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IRFB52N15DPBF

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: Infineon N沟道增强型MOS管, Vds=150 V, 51 A, TO-220AB封装, 通孔安装, 3引脚
供应商型号: IRFB52N15DPBF
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1000
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) IRFB52N15DPBF

IRFB52N15DPBF概述


    产品简介


    产品名称:HEXFET Power MOSFET
    产品类型:功率金属氧化物半导体场效应晶体管(Power MOSFET)
    主要功能:
    - 高频率直流-直流转换器
    - 等离子体显示面板(Plasma Display Panel)
    应用领域:
    - 通信电源系统
    - 工业控制设备
    - 汽车电子系统
    - 照明系统

    技术参数


    电气特性:
    - 最大漏源电压(VDS):150V
    - 最大脉冲漏源电压(VDS(Avalanche)):≥200V
    - 最大持续漏电流(ID):@TC = 25°C时为51A;@TC = 100°C时为36A
    - 最大脉冲漏电流(IDM):240A
    - 功率耗散(PD):@TA = 25°C时为3.8W;@TC = 25°C时为230W
    - 最大栅极-源极电压(VGS):±30V
    - 最大结温(TJ):175°C
    - 储存温度范围(TSTG):-55°C至175°C
    热阻:
    - 结-壳热阻(RθJC):0.47°C/W
    - 壳-散热片热阻(RθCS):0.50°C/W
    - 结-环境热阻(RθJA):62°C/W(无散热片),40°C/W(有散热片)
    电容:
    - 输入电容(Ciss):2770pF(@VGS = 0V)
    - 输出电容(Coss):590pF(@VDS = 25V)
    - 反向传输电容(Crss):110pF(@ƒ = 1.0MHz)
    其他参数:
    - 有效输出电容(Coss eff.):550pF(@VGS = 0V, VDS = 0V至120V)
    - 反向恢复时间(trr):140ns至210ns(@TJ = 25°C, IF = 36A)
    - 反向恢复电荷(Qrr):780nC至1170nC(di/dt = 100A/µs)

    产品特点和优势


    产品特点:
    - 低栅极-漏极电荷,减少开关损耗
    - 完全特征化电容,包括有效的COSS,简化设计
    - 完全特征化的雪崩电压和电流
    - 无铅
    产品优势:
    - 适用于高频率应用
    - 稳定的电气性能和可靠的工作环境
    - 适用于多种复杂应用,如DC-DC转换器和等离子体显示面板

    应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 在DC-DC转换器中,该产品可用于高效能量转换,降低系统能耗。
    - 在等离子体显示面板中,可以实现快速的开关速度和高效的功率管理。
    使用建议:
    - 在高温环境下使用时,确保散热措施到位,以避免过热损坏。
    - 设计电路时考虑栅极驱动电阻(RG)的选择,以达到最佳的开关性能。

    兼容性和支持


    兼容性:
    - 本产品可以与其他标准功率MOSFET一样应用于不同的电子系统中。
    - 与不同的控制器和驱动器兼容,确保应用灵活性。
    厂商支持:
    - 制造商提供详尽的技术文档和应用笔记,包括安装配图、焊接技术等。
    - 提供技术支持热线和官方网站上的资源库。

    常见问题与解决方案


    问题一:
    - 问题描述: 高温环境下MOSFET无法正常工作。
    - 解决方案: 确保适当的散热措施,如使用散热片或散热风扇。
    问题二:
    - 问题描述: 开关过程中出现异常噪声。
    - 解决方案: 检查栅极驱动电阻(RG)设置,适当调整以优化开关特性。
    问题三:
    - 问题描述: 漏电流过大。
    - 解决方案: 检查焊接点和PCB布局,确保良好的电气连接。

    总结和推荐


    综合评估:
    - 该产品具有出色的电气特性和稳定性,能够在高频率应用中表现出色。
    - 特征化电容和完全特征化的雪崩电压与电流,大大简化了设计流程。
    - 无铅制造工艺符合环保要求。
    推荐结论:
    - 推荐用于需要高频率操作、良好电气性能和可靠性要求的应用场合。
    - 强烈建议在设计新的电力电子系统时选用此款HEXFET Power MOSFET,以提升系统的整体性能。

IRFB52N15DPBF参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 2.77nF@25V
Vds-漏源极击穿电压 150V
Vgs-栅源极电压 30V
Id-连续漏极电流 51A
通道数量 1
栅极电荷 89nC@ 10 V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 5V@ 250µA
Rds(On)-漏源导通电阻 32mΩ@ 36A,10V
FET类型 1个N沟道
最大功率耗散 3.8W(Ta),230W(Tc)
配置 独立式
10.66mm(Max)
4.82mm(Max)
9.02mm(Max)
通用封装 TO-220AB
安装方式 通孔安装
零件状态 在售
包装方式 散装,管装

IRFB52N15DPBF厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

IRFB52N15DPBF数据手册

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IRFB52N15DPBF封装设计

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