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JANTX2N6845

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 20W 20V 16.3nC(Max) @ 10V 1个P沟道 100V 650mΩ@ 10V 380pF@ 25V TO-205AF-3 通孔安装 8.3mm*8.3mm*4.54mm
供应商型号: AMS-JANTX2N6845
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) JANTX2N6845

JANTX2N6845概述

    # 电子元器件技术手册:IRFF9120功率MOSFET

    产品简介


    基本信息
    IRFF9120是一款由International Rectifier公司生产的P沟道功率MOSFET,属于HEXFET系列的一部分。它适用于各种高可靠性的电力电子应用,如开关电源、电机控制、逆变器、斩波器、音频放大器及高能脉冲电路等。其特点在于高效能几何设计和独特的加工工艺,使其具备低导通电阻和高跨导特性。
    主要功能
    - 低导通电阻(RDS(on)):典型值为0.60Ω(VGS=-10V, ID=-2.6A时),确保高效的电能转换。
    - 快速开关特性:适合高速应用,减少开关损耗。
    - 温度稳定性:电气参数随温度变化小,保证长期稳定性。
    - 电压控制:易于驱动,无需复杂控制电路。
    应用领域
    - 开关电源
    - 电机控制
    - 逆变器
    - 斩波器
    - 音频放大器
    - 高能脉冲电路

    技术参数


    绝对最大额定值
    | 符号 | 参数 | 数值 | 单位 |

    | ID1 | VGS=-10V, TC=25°C时连续漏极电流 | -4.0 | A |
    | ID2 | VGS=-10V, TC=100°C时连续漏极电流 | -2.6 | A |
    | IDM | TC=25°C时脉冲漏极电流 | -16 | A |
    | PD | TC=25°C时最大耗散功率 | 20 | W |
    | VGS | 栅源电压 | ±20 | V |
    | EAS | 单脉冲雪崩能量 | 364 | mJ |
    | IAR | 雪崩电流 | -4.0 | A |
    | EAR | 重复雪崩能量 | 2.0 | mJ |
    | dv/dt | 峰值二极管恢复dv/dt | -5.0 | V/ns |
    热阻
    | 符号 | 参数 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | RθJC | 结到外壳热阻 | - | - | 6.25 | °C/W |
    | RθJA | 结到环境热阻(典型插座安装) | - | - | 175 | °C/W |
    电气特性
    | 符号 | 参数 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 | 测试条件 |

    | BVDSS | 漏源击穿电压 | -100 | - | - | V | VGS=0V, ID=-1.0mA |
    | ΔBVDSS/ΔTJ | 击穿电压温度系数 | - | -0.10 | - | V/°C | 参考至25°C,ID=-1.0mA |
    | RDS(on) | 漏源导通电阻 | - | - | 0.60 | Ω | VGS=-10V, ID2=-2.6A |
    | VGS(th) | 栅阈值电压 | -2.0 | - | -4.0 | V | VDS=VGS, ID=-250μA |
    | Gfs | 正向跨导 | 1.25 | - | - | S | VDS=-15V, ID2=-2.6A |

    产品特点和优势


    产品优势
    1. 低导通电阻:显著降低损耗,提高效率。
    2. 快速开关特性:响应快,减少开关损耗。
    3. 良好的温度稳定性:适合极端环境下的稳定运行。
    4. 高雪崩耐受能力:确保在极端工作条件下依然可靠。
    5. 简单的驱动要求:易于集成到现有系统中,减少开发成本。
    独特功能
    - 动态dv/dt:具备较高的动态dv/dt评级,增强可靠性。
    - 密封结构:采用全密封封装,提高抗干扰能力和使用寿命。
    - 静电放电防护:ESD评级达到Class 1B(MIL-STD-750 Method 1020),提供可靠保护。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    IRFF9120广泛应用于各种电力转换和控制系统中,例如:
    - 在开关电源中作为主控MOSFET,实现高效的电压转换。
    - 在电机控制系统中进行精确的速度和位置控制。
    - 在逆变器和斩波器中作为关键组件,完成复杂的电力转换任务。
    使用建议
    1. 散热设计:考虑到其高功率密度特性,需要良好的散热措施,如使用散热片或风扇,以确保正常工作温度范围内的性能。
    2. 驱动电路优化:尽量简化驱动电路设计,减少外部元件数量,提高系统可靠性。
    3. 防静电措施:由于ESD评级较高,建议在装配过程中采取必要的防静电措施。

    兼容性和支持


    兼容性
    IRFF9120与多种电子元件和系统兼容,尤其是与同类P沟道功率MOSFET和相关控制电路板配合使用效果最佳。
    支持和服务
    Infineon Technologies提供全面的技术支持服务,包括产品文档、软件工具和技术咨询。用户可以通过当地销售代表或访问官网获取更多帮助。

    常见问题与解决方案


    常见问题
    1. 如何确定正确的散热措施?
    2. 如何优化驱动电路设计?
    3. 在高温环境下如何保证稳定性?
    解决方案
    1. 散热措施:根据热阻计算选择合适的散热片或风扇,确保结温不超过安全范围。
    2. 驱动电路设计:采用简单高效的栅极驱动电路,避免过压和过流现象。
    3. 高温稳定性:选用具有高温度稳定性的元件,优化散热设计,定期监测系统温度。

    总结和推荐


    综合评估
    IRFF9120凭借其高效能、高可靠性及广泛的适用性,成为众多电力电子应用的理想选择。其优异的电气特性和紧凑的设计使得它非常适合用于高压、高电流的电力转换场合。
    推荐使用
    强烈推荐在开关电源、电机控制和其他高可靠性电力电子系统中使用IRFF9120。其优秀的性能和广泛的应用范围使其成为市场上的有力竞争者。

JANTX2N6845参数

参数
通道数量 1
Vds-漏源极击穿电压 100V
配置 独立式
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 380pF@ 25V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
FET类型 1个P沟道
Rds(On)-漏源导通电阻 650mΩ@ 10V
Vgs-栅源极电压 20V
最大功率耗散 20W
栅极电荷 16.3nC(Max) @ 10V
Id-连续漏极电流 -
长*宽*高 8.3mm*8.3mm*4.54mm
通用封装 TO-205AF-3
安装方式 通孔安装
应用等级 军用级

JANTX2N6845厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

JANTX2N6845数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) INFINEON TECHNOLOGIES JANTX2N6845 JANTX2N6845数据手册

JANTX2N6845封装设计

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3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ $ 39.06 ¥ 328.104
25+ $ 38.664 ¥ 324.7776
100+ $ 38.28 ¥ 321.552
500+ $ 38.088 ¥ 319.9392
999+ $ 37.884 ¥ 318.2256
库存: 2
起订量: 13 增量: 1
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