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IRF6894MTR1PBF

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 2.1W(Ta),54W(Tc) 16V 2.1V@ 100µA 39nC@ 4.5 V 1个N沟道 25V 1.3mΩ@ 33A,10V 170A 4.16nF@13V 直接安装,贴片安装 6.35mm*5.05mm*700μm
供应商型号: IRF6894MTR1PBFTR-ND
供应商: Digi-Key
标准整包数: 1
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) IRF6894MTR1PBF

IRF6894MTR1PBF概述


    产品简介


    IRF6894MPbF 是一款由Infineon公司生产的先进DirectFET封装的Power MOSFET,结合了最新的HEXFET®硅技术,以实现最低的导通电阻。这款器件在具有SO-8引脚的布局中仅有0.7mm的厚度,非常适用于高密度电路设计。其独特的直接散热(Dual Sided Cooling)设计,能够显著提高热阻,比以前的解决方案提高了80%的热效率。此外,它还集成了Schottky二极管,可有效减少同步降压转换器中的损耗。
    主要功能和应用领域:
    - 功能:高电流处理能力,低导通和开关损耗,集成Schottky二极管。
    - 应用领域:DC-DC转换器,同步降压转换器,微处理器电源管理。

    技术参数


    - 基本参数:
    - 最大漏源电压 (VDS):25V
    - 最大栅源电压 (VGS):±16V
    - 静态导通电阻 (RDS(on)):0.9mΩ @ 10V, 1.4mΩ @ 4.5V
    - 连续漏极电流 (ID):37A (TA=25°C), 29A (TA=70°C)
    - 电气特性:
    - 总门极电荷 (Qg tot):31nC
    - 峰值门极电阻 (RG):0.2Ω
    - 输出电容 (Coss):1260pF (VDS=13V)
    - 转移电容 (Crss):255pF (f=1.0MHz)
    - 工作环境:
    - 存储温度范围 (TSTG):-40°C to +150°C
    - 工作温度范围 (TJ):-40°C to +150°C
    - 线性降额因子:0.022W/°C

    产品特点和优势


    - 低导通和开关损耗:得益于优化的硅技术和先进的封装设计,IRF6894MPbF具有出色的低导通和开关损耗特性。
    - 集成Schottky二极管:进一步减少了同步降压转换器中的损耗,提高了整体效率。
    - 高效散热设计:DirectFET包装支持双面散热,改善了散热性能,显著提升了热效率。
    - 兼容性:适合现有的表面贴装技术,且与现有的PCB装配设备兼容。
    - 优化的参数:专门为同步降压转换器中的同步FET插槽进行了优化。

    应用案例和使用建议


    - 应用案例:IRF6894MPbF非常适合用于高电流负载的高频高效率DC-DC转换器,例如最新一代的微处理器供电系统。具体来说,它被广泛应用于服务器、网络设备、电信设备等领域。

    - 使用建议:为了确保最佳性能,在使用过程中需要确保散热措施得当。例如,通过增加散热片或采用双面散热方法来降低工作温度。同时,需要注意正确连接栅极电阻(RG),以避免瞬态过压。

    兼容性和支持


    - 兼容性:IRF6894MPbF与现有的表面贴装技术完全兼容,并且可以与各种PCB装配设备一起使用。
    - 支持信息:Infineon公司提供了详细的技术文档和支持服务,包括安装指南和应用说明。如有任何技术问题,可以联系当地技术支持。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:无法达到规定的电流
    - 解决方案:检查散热是否充足,确保没有短路或其他外部因素影响。

    2. 问题:出现异常高温
    - 解决方案:检查是否有足够的散热措施,适当增加散热片或考虑双面散热。

    3. 问题:输出电容不正常
    - 解决方案:检查电路连接是否正确,确认电容值是否匹配。

    总结和推荐


    IRF6894MPbF是一款高度集成的Power MOSFET,结合了出色的导通和开关损耗特性和先进的DirectFET封装技术,使其成为高性能电源管理应用的理想选择。它在高电流和高频应用中的表现尤为出色,适合于微处理器和其他高功率密度应用。因此,我强烈推荐此产品用于需要高效率和可靠性的场合。

IRF6894MTR1PBF参数

参数
通道数量 1
配置 独立式
栅极电荷 39nC@ 4.5 V
Vds-漏源极击穿电压 25V
Vgs-栅源极电压 16V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 4.16nF@13V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.1V@ 100µA
FET类型 1个N沟道
Id-连续漏极电流 170A
Rds(On)-漏源导通电阻 1.3mΩ@ 33A,10V
最大功率耗散 2.1W(Ta),54W(Tc)
长*宽*高 6.35mm*5.05mm*700μm
安装方式 直接安装,贴片安装
包装方式 卷带包装

IRF6894MTR1PBF厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

IRF6894MTR1PBF数据手册

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IRF6894MTR1PBF封装设计

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