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IPS80R600P7AKMA1

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 60W(Tc) 20V 3.5V@ 170µA 20nC@ 10 V 1个N沟道 800V 600mΩ@ 3.4A,10V 8A 570pF@500V IPAK 通孔安装
供应商型号: IPS80R600P7AKMA1
供应商: 国内现货
标准整包数: 1
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) IPS80R600P7AKMA1

IPS80R600P7AKMA1概述


    产品简介


    IPS80R600P7 800V CoolMOS™ P7 功率晶体管
    IPS80R600P7 是一款800V的CoolMOS™ P7系列功率晶体管,由Infineon公司研发,旨在提供最佳性能的同时降低使用难度。这款晶体管基于Infineon公司在超结技术上的创新成果,经过超过18年的研究与开发。它主要应用于硬开关和软开关反激拓扑,如LED照明、低功率充电器和适配器、音频、AUX电源及工业电源等领域。同时,它也适用于消费类应用中的功率因数校正(PFC)阶段和太阳能转换系统。

    技术参数


    以下为IPS80R600P7的主要技术参数:
    - 最大耐压值:800V
    - 最大漏源导通电阻RDS(on):0.60Ω
    - 典型栅源阈值电压VGS(th):3V,阈值电压变化范围±0.5V
    - 典型栅源漏电IGSS:1μA
    - 典型栅源漏电流IDSS:1μA(VDS=800V, VGS=0V)
    - 最大连续漏极电流ID:8A
    - 栅到源电荷Qgs:2nC
    - 栅到漏电荷Qgd:8nC
    - 总栅电荷Qg:20nC
    - 有效输出电容Co(tr):252pF
    - 反向恢复时间trr:640ns
    - 反向恢复电荷Qrr:6μC
    - 峰值反向恢复电流Irrm:14A
    - 热阻RthJC:2.1°C/W
    - 热阻RthJA:62°C/W(引线封装)
    - 热阻RthJA(SMD版本):未指定

    产品特点和优势


    特点
    - 高性能:最低的RDS(on) Eoss值,减少Qg、Ciss、Coss
    - 最佳DPAK的RDS(on)
    - 最小的栅源阈值电压变化范围±0.5V
    - 集成的Zener二极管ESD保护
    - 符合工业应用的JEDEC标准
    - 完整优化的产品系列
    优势
    - 最佳的性能表现
    - 支持更高的功率密度设计,节省物料成本和降低组装成本
    - 简化驱动和并联操作
    - 通过减少ESD相关故障提高生产良率
    - 减少生产问题和降低现场退货率
    - 易于选择合适的部件以实现设计微调

    应用案例和使用建议


    应用案例
    IPS80R600P7 主要应用于硬开关和软开关反激拓扑,例如:
    - LED照明
    - 低功率充电器和适配器
    - 音频设备
    - AUX电源
    - 工业电源
    对于MOSFET并联的应用场合,通常建议在门极使用铁氧体磁珠或者分开的对称通道。
    使用建议
    - 在高频率应用中,确保栅极回路的阻抗匹配以减小栅极振铃现象。
    - 考虑使用适当的散热措施以避免过热。
    - 在并联使用多个MOSFET时,建议采用铁氧体磁珠或其他方法来平衡电流分布。

    兼容性和支持


    - IPS80R600P7 使用标准的PG-TO251-3封装,适合大多数工业标准PCB布局。
    - Infineon提供了丰富的在线资源,包括产品网页、设计工具和相关的技术支持服务。

    常见问题与解决方案


    | 问题描述 | 解决方案 |

    | 阈值电压不一致 | 使用相同的批次并检查焊接工艺是否正确。 |
    | 过高的栅极电流 | 检查电路设计以确认正确的驱动电路。 |
    | 热稳定性差 | 增加散热措施或选择热阻较低的封装。 |

    总结和推荐


    IPS80R600P7是一款性能卓越的800V CoolMOS™ P7功率晶体管,具有优异的耐压能力和低功耗特性。其集成的ESD保护功能进一步提高了可靠性,简化了设计过程。此外,其广泛的应用范围和易于使用的特点使其在市场上具有很强的竞争力。总体而言,这是一款非常值得推荐的产品,尤其适合需要高可靠性和高性能的应用场合。

IPS80R600P7AKMA1参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 600mΩ@ 3.4A,10V
通道数量 1
FET类型 1个N沟道
Id-连续漏极电流 8A
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 570pF@500V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V@ 170µA
Vgs-栅源极电压 20V
最大功率耗散 60W(Tc)
Vds-漏源极击穿电压 800V
栅极电荷 20nC@ 10 V
配置 独立式
通用封装 IPAK
安装方式 通孔安装
零件状态 在售
包装方式 散装,管装

IPS80R600P7AKMA1厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

IPS80R600P7AKMA1数据手册

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IPS80R600P7AKMA1封装设计

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