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IRF6623TR1PBF

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 42W 20V 2.2V 11nC 1个N沟道 20V 9.7mΩ 16A 直接安装,贴片安装,黏合安装 4.85mm*3.95mm*700μm
供应商型号: 1436919
供应商: element14
标准整包数: 1
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) IRF6623TR1PBF

IRF6623TR1PBF概述

    IRF6623PbF MOSFET 技术手册

    产品简介


    IRF6623PbF 是一款高性能的功率金属氧化物半导体场效应晶体管(Power MOSFET),采用最新一代的HEXFET® 硅技术与先进的DirectFET™ 封装工艺。它适用于高效率的直流到直流转换器,特别适合用于驱动新一代处理器,这些处理器通常运行在较高的频率下。IRF6623PbF 的低导通电阻(Rds(on))和低电荷使其成为高效率电源应用的理想选择。

    技术参数


    - 基本规格:
    - 漏源电压 (VDS): 20V
    - 最大栅源电压 (VGS): ±20V
    - 连续漏极电流 (ID):
    - 在25°C: 13A (VGS=10V)
    - 在70°C: 12A (VGS=10V)
    - 脉冲漏极电流 (IDM): 120A
    - 最大功率耗散 (PD):
    - 在25°C: 55W (VGS=10V)
    - 在70°C: 42W
    - 单脉冲雪崩能量 (EAS): 1.4mJ
    - 热阻 (RθJA): 58°C/W (典型值: 12.5°C/W)
    - 静态参数:
    - 漏源击穿电压 (BVDSS): 20V
    - 栅源阈值电压 (VGS(th)): 1.4V 至 2.2V
    - 总栅极电荷 (Qg): 11nC (典型值)
    - 输出电容 (Coss): 630pF
    - 动态参数:
    - 反向恢复时间 (trr): 20ns 至 30ns
    - 反向恢复电荷 (Qrr): 12nC 至 18nC

    产品特点和优势


    - 低导通电阻: IRF6623PbF 的Rds(on)为5.7mΩ(VGS=10V时),这显著降低了传导损耗。
    - 低电荷: 低栅极电荷 (Qg) 和输出电荷 (Qoss),减少开关损耗。
    - 双面散热: 采用DirectFET封装,允许双面冷却,大大改善了热传递性能,提高了热效率。
    - 兼容现有表面贴装技术: 直接兼容现有的布局几何形状和装配设备。
    - 高效能: 优化的参数设计使其非常适合于同步降压操作。

    应用案例和使用建议


    - 应用案例:
    - 数据中心服务器: 作为高效的DC-DC转换器,能够驱动高性能处理器。
    - 通信设备: 高频信号处理设备中的直流电源。
    - 使用建议:
    - 在设计时确保电路中的电感量和电阻匹配得当,以避免过高的瞬态电压。
    - 使用适当的散热措施,如双面冷却或外部散热片,以维持低工作温度。

    兼容性和支持


    - 兼容性: IRF6623PbF 与现有的表面贴装技术兼容,支持蒸汽相、红外线或对流焊接工艺。
    - 支持: 提供全面的技术支持和文档,包括应用指南AN-1035,帮助客户正确组装和使用DirectFET封装。

    常见问题与解决方案


    - 问题1: 开关过程中发热严重。
    - 解决方法: 增加散热片或改进散热机制,确保双面散热。
    - 问题2: 栅极充电不足导致性能下降。
    - 解决方法: 确保栅极驱动器的输出电压和电流满足要求。
    - 问题3: 过电压损坏。
    - 解决方法: 使用合适的箝位电路来限制电压。

    总结和推荐


    IRF6623PbF MOSFET 结合了低导通电阻、低电荷和优秀的散热性能,是一款非常出色的高效率功率器件。其卓越的性能和广泛的应用范围使其在高要求的应用环境中具有很强的竞争力。对于需要高性能和高效率的电源设计,强烈推荐使用IRF6623PbF。

IRF6623TR1PBF参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.2V
最大功率耗散 42W
栅极电荷 11nC
Id-连续漏极电流 16A
通道数量 1
Vgs-栅源极电压 20V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vds-漏源极击穿电压 20V
配置 独立式
FET类型 1个N沟道
Rds(On)-漏源导通电阻 9.7mΩ
长*宽*高 4.85mm*3.95mm*700μm
安装方式 直接安装,贴片安装,黏合安装
包装方式 卷带包装

IRF6623TR1PBF厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

IRF6623TR1PBF数据手册

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INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) INFINEON TECHNOLOGIES IRF6623TR1PBF IRF6623TR1PBF数据手册

IRF6623TR1PBF封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ $ 2.5872 ¥ 21.6547
10+ $ 2.1526 ¥ 18.017
100+ $ 1.7577 ¥ 14.7119
500+ $ 1.5859 ¥ 13.274
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