处理中...

首页  >  产品百科  >  BCR 183W H6327

BCR 183W H6327

产品分类: 三极管(BJT)
产品描述: PNP - Pre-Biased 250mW 100nA 50V 100mA SOT-323 贴片安装
供应商型号:
供应商:
标准整包数: 0
INFINEON TECHNOLOGIES 三极管(BJT) BCR 183W H6327

BCR 183W H6327概述

    BCR183 PNP Silicon Digital Transistor 技术手册

    产品简介


    BCR183是一款PNP硅数字晶体管,广泛应用于多种电子电路中,如开关电路、反相器、接口电路和驱动电路。其内部集成了两个匹配良好的内部隔离晶体管,采用多芯片封装。此外,BCR183符合无铅(RoHS)标准,并已通过AEC Q101认证。

    技术参数


    以下是BCR183的技术规格及其性能参数:
    - 最大额定值
    - 集电极-发射极电压 (VCEO): 50 V
    - 集电极-基极电压 (VCBO): 50 V
    - 输入正向电压 (Vi(fwd)): 40 V
    - 输入反向电压 (Vi(rev)): 10 V
    - 集电极电流 (IC): 100 mA
    - 总功率耗散 (Ptot):
    - BCR183: 在TS ≤ 102°C时为200 mW
    - BCR183S: 在TS ≤ 115°C时为250 mW
    - BCR183U: 在TS ≤ 118°C时为250 mW
    - BCR183W: 在TS ≤ 124°C时为250 mW
    - 结温 (Tj): 150 °C
    - 存储温度 (Tstg): -65 ... 150 °C
    - 热阻 (RthJS):
    - BCR183: ≤ 240 K/W
    - BCR183S: ≤ 140 K/W
    - BCR183U: ≤ 133 K/W
    - BCR183W: ≤ 105 K/W
    - 电气特性
    - 集电极-发射极击穿电压 (V(BR)CEO): 50 V
    - 集电极-基极击穿电压 (V(BR)CBO): 50 V
    - 集电极-基极截止电流 (ICBO): ≤ 100 nA
    - 发射极-基极截止电流 (IEBO): ≤ 0.75 mA
    - 直流电流增益 (hFE): 30
    - 集电极-发射极饱和电压 (VCEsat): ≤ 0.3 V
    - 输入关断电压 (Vi(off)): 0.8 - 1.8 V
    - 输入接通电压 (Vi(on)): 1 - 2.5 V
    - 输入电阻 (R1): 7 - 13 kΩ
    - 交流特性:
    - 转换频率 (fT): 200 MHz
    - 集电极-基极电容 (Ccb): 3 pF

    产品特点和优势


    BCR183的独特之处在于其内部集成的两个匹配良好的内部隔离晶体管,这使得其在电路中的应用更加稳定可靠。其高耐压能力和低功耗特性使其在众多应用中表现出色。此外,BCR183符合无铅标准,具备良好的热稳定性,能够适用于多种环境条件下的工作。

    应用案例和使用建议


    BCR183非常适合用于需要稳定和高效控制的应用场景。例如,在开关电源电路中作为开关元件,在接口电路中作为信号放大器。为了获得最佳效果,建议在设计电路时确保散热良好,并根据具体的工作环境选择合适的封装形式。

    兼容性和支持


    BCR183具有广泛的兼容性,可以轻松集成到现有的电路设计中。Infineon Technologies提供了详尽的技术支持和维护服务,确保用户能够充分利用该产品的性能。

    常见问题与解决方案


    - 问题: 集电极电流超过额定值怎么办?
    - 解决方案: 请检查电路设计,确保外部电流不超过BCR183的最大额定值,并考虑增加散热措施。
    - 问题: 晶体管在高温下性能下降怎么办?
    - 解决方案: 采取有效的散热措施,确保工作温度不超过规定的最大值。

    总结和推荐


    总体而言,BCR183是一款性能优异且易于集成的PNP硅数字晶体管,适合广泛的应用场景。其优秀的电气特性和良好的热稳定性使其成为许多电子项目中的理想选择。强烈推荐在各种电子电路设计中使用BCR183。
    以上是对BCR183 PNP硅数字晶体管的详细介绍。希望这些信息能帮助您更好地了解和应用这一优质产品。

BCR 183W H6327参数

参数
最大功率耗散 250mW
晶体管类型 PNP - Pre-Biased
最大集电极发射极饱和电压 0.3@ 500µA,10mA
不同 Ib,Ic 时的 Vce 最大饱和值 -
VEBO-最大发射极基极电压 -
VCBO-最大集电极基极电压 -
配置 -
VCEO-集电极-发射极最大电压 50V
集电极电流 100mA
集电极截止电流 100nA
通用封装 SOT-323
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 散装,卷带包装

BCR 183W H6327厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

BCR 183W H6327数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
INFINEON TECHNOLOGIES 三极管(BJT) INFINEON TECHNOLOGIES BCR 183W H6327 BCR 183W H6327数据手册

BCR 183W H6327封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
库存: 0
起订量: 0 增量: 0
交货地:
最小起订量为:0
合计: $ 0
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
12A01M-TL-E ¥ 0.2917
13001 T ¥ 0.0748
2N1613 ¥ 186.2455
2N2222A ¥ 0
2N2222A ¥ 0
2N2222ACSM-QR-EB ¥ 592.7679
2N2222AE3 ¥ 39.2528
2N2222AUA ¥ 275.2402
2N2222AUB ¥ 338.8957
2N2222AUB ¥ 290.8886