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BCR 183W H6327

产品分类: 三极管(BJT)
产品描述: PNP - Pre-Biased 250mW 100nA 50V 100mA SOT-323 贴片安装
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标准整包数: 0
INFINEON TECHNOLOGIES 三极管(BJT) BCR 183W H6327

BCR 183W H6327概述

    BCR183 PNP Silicon Digital Transistor 技术手册

    产品简介


    BCR183是一款PNP硅数字晶体管,广泛应用于多种电子电路中,如开关电路、反相器、接口电路和驱动电路。其内部集成了两个匹配良好的内部隔离晶体管,采用多芯片封装。此外,BCR183符合无铅(RoHS)标准,并已通过AEC Q101认证。

    技术参数


    以下是BCR183的技术规格及其性能参数:
    - 最大额定值
    - 集电极-发射极电压 (VCEO): 50 V
    - 集电极-基极电压 (VCBO): 50 V
    - 输入正向电压 (Vi(fwd)): 40 V
    - 输入反向电压 (Vi(rev)): 10 V
    - 集电极电流 (IC): 100 mA
    - 总功率耗散 (Ptot):
    - BCR183: 在TS ≤ 102°C时为200 mW
    - BCR183S: 在TS ≤ 115°C时为250 mW
    - BCR183U: 在TS ≤ 118°C时为250 mW
    - BCR183W: 在TS ≤ 124°C时为250 mW
    - 结温 (Tj): 150 °C
    - 存储温度 (Tstg): -65 ... 150 °C
    - 热阻 (RthJS):
    - BCR183: ≤ 240 K/W
    - BCR183S: ≤ 140 K/W
    - BCR183U: ≤ 133 K/W
    - BCR183W: ≤ 105 K/W
    - 电气特性
    - 集电极-发射极击穿电压 (V(BR)CEO): 50 V
    - 集电极-基极击穿电压 (V(BR)CBO): 50 V
    - 集电极-基极截止电流 (ICBO): ≤ 100 nA
    - 发射极-基极截止电流 (IEBO): ≤ 0.75 mA
    - 直流电流增益 (hFE): 30
    - 集电极-发射极饱和电压 (VCEsat): ≤ 0.3 V
    - 输入关断电压 (Vi(off)): 0.8 - 1.8 V
    - 输入接通电压 (Vi(on)): 1 - 2.5 V
    - 输入电阻 (R1): 7 - 13 kΩ
    - 交流特性:
    - 转换频率 (fT): 200 MHz
    - 集电极-基极电容 (Ccb): 3 pF

    产品特点和优势


    BCR183的独特之处在于其内部集成的两个匹配良好的内部隔离晶体管,这使得其在电路中的应用更加稳定可靠。其高耐压能力和低功耗特性使其在众多应用中表现出色。此外,BCR183符合无铅标准,具备良好的热稳定性,能够适用于多种环境条件下的工作。

    应用案例和使用建议


    BCR183非常适合用于需要稳定和高效控制的应用场景。例如,在开关电源电路中作为开关元件,在接口电路中作为信号放大器。为了获得最佳效果,建议在设计电路时确保散热良好,并根据具体的工作环境选择合适的封装形式。

    兼容性和支持


    BCR183具有广泛的兼容性,可以轻松集成到现有的电路设计中。Infineon Technologies提供了详尽的技术支持和维护服务,确保用户能够充分利用该产品的性能。

    常见问题与解决方案


    - 问题: 集电极电流超过额定值怎么办?
    - 解决方案: 请检查电路设计,确保外部电流不超过BCR183的最大额定值,并考虑增加散热措施。
    - 问题: 晶体管在高温下性能下降怎么办?
    - 解决方案: 采取有效的散热措施,确保工作温度不超过规定的最大值。

    总结和推荐


    总体而言,BCR183是一款性能优异且易于集成的PNP硅数字晶体管,适合广泛的应用场景。其优秀的电气特性和良好的热稳定性使其成为许多电子项目中的理想选择。强烈推荐在各种电子电路设计中使用BCR183。
    以上是对BCR183 PNP硅数字晶体管的详细介绍。希望这些信息能帮助您更好地了解和应用这一优质产品。

BCR 183W H6327参数

参数 值
VEBO-最大发射极基极电压 -
VCBO-最大集电极基极电压 -
VCEO-集电极-发射极最大电压 50V
配置 -
集电极截止电流 100nA
集电极电流 100mA
最大集电极发射极饱和电压 0.3@ 500µA,10mA
最大功率耗散 250mW
晶体管类型 PNP - Pre-Biased
不同 Ib,Ic 时的 Vce 最大饱和值 -
通用封装 SOT-323
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 散装,卷带装

BCR 183W H6327厂商介绍

英飞凌科技(Infineon Technologies)是一家半导体与系统解决方案供应商,产品组合涵盖模拟器件、微控制器、功率半导体、存储器及车载网络器件,并提供面向汽车、工业、能源和物联网的软硬件方案。

在云汉芯城,用户可通过完整 MPN、产品类别或 BOM 查询 Infineon Technologies 相关型号,如 IRF540NPBF、BTS50085-1TMA、IRFB4227PBF、IRLML6401TRPBF 等,并进一步核对 datasheet、库存、MOQ/SPQ、交期、合规文件需求和可替代型号信息。

【采购提示】型号规格请以 datasheet 为准;库存、价格、MOQ/SPQ 和交期请以实时查询、RFQ 回复或销售确认为准。

BCR 183W H6327数据手册

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BCR 183W H6327封装设计

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