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IPN95R1K2P7ATMA1

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: Infineon N沟道增强型MOS管 CoolMOS P7系列, Vds=950 V, 6 A, SOT-223封装, 表面贴装, 3引脚
供应商型号: 2196005
供应商: 海外现货
标准整包数: 10
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) IPN95R1K2P7ATMA1

IPN95R1K2P7ATMA1概述


    产品简介


    IPN95R1K2P7 MOSFET 是一款高性能的超级结(Super Junction)电源器件,属于CoolMOS™ P7系列。它适用于多种电源转换应用,如LED照明、低功率充电器和适配器、智能电表以及工业电源。IPN95R1K2P7在高电压和高电流环境下表现出色,具备卓越的开关特性和耐受能力,是设计高效、紧凑型电源系统的理想选择。

    技术参数


    - 最大额定值
    - 漏极持续电流:6A
    - 脉冲漏极电流:16A
    - 雪崩能量(单脉冲):11mJ
    - 雪崩能量(重复):0.14mJ
    - 栅源电压(静态):-20V至20V
    - 栅源电压(动态):-30V至30V
    - 最大耗散功率:7W
    - 存储温度范围:-55°C至150°C
    - 电气特性
    - 漏源击穿电压:950V
    - 栅阈电压:2.5V至3.5V
    - 栅源泄漏电流:1000nA
    - 漏源导通电阻(VGS=10V时):1.03Ω至2.284Ω
    - 输入电容:478pF
    - 输出电容:7pF
    - 总栅电荷:15nC
    - 热特性
    - 结-壳热阻:17.41°C/W
    - 结-环境热阻(SMD版本):35°C/W至75°C/W

    产品特点和优势


    IPN95R1K2P7 MOSFET拥有诸多显著的优点:
    - 最佳的性能指标:它具有业内领先的FOM(比导通电阻输出电容),同时RDS(on)值非常小,仅为1.03Ω至2.284Ω。
    - 易于驱动和并联:由于其出色的VGS阈值和最小阈值变化(±0.5V),使得它能够轻松并联使用。
    - 集成保护机制:内部包含Zener二极管ESD保护,确保可靠性。
    - 高可靠性:通过全面优化的生产流程,显著降低了因ESD导致的失效问题。

    应用案例和使用建议


    IPN95R1K2P7 MOSFET非常适合用于飞跨拓扑结构的电源设计,特别是在LED照明、低功率充电器和适配器等领域。使用建议如下:
    - 驱动方式:对于并联使用多个MOSFET的情况,建议在栅极添加铁氧体磁珠或者使用独立的推拉电路,以避免电流分配不均。
    - 散热管理:由于高功率运行可能带来较高的热量,建议采用良好的散热设计,尤其是在高温环境中使用时。
    - 应用示例:如用于光伏逆变器中作为主开关管,可以实现高效的能量转换和较低的损耗。

    兼容性和支持


    IPN95R1K2P7 MOSFET具有广泛的兼容性,适用于各种电源设计。厂商提供详细的文档和技术支持,包括模拟模型和设计工具,以便用户进行更精确的设计和测试。Infineon Technologies AG还提供了详尽的技术支持渠道,包括客户反馈系统,确保用户能够在使用过程中获得及时的帮助。

    常见问题与解决方案


    根据技术手册,一些常见的问题及解决方案如下:
    - 问题1:如何并联多个MOSFET?
    - 解决方法:建议使用铁氧体磁珠或独立的推拉电路来均匀分配电流。
    - 问题2:如何进行有效的散热设计?
    - 解决方法:确保PCB设计合理,有足够的铜层面积进行散热,可参考手册中的建议参数。
    - 问题3:如何测试栅电荷?
    - 解决方法:可以利用专业的测试仪器按照手册中的测试电路图进行测量。

    总结和推荐


    IPN95R1K2P7 MOSFET凭借其卓越的性能、可靠性及易用性,在各类电源转换应用中表现优异。该产品为设计人员提供了更高的灵活性和更低的成本效益,特别是在需要高效率和紧凑设计的应用场合。总体而言,强烈推荐使用这款产品来提升系统的整体性能和稳定性。

IPN95R1K2P7ATMA1参数

参数
配置 独立式
Rds(On)-漏源导通电阻 1.2Ω@ 2.7A,10V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 478pF@400V
FET类型 1个N沟道
Id-连续漏极电流 6A
Vds-漏源极击穿电压 950V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V@ 140µA
最大功率耗散 7W(Tc)
Vgs-栅源极电压 20V
栅极电荷 15nC@ 10 V
通道数量 1
通用封装 SOT-223-3
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

IPN95R1K2P7ATMA1厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

IPN95R1K2P7ATMA1数据手册

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INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) INFINEON TECHNOLOGIES IPN95R1K2P7ATMA1 IPN95R1K2P7ATMA1数据手册

IPN95R1K2P7ATMA1封装设计

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