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IPP030N10N3 G

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 300W 20V 155nC@ 10V 100V 3mΩ@ 10V 11.1nF@ 50V TO-220-3
供应商型号: IPP030N10N3 G
供应商: 云汉优选
标准整包数: 500
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) IPP030N10N3 G

IPP030N10N3 G概述

    IPP030N10N3 G IPI030N10N3 G OptiMOS™3 Power Transistor 技术手册

    1. 产品简介


    IPP030N10N3 G IPI030N10N3 G 是一款由 Infineon Technologies 生产的 N 沟道增强型功率场效应晶体管(Power MOSFET)。这种器件以其低导通电阻(RDS(on))和高频率开关能力而闻名。该器件广泛应用于开关电源、逆变器、电机驱动器等领域。

    2. 技术参数


    IPP030N10N3 G IPI030N10N3 G 的关键技术参数如下:
    - 连续漏极电流(ID):100A(TC=25°C),100A(TC=100°C)
    - 脉冲漏极电流(ID,pulse):400A(TC=25°C)
    - 雪崩能量(EAS):1000mJ(ID=100A,RGS=25Ω)
    - 最大漏源电压(VDS):100V
    - 最大导通电阻(RDS(on)):3mΩ(VGS=10V,ID=100A)
    - 最大耗散功率(Ptot):300W(TC=25°C)
    - 工作温度范围:-55°C 到 175°C
    - 封装类型:PG-TO220-3 和 PG-TO262-3
    - 最大栅源电压(VGS):±20V
    - 热阻抗:结到外壳(RthJC)0.5K/W;结到环境(RthJA)最小值 62K/W(带最小散热面积 6cm²)

    3. 产品特点和优势


    IPP030N10N3 G IPI030N10N3 G 具备以下显著特点和优势:
    - 低导通电阻(RDS(on)):仅为 3mΩ,这意味着其具有较低的导通损耗,适合高频开关应用。
    - 高可靠性:该器件通过 JEDEC 标准认证,确保其适用于高要求的应用环境。
    - 宽泛的工作温度范围:-55°C 到 175°C,使它能在极端环境下稳定运行。
    - 出色的开关特性:优秀的栅电荷(Qg)与 RDS(on) 乘积,使其在高频开关中表现出色。
    - 环保材料:采用无铅镀层,符合 RoHS 规范,适合绿色制造。

    4. 应用案例和使用建议


    IPP030N10N3 G IPI030N10N3 G 适用于多种高功率应用场合,例如:
    - 开关电源:利用其高频率开关能力和低导通电阻,可以提高电源转换效率。
    - 逆变器:在需要高性能、高可靠性的场合下,如太阳能逆变器和电动汽车充电系统。
    - 电机驱动器:其出色的耐压能力和低导通电阻使得该器件成为电机驱动的理想选择。
    使用建议:
    - 散热管理:确保器件在高负载下不会过热,可使用合适的散热片和空气流动来辅助散热。
    - 栅极驱动电路设计:为了减少开关损耗,应设计合理的栅极驱动电路,以实现快速开关。

    5. 兼容性和支持


    该产品与其他常见的 N 沟道 MOSFET 管和电源模块兼容。Infineon Technologies 提供了详尽的技术文档和支持服务,确保用户在设计和使用过程中获得必要的帮助。

    6. 常见问题与解决方案


    常见问题及解决方法:
    - 过热问题:检查散热措施是否足够,增加散热片或改善空气流动。
    - 开关损耗过高:优化栅极驱动电路设计,减小 Qg,提升开关速度。
    - 栅极击穿:避免 VGS 超过 ±20V,确保栅极驱动电路设计合理。

    7. 总结和推荐


    IPP030N10N3 G IPI030N10N3 G 在功率管理方面表现出色,具备低导通电阻和宽泛的工作温度范围,是高频开关和同步整流的理想选择。鉴于其卓越的性能和可靠性,强烈推荐用于高要求的电力电子应用中。

IPP030N10N3 G参数

参数
通道数量 -
Rds(On)-漏源导通电阻 3mΩ@ 10V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Vgs-栅源极电压 20V
Vds-漏源极击穿电压 100V
最大功率耗散 300W
配置 -
Id-连续漏极电流 -
栅极电荷 155nC@ 10V
FET类型 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 11.1nF@ 50V
通用封装 TO-220-3
包装方式 管装

IPP030N10N3 G厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

IPP030N10N3 G数据手册

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IPP030N10N3 G封装设计

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