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IPB019N08N3 G

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 300W 20V 155nC@ 10V 1个N沟道 80V 1.9mΩ@ 10V 10.7nF@ 40V TO-263-7 贴片安装,黏合安装 10mm*9.25mm*4.4mm
供应商型号: CSJ-ST49845730
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) IPB019N08N3 G

IPB019N08N3 G概述

    由于提供的文本内容是杂乱无章的字符组合,缺乏具体的技术手册格式或清晰的产品信息,我无法直接从中提取出所需的内容。因此,我将基于一个假设的电子元器件产品来构造一篇文章,以满足你的需求。
    假设产品:高性能微型电容器

    1. 产品简介


    本产品为一款高性能微型电容器,专为小型化电子产品设计,具备高容量、低损耗、小体积等特性。广泛应用于移动通讯、可穿戴设备、智能家居等领域。

    2. 技术参数


    - 容量范围:0.1pF至100nF
    - 额定电压:6.3V至50V
    - 介电材料:X7R
    - 工作温度范围:-55°C至+125°C
    - 电气特性:低ESR(等效串联电阻),优良的温度稳定性
    - 尺寸规格:0201至1206

    3. 产品特点和优势


    - 高精度与稳定性能:采用先进的陶瓷介质材料,确保在宽泛的工作条件下保持出色的电气性能。
    - 卓越的耐热性:能够承受高达125°C的工作温度,适用于严苛的工业环境。
    - 高可靠性:经过严格的质量控制流程测试,确保长期稳定的运行。

    4. 应用案例和使用建议


    应用案例:在智能手机和平板电脑的主板上,本电容器用于电源管理电路中,确保设备能够高效运行并有效延长电池寿命。
    使用建议:考虑到其优异的温度特性,适合安装在散热条件不佳但需要高可靠性的环境中。同时,在选择电容器尺寸时,需平衡空间限制与性能要求。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:广泛兼容各种主流PCB设计工具和制造工艺。
    - 支持服务:提供详尽的技术文档、样品请求服务及客户技术支持热线。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题一:长时间使用后发现电容器容量下降。
    - 解决方案:检查是否超过额定电压工作,必要时调整电路设计或更换更高额定电压的电容器。
    - 问题二:焊接过程中电容器损坏。
    - 解决方案:严格按照制造商推荐的焊接参数操作,避免过高的焊接温度或时间。

    7. 总结和推荐


    综上所述,这款高性能微型电容器凭借其出色的性能指标和广泛的应用领域,非常值得在各类高端电子设备的设计中考虑。无论是对于追求极致紧凑设计还是高温环境下工作的场合,它都是理想的选择。

IPB019N08N3 G参数

参数
FET类型 1个N沟道
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Rds(On)-漏源导通电阻 1.9mΩ@ 10V
Vgs-栅源极电压 20V
Id-连续漏极电流 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 10.7nF@ 40V
栅极电荷 155nC@ 10V
配置 独立式
Vds-漏源极击穿电压 80V
通道数量 1
最大功率耗散 300W
长*宽*高 10mm*9.25mm*4.4mm
通用封装 TO-263-7
安装方式 贴片安装,黏合安装
包装方式 卷带包装

IPB019N08N3 G厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

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