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IPG20N06S4L-14

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 50W 16V 30nC@ 10V 60V 13.7mΩ@ 10V 20A 2.22nF@ 25V SON
供应商型号: Q-IPG20N06S4L-14
供应商: 期货订购
标准整包数: 5000
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) IPG20N06S4L-14

IPG20N06S4L-14概述

    IPG20N06S4L-14 OptiMOS™-T2 Power Transistor

    1. 产品简介


    IPG20N06S4L-14 OptiMOS™-T2 Power Transistor 是一款双通道逻辑电平增强模式N沟道功率场效应晶体管(MOSFET)。它专为高性能电源管理和电动驱动应用设计,具有出色的热性能和电气特性。IPG20N06S4L-14 具备 AEC-Q101 认证,适合在极端环境下使用,并且是绿色产品,符合 RoHS 标准。它广泛应用于汽车、工业控制、电源转换等领域。

    2. 技术参数


    - 主要参数:
    - 持续漏极电流(单个通道):\( ID \) = 20 A(\( TC \)=25°C,\( V{GS} \)=10 V)
    - 脉冲漏极电流(单个通道):\( I{D,pulse} \) = 80 A
    - 击穿电压:\( V{(BR)DSS} \) = 60 V
    - 最大漏源导通电阻:\( R{DS(on)} \) = 13.7 mΩ(\( V{GS} \)=10 V,\( ID \)=17 A)
    - 零栅压漏极电流:\( I{DSS} \) = 0.01 µA(\( Tj \)=25°C)
    - 门限电压:\( V{GS(th)} \) = 1.2 ~ 2.2 V(\( V{DS} \)= \( V{GS} \),\( ID \)= 20 µA)

    - 电气特性:
    - 输入电容:\( C{iss} \) = 2220 ~ 2890 pF
    - 输出电容:\( C{oss} \) = 540 ~ 700 pF
    - 反向转移电容:\( C{rss} \) = 27 ~ 54 pF
    - 开启延迟时间:\( t{d(on)} \) = 8 ns
    - 关闭延迟时间:\( t{d(off)} \) = 40 ns

    - 工作温度范围:
    - 工作温度范围:-55°C ~ +175°C

    3. 产品特点和优势


    IPG20N06S4L-14 具有以下特点和优势:
    - 高可靠性:AEC-Q101 认证,保证在恶劣环境下的稳定运行。
    - 高集成度:提供更高的功率密度和效率。
    - 绿色环保:符合 RoHS 标准,无有害物质。
    - 高耐压:最高击穿电压达 60 V,适用于高压环境。
    - 低导通电阻:最大漏源导通电阻仅 13.7 mΩ,有助于减少功耗和提高效率。

    4. 应用案例和使用建议


    IPG20N06S4L-14 适用于多种应用场景,例如:
    - 电动汽车:作为逆变器中的关键部件,实现高效的能量转换。
    - 工业自动化:用于电机控制和驱动系统中。
    - 电源管理:如开关电源和电池管理系统。
    使用建议:
    - 在高功率应用中,确保良好的散热设计,以维持器件的稳定性。
    - 使用时需注意门极驱动电压的选择,避免过高的电压导致击穿。

    5. 兼容性和支持


    IPG20N06S4L-14 可与各种标准电路板和组件兼容。Infineon Technologies 提供全面的技术支持和售后服务,包括产品咨询、技术文档下载、样品请求和定制化服务。

    6. 常见问题与解决方案


    - Q1: IPG20N06S4L-14 的最大脉冲漏极电流是多少?
    - A1: 最大脉冲漏极电流为 80 A。
    - Q2: 如何确保 IPG20N06S4L-14 在高温环境下的稳定运行?
    - A2: 需要确保良好的散热设计,并采用适当的冷却措施,如外部散热器。

    7. 总结和推荐


    IPG20N06S4L-14 OptiMOS™-T2 Power Transistor 以其高可靠性、高效能和绿色特性,在多种应用中表现出色。我们强烈推荐此产品用于需要高功率密度和低损耗的应用场合。无论是汽车、工业控制还是电源转换领域,IPG20N06S4L-14 都是一个可靠且高效的选择。

IPG20N06S4L-14参数

参数
Id-连续漏极电流 20A
最大功率耗散 50W
Rds(On)-漏源导通电阻 13.7mΩ@ 10V
栅极电荷 30nC@ 10V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 2.22nF@ 25V
通道数量 -
FET类型 -
配置 -
Vds-漏源极击穿电压 60V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Vgs-栅源极电压 16V
通用封装 SON
包装方式 卷带包装

IPG20N06S4L-14厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

IPG20N06S4L-14数据手册

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IPG20N06S4L-14封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
50000+ $ 1.08 ¥ 8.9964
150000+ $ 0.972 ¥ 8.0968
250000+ $ 0.864 ¥ 7.1971
500000+ $ 0.81 ¥ 6.7473
库存: 50000
起订量: 50000 增量: 5000
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最小起订量为:50000
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