于通信设备的电源管理系统,提高系统的可靠性和稳定性。
    使用建议:
    - 在选择散热片时,确保热阻低于计算值,以避免过热问题。
    - 在高电流条件下使用时,需考虑瞬态电流的影响,避免损坏。

    兼容性和支持


    - 兼容性:IPB073N15N5 与大多数标准电路板设计兼容,适合多种封装尺寸。
    - 支持:厂商提供详尽的技术文档和客户支持,帮助解决安装和使用过程中可能遇到的问题。

    常见问题与解决方案


    - 问题:IPB073N15N5 的栅极电荷过高。
    - 解决方法:选择合适的外部栅极电阻来限制电流,从而降低栅极电荷。
    - 问题:过高的结温导致器件损坏。
    - 解决方法:增加散热片,改善散热条件,确保工作温度在允许范围内。

    总结和推荐


    IPB073N15N5 MOSFET 是一款高性能、高可靠性的功率器件,具有出色的导通电阻和快速的开关特性。它在高频率应用中表现出色,且具备宽广的工作温度范围,适合各种严苛的工业和商业环境。鉴于其优良的性能和广泛的应用领域,强烈推荐在高频开关电源、电动机驱动器和其他高要求的电力转换系统中使用。

IPB073N15N5ATMA1参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4.6V@ 160µA
配置 独立式
FET类型 1个N沟道
Vds-漏源极击穿电压 150V
Id-连续漏极电流 114A
Rds(On)-漏源导通电阻 7.3mΩ@ 57A,10V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 4.7nF@75V
通道数量 1
最大功率耗散 214W(Tc)
栅极电荷 61nC@ 10 V
Vgs-栅源极电压 20V
长*宽*高 10mm*9.25mm*4.4mm
通用封装 TO-263-3
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 散装,卷带包装

IPB073N15N5ATMA1厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

IPB073N15N5ATMA1数据手册

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IPB073N15N5ATMA1封装设计

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