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IRF1010EPBF

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: Infineon N沟道增强型MOS管 HEXFET系列, Vds=60 V, 84 A, TO-220AB封装, 通孔安装, 3引脚
供应商型号: IRF1010EPBF
供应商: 国内现货
标准整包数: 1000
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) IRF1010EPBF

IRF1010EPBF概述

    IRF1010EPbF HEXFET® Power MOSFET 技术手册

    产品简介


    IRF1010EPbF 是一款先进的 N 沟道 HEXFET® 功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),由国际整流器公司(International Rectifier)制造。该器件具有极低的导通电阻(RDS(on))和快速开关速度,适用于广泛的工业应用。这些特性使其成为高效率和高可靠性的选择,在商业和工业级别的功率耗散水平(约50瓦)下尤为受欢迎。

    技术参数


    - 主要电气参数:
    - 最大连续漏电流 (ID):84 A(TC=25°C),59 A(TC=100°C)
    - 最大脉冲漏电流 (IDM):330 A
    - 最大功率耗散 (PD):200 W(TC=25°C)
    - 热阻:RθJC = 0.75 °C/W, RθCS = 0.50 °C/W, RθJA = 62 °C/W
    - 额定工作温度范围:-55°C 到 +175°C
    - 开启阈值电压 (VGS(th)):2.0 V 至 4.0 V
    - 漏源击穿电压 (V(BR)DSS):60 V
    - 导通电阻 (RDS(on)):12 mΩ(VGS=10V, ID=50A)
    - 其他参数:
    - 反向恢复时间 (trr):73 至 110 ns
    - 电荷存储时间 (ton):开启时间可以忽略不计
    - 输入电容 (Ciss):3210 pF
    - 输出电容 (Coss):690 pF
    - 反向转移电容 (Crss):140 pF

    产品特点和优势


    IRF1010EPbF 具有以下独特功能和优势:
    - 先进工艺技术:采用先进的加工技术,实现每单位硅面积的极低导通电阻。
    - 超低导通电阻:RDS(on) 在 VGS=10V 时仅为 12 mΩ,提供高效的电流控制。
    - 动态 dv/dt 评级:能够处理快速的电压变化。
    - 高温工作能力:最高工作温度可达 175°C,确保在极端环境下稳定运行。
    - 快速开关:快速的开关速度减少了热损耗,提高了整体效率。
    - 全雪崩额定值:能够在极端条件下安全运行。
    - 无铅封装:符合环保要求。

    应用案例和使用建议


    IRF1010EPbF 广泛应用于各种电源转换器、电机驱动器和通信设备中。例如,在一个典型的开关电源设计中,IRF1010EPbF 可以作为主控 MOSFET 来实现高效能量转换。为了优化其性能,建议采取以下措施:
    - 散热管理:使用高效散热片或冷却系统,确保器件保持在最佳工作温度范围内。
    - 适当的电路布局:合理布局电路板,减少杂散电感,以避免开关过程中的震荡现象。
    - 保护电路:增加过压保护和过流保护电路,提高系统的可靠性。

    兼容性和支持


    IRF1010EPbF 采用 TO-220AB 封装,适合几乎所有商业和工业应用。该产品与标准工业接口兼容,便于集成到现有系统中。国际整流器公司提供了详尽的技术文档和专业的技术支持,包括详细的安装指南和应用笔记,帮助用户更好地理解和利用该产品。

    常见问题与解决方案


    - Q: 如何确定最大功耗?
    - A: 参考手册中的 PD 值和线性降额因子(1.4 W/°C),结合实际的工作环境温度进行计算。

    - Q: 开关过程中出现震荡如何解决?
    - A: 优化 PCB 布局,减小引线电感;添加外部缓冲电路,如栅极电阻或RC滤波器,以抑制震荡。
    - Q: 过温保护电路如何设置?
    - A: 设置合理的温度传感器监控工作温度,并配置相应的过温保护机制,如降低功率输出或断开电源连接。

    总结和推荐


    综上所述,IRF1010EPbF 是一款高性能、高可靠性的 N 沟道 HEXFET® 功率 MOSFET。其独特的功能和优势使其在众多应用场景中表现出色,特别适合于需要高效能量转换和可靠运行的场合。鉴于其卓越的表现,强烈推荐使用 IRF1010EPbF 作为关键组件,以提升系统性能和延长使用寿命。

IRF1010EPBF参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 12mΩ@ 50A,10V
最大功率耗散 200W(Tc)
FET类型 1个N沟道
Id-连续漏极电流 84A
Vds-漏源极击穿电压 60V
Vgs-栅源极电压 20V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 3.21nF@25V
配置 独立式
栅极电荷 130nC@ 10 V
通道数量 1
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4V@ 250µA
10.67mm(Max)
4.83mm(Max)
9.02mm(Max)
通用封装 TO-220AB
安装方式 通孔安装
应用等级 工业级
零件状态 在售
包装方式 管装

IRF1010EPBF厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

IRF1010EPBF数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) INFINEON TECHNOLOGIES IRF1010EPBF IRF1010EPBF数据手册

IRF1010EPBF封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1000+ ¥ 2.8589
2000+ ¥ 2.7595
4000+ ¥ 2.7097
8000+ ¥ 2.6849
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