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IRLU024NPBF

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: Infineon N沟道增强型MOS管 HEXFET系列, Vds=55 V, 17 A, IPAK (TO-251)封装, 通孔安装, 3引脚
供应商型号: 30C-IRLU024NPBF TO-251AA(IPAK)
供应商: 国内现货
标准整包数: 1
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) IRLU024NPBF

IRLU024NPBF概述

    HEXFET® Power MOSFET 技术手册

    产品简介


    HEXFET® Power MOSFET 是由 International Rectifier 生产的一系列高性能功率金属氧化物半导体场效应晶体管(Power MOSFET)。这些器件采用了先进的工艺技术,提供最低的导通电阻(RDS(on)),并且具有快速开关能力和坚固耐用的设计。HEXFET® MOSFET 在多种应用场合中被广泛使用,适用于表面贴装(Surface Mount)或通孔安装(Through-Hole Mounting)。

    技术参数


    | 参数 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |

    | RθJC | – | – | 3.3 | °C/W |
    | RθJA (PCB) | – | – | 50 | °C/W |
    | RθJA | – | – | 110 | °C/W |
    | VDSS | 55 | – | – | V |
    | RDS(on) | – | 0.065 | – | Ω |
    | ID | – | 17 | – | A |
    | ID @ TC=25°C | – | 17 | – | A |
    | ID @ TC=100°C | – | 12 | – | A |
    | IDM | – | – | 72 | A |
    | PD @ TC=25°C | – | – | 45 | W |
    | Linear Derating Factor | – | – | 0.3 | W/°C |
    | VGS | – | ±16 | – | V |
    | EAS | – | – | 68 | mJ |
    | IAR | – | – | 11 | A |
    | EAR | – | – | 4.5 | mJ |
    | dv/dt | – | – | 5.0 | V/ns |
    | TJ | – | –55~175| °C |

    产品特点和优势


    HEXFET® Power MOSFET 的独特之处在于其先进的工艺技术和低导通电阻,使其成为高效能应用的理想选择。具体优势包括:
    - 低导通电阻:HEXFET® MOSFET 的 RDS(on) 值为 0.065Ω,这有助于减少能量损耗和发热。
    - 快速开关能力:这些 MOSFET 能够在高频应用中提供出色的性能。
    - 坚固耐用的设计:能够承受高电流和电压冲击。
    - 支持逻辑电平门驱动:简化电路设计并提高可靠性。
    - 完全雪崩额定值:确保在极端条件下也能稳定工作。
    - 无铅制造:符合环保标准。

    应用案例和使用建议


    HEXFET® MOSFET 主要应用于电源管理、电机控制、DC-DC 转换器和高效率转换电路等领域。以下是一些典型应用和建议:
    - 电源管理:由于其低导通电阻和高开关速度,HEXFET® MOSFET 可以用于提高电源转换效率。
    - 电机控制:在电机控制系统中,HEXFET® MOSFET 可以提高系统稳定性并减少能量损失。
    - DC-DC 转换器:这些 MOSFET 可以显著提升转换器的效率和性能。
    使用建议:
    - 确保散热措施良好,尤其是在高功率应用中。
    - 根据应用要求选择合适的驱动电路。
    - 遵循正确的焊接温度和时间以避免损坏。

    兼容性和支持


    HEXFET® MOSFET 支持与常见的 PCB 装配工艺兼容,如气相焊、红外焊或波峰焊。制造商提供了详细的技术支持文档和维护指南,确保用户能够充分利用产品的性能和优势。

    常见问题与解决方案


    - 问题:如何确定最佳的工作温度范围?
    解决方案:参考技术手册中的热阻抗和最大工作温度范围,确保应用环境满足要求。

    - 问题:如何处理过冲电压?
    解决方案:使用合适的缓冲电路来吸收过冲电压,保护 MOSFET 不受损害。

    - 问题:如何提高散热效果?
    解决方案:增加散热片或者使用更大的散热器,并确保良好的空气流通。

    总结和推荐


    综上所述,HEXFET® Power MOSFET 是一款集先进工艺、低导通电阻和高可靠性于一体的高性能功率 MOSFET。无论是电源管理还是电机控制,这些 MOSFET 都能提供卓越的性能和灵活性。我们强烈推荐使用 HEXFET® Power MOSFET 来实现高效、可靠的电子系统。

IRLU024NPBF参数

参数
配置 独立式
通道数量 1
Id-连续漏极电流 17A
Rds(On)-漏源导通电阻 65mΩ@ 10A,10V
Vgs-栅源极电压 16V
Vds-漏源极击穿电压 55V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 480pF@25V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2V@ 250µA
FET类型 1个N沟道
最大功率耗散 45W(Tc)
栅极电荷 15nC@ 5 V
6.73mm(Max)
2.39mm(Max)
6.22mm(Max)
通用封装 IPAK,TO-251AA
安装方式 通孔安装
零件状态 在售
包装方式 管装

IRLU024NPBF厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

IRLU024NPBF数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) INFINEON TECHNOLOGIES IRLU024NPBF IRLU024NPBF数据手册

IRLU024NPBF封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ ¥ 2.321
100+ ¥ 1.87
750+ ¥ 1.661
1500+ ¥ 1.562
3000+ ¥ 1.496
18000+ ¥ 1.474
39000+ ¥ 1.463
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