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IPD068N10N3GATMA1

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: Infineon N沟道增强型MOS管 IPD068N10N3 G系列, Vds=100 V, 90 A, TO-252封装, 表面贴装, 3引脚
供应商型号: IPD068N10N3GATMA1
供应商: 国内现货
标准整包数: 2500
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) IPD068N10N3GATMA1

IPD068N10N3GATMA1概述

    IPD068N10N3 G OptiMOS®3 Power-Transistor 技术手册

    产品简介


    IPD068N10N3 G 是一款由Infineon Technologies生产的OptiMOS®3功率晶体管。它属于N沟道晶体管,主要用于高频开关和同步整流应用。该产品具有低导通电阻(RDS(on))和高工作温度范围,非常适合在高要求的应用环境中使用。

    技术参数


    - 连续漏极电流:在TC=25°C时为90A,在TC=100°C时为72A。
    - 脉冲漏极电流:在TC=25°C时为360A。
    - 雪崩能量:单脉冲EAS为130mJ。
    - 门源电压:±20V。
    - 功耗:在TC=25°C时为150W。
    - 工作和存储温度范围:-55°C至175°C。
    - 漏源击穿电压:在VGS=0V,ID=1mA时为100V。
    - 门阈值电压:在VDS=VGS,ID=90μA时为2.0V至3.5V。
    - 导通电阻:在VGS=10V,ID=90A时为5.7mΩ至6.8mΩ。
    - 输入电容:最大为4910pF。
    - 输出电容:最大为646pF。
    - 门到源电荷:最大为18nC。
    - 开关电荷:最大为17nC。
    - 门总电荷:典型值为51nC至68nC。

    产品特点和优势


    - 低导通电阻:RDS(on)的典型值仅为5.7mΩ至6.8mΩ,这使得IPD068N10N3 G能够高效地进行电力转换,减少能量损失。
    - 高工作温度范围:-55°C至175°C的工作温度范围使其能够在极端环境下稳定运行。
    - 出色的栅电荷特性:总栅电荷典型值为51nC至68nC,有助于提高开关速度并降低能耗。
    - 符合环保标准:采用无铅镀层,RoHS和Halogen-free材料,符合国际环保标准。

    应用案例和使用建议


    - 应用案例:适用于高频开关电源、同步整流电路及电机驱动系统。这些应用通常需要高效率、高可靠性和宽工作温度范围。
    - 使用建议:在使用过程中,应注意散热设计以保证正常工作温度。可以通过增加铜箔面积来改善散热效果,例如在PCB上铺设大块铜箔以增强热传导。

    兼容性和支持


    - 兼容性:IPD068N10N3 G 的封装形式为PG-TO252-3,易于与其他常见的TO252封装的元器件兼容。
    - 支持:Infineon Technologies提供详尽的技术文档和支持服务,包括详细的使用手册、应用指南和在线技术支持。

    常见问题与解决方案


    - 问题1:如何选择合适的栅极电阻?
    - 解决方案:建议根据应用需求选择适当的栅极电阻,通常建议选择1.6Ω至2Ω之间的值。

    - 问题2:如何防止过热?
    - 解决方案:确保良好的散热设计,使用大铜箔面积或安装散热片以提高热传导效率。

    总结和推荐


    IPD068N10N3 G OptiMOS®3 功率晶体管以其低导通电阻、宽工作温度范围和出色的栅电荷特性脱颖而出,是高频开关电源和同步整流系统的理想选择。其优越的性能和广泛的适用性使其成为市场上极具竞争力的产品之一。强烈推荐用于各种高效率和高可靠性要求的应用场合。

IPD068N10N3GATMA1参数

参数
最大功率耗散 150W(Tc)
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 4.91nF@50V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V@ 90µA
通道数量 1
Rds(On)-漏源导通电阻 6.8mΩ@ 90A,10V
配置 独立式
FET类型 1个N沟道
栅极电荷 68nC@ 10 V
Vgs-栅源极电压 20V
Vds-漏源极击穿电压 100V
Id-连续漏极电流 90A
长*宽*高 6.5mm*6.22mm*2.3mm
通用封装 DPAK
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

IPD068N10N3GATMA1厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

IPD068N10N3GATMA1数据手册

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INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) INFINEON TECHNOLOGIES IPD068N10N3GATMA1 IPD068N10N3GATMA1数据手册

IPD068N10N3GATMA1封装设计

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