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IHW25N120R2

产品分类: IGBT单管
产品描述: 365W 1.6V 独立式 1.2KV 50A TO-247 通孔安装 15.9mm*5.3mm*20.95mm
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标准整包数: 0
INFINEON TECHNOLOGIES IGBT单管 IHW25N120R2

IHW25N120R2概述


    产品简介


    IHW25N120R2 是一款由Infineon Technologies生产的软开关系列功率半导体产品。它是一款集成了体二极管的逆导型IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),特别适用于各种硬开关和软开关应用。该产品的核心特点是其强大的单芯片体二极管,具有非常低的正向电压,能够有效处理负电压,从而确保更高的稳定性和可靠性。

    技术参数


    最大额定值
    - 集电极-发射极电压 \(V{CE}\): 1200 V
    - 连续集电极电流:
    - \(TC = 25°C\): 50 A
    - \(TC = 100°C\): 25 A
    - 脉冲集电极电流 \(I{Cpuls}\): 75 A
    - 门极-发射极电压 \(V{GE}\): ±20 V (±25 V 暂态)
    - 最大功率耗散 \(P{tot}\): 365 W (在25°C下)
    - 工作结温 \(Tj\): -40°C 至 +175°C
    - 存储温度 \(T{stg}\): -55°C 至 +175°C
    - 焊接温度 (距壳体1.6mm处,持续10秒): 260°C
    热阻
    - 集电极-壳体热阻 \(R{thJC}\): 0.41 K/W
    - 二极管-壳体热阻 \(R{thJCD}\): 0.41 K/W
    - 结-环境热阻 \(R{thJA}\): 40 K/W
    静态电气特性
    - 集电极-发射极击穿电压 \(V(BR){CES}\): 1200 V
    - 集电极-发射极饱和电压 \(V{CE(sat)}\):
    - \(Tj = 25°C\): 1.6 V
    - \(Tj = 150°C\): 1.95 V
    - \(Tj = 175°C\): 2.0 V
    - 二极管正向电压 \(VF\):
    - \(Tj = 25°C\): 1.5 V
    - \(Tj = 150°C\): 1.75 V
    - \(Tj = 175°C\): 1.8 V
    动态电气特性
    - 输入电容 \(C{iss}\): 2342 pF
    - 输出电容 \(C{oss}\): 68.7 pF
    - 反向传输电容 \(C{rss}\): 55.5 pF
    - 门极电荷 \(Q{Gate}\): 60.7 nC
    - 内部发射极电感 \(LE\): 13 nH

    产品特点和优势


    IHW25N120R2 的关键优势包括:
    - 强大单芯片体二极管:具备极低的正向电压,能够有效处理负电压。
    - 高可靠性和稳定性:采用沟槽和场截止技术,保证参数分布紧密且温度稳定。
    - 并联开关能力:NPT技术使得并联操作简单且具有正温度系数。
    - 低电磁干扰(EMI):减少了电路设计中的电磁干扰问题。
    - 环保认证:符合JEDEC标准,无铅镀层,RoHS合规。

    应用案例和使用建议


    IHW25N120R2 主要应用于感应加热及软开关应用。例如,在感应加热设备中,该IGBT可以提供高效、稳定的能量转换。在使用过程中,应注意以下几点:
    - 温度管理:确保IGBT的温度不超过最大值,避免过热。
    - 并联操作:在需要高电流的情况下,确保IGBT正确并联以保持电流均匀分配。
    - 驱动电路设计:合理设置门极电阻和电压,以优化开关特性和减少功耗。

    兼容性和支持


    IHW25N120R2 可与大多数标准电子元件和设备兼容,包括常用的控制板和电源模块。Infineon Technologies提供了全面的产品支持和资源,包括详细的Pspice模型和技术文档,帮助用户进行设计和调试。如需更多信息,用户可以联系最近的Infineon办事处。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:IGBT温度过高。
    - 解决方案:检查散热系统是否正常工作,增加外部冷却措施。

    2. 问题:开关时间不稳定。
    - 解决方案:调整门极电阻和电压,确保电路匹配正确。

    3. 问题:电流过大导致损坏。
    - 解决方案:确保负载适配,必要时添加电流限制器。

    总结和推荐


    综上所述,IHW25N120R2 是一款优秀的IGBT产品,具备高效的性能和广泛的应用范围。其卓越的电气特性、坚固的设计和良好的兼容性使其成为众多工业应用的理想选择。我们强烈推荐此产品给需要高性能、高可靠性的应用场景。

IHW25N120R2参数

参数
集电极电流 50A
最大功率耗散 365W
VCEO-集电极-发射极最大电压 1.2KV
最大集电极发射极饱和电压 1.6V
配置 独立式
长*宽*高 15.9mm*5.3mm*20.95mm
通用封装 TO-247
安装方式 通孔安装
包装方式 管装

IHW25N120R2厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

IHW25N120R2数据手册

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IHW25N120R2封装设计

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